一种抗静电高精度低漂移双运算放大器制造技术

技术编号:8204664 阅读:254 留言:0更新日期:2013-01-10 20:23
本实用新型专利技术公开了一种抗静电高精度低漂移双运算放大器,包括外壳,外壳内部封装有基片,基片上设置有混合电路;所述混合电路包括采用厚膜混合集成方式组成的芯片、8个保护二极管、4个保护电阻和2个内部调零电阻。本实用新型专利技术的有益效果在于:静电阈值电压大于4000V,失调电压为10μV,失调电压温度系数为0.2μV/℃,长期稳定度为0.2μV/月,无需调零,无需外补偿和外接保护元件。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种抗静电高精度低漂移双运算放大器,其特征在于,包括外壳,外壳内部封装有基片,基片上设置有混合电路。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:沈文娟李翔赵伟红
申请(专利权)人:陕西航晶微电子有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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