双载波放大器电路和方法技术

在一个实施方式中，本公开包括包含用于接收RF信号的第一跨导级和第二跨导级的电路以及电流组合器电路。所述电流组合器电路将来自第一跨导级的电流耦合至(i)第一输出路径或第二输出路径中的一个输出路径或者(ii)所述第一输出路径和第二输出路径两者。该电流组合器电路在所述第一跨导级将电流耦合至所述第一输出路径或所述第二输出路径中的一个输出路径时将来自所述第二跨导级的电流从所述第一输出路径和第二输出路径两者解耦合。所述电流组合器电路在所述第一跨导级将电流耦合至所述第一输出路径和所述第二输出路径两者时将来自所述第二跨导级的电流耦合至所述第一输出路径和所述第二输出路径两者。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及。
技术介绍
除非在这里给出相反的指示，否则在本部分中所描述的方式不是本申请中的权利要求书的现有技术，并且也不因包括在本部分中而承认是现有技木。 放大器电路是许多电子系统的基本构建块。放大器电路(或者“放大器”)用于增强特定的信号特性，诸如例如，电压、电流或功率。放大器的一种类型是跨导(transconductance)放大器。在跨导放大器中，输入电压信号被转换成电流输出信号。输入电压信号与电流输出信号之间的关系为放大器的跨导(“Gm”)。跨导通过以下等式进行描述Io = Vin*Gm跨导放大器存在的ー个问题是放大器特性在不同的负载之间会产生变化。例如，不同的负载可以从跨导放大器的输出中汲取不同的电流量，由此改变放大器的特性。无线接收器使用低噪声放大器(“LNA”)来对接收自天线的射频(“RF”)信号进行放大。在某些无线应用中，RF信号可以包括具有多个载波频率的多个信道。为了处理此类信号，LNA可以向不同的信号路径发送经放大的RF信号。如果跨导放大器用于LNA，则不同的信号路径将改变跨导放大器输出上的负载，由此导致信号衰减以及減少的信噪比(“SNR”)。下面描述的特定实施本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.03.02 US 61/309,8101.一种电路,包括 第一跨导级，具有用于接收信号的输入； 第二跨导级，具有用于接收所述信号的输入；以及 电流组合器电路，耦合至所述第一跨导级的输出以及所述第二跨导级的输出， 其中所述电流组合器电路形成从所述第一跨导级到α)多个输出路径中的一个输出路径或者(ii)所述多个输出路径中的许多输出路径的路径， 并且其中所述电流组合器电路在所述第一跨导级形成去往所述多个输出路径中的一个输出路径的路径时从所述多个输出路径中分离所述第二跨导级， 并且其中所述电流组合器电路在所述第一跨导级形成去往所述多个输出路径中的所述许多输出路径的路径时形成从所述第二跨导级到所述多个输出路径中的所述许多输出路径的路径。2.根据权利要求I所述的电路，其中所述电流组合器电路将来自所述第一跨导级的电流耦合至(i)第一输出路径或第二输出路径中的一个输出路径或者(ii)所述第一输出路径和所述第二输出路径两者， 并且其中所述电流组合器电路在所述第一跨导级将电流耦合至所述第一输出路径或所述第二输出路径中的一个输出路径时将从所述第二跨导级到所述第一输出路径和所述第二输出路径两者的电流解耦合， 并且其中所述电流组合器电路在所述第一跨导级将电流耦合至所述第一输出路径和所述第二输出路径两者时将来自所述第二跨导级的电流耦合至所述第一输出路径和所述第二输出路径两者。3.根据权利要求2所述的电路，其中所述电流组合器电路包括配置在所述第二跨导级的输出与所述第一输出路径和所述第二输出路径之间的共源共栅晶体管。4.根据权利要求2所述的电路，其中所述电流组合器电路包括配置在所述第一跨导级的输出与所述第一输出路径和所述第二输出路径之间的共源共栅晶体管，以将来自所述第一跨导级的电流选择性地耦合至(i)所述第一输出路径或所述第二输出路径或者(ii)所述第一输出路径和所述第二输出路径两者。5.根据权利要求I所述的电路， 其中所述第一跨导级包括 第一晶体管，其具有源极、栅极和漏极；以及 第二晶体管，其具有源极、栅极和漏极， 以及其中所述第二跨导级包括 第三晶体管，其具有源极、栅极和漏极；以及 第四晶体管，其具有源极、栅极和漏极， 其中所述第一晶体管的栅极和所述第三晶体管的栅极耦合在一起，以接收所述信号的第一分量， 其中所述第二晶体管的栅极和所述第四晶体管的栅极耦合在一起，以接收所述信号的第二分量， 以及其中所述第一晶体管的漏极、所述第二晶体管的漏极、所述第三晶体管的漏极和所述第四晶体管的漏极耦合至所述电流组合器电路。6.根据权利要求5所述的电路，其中所述电流组合器电路包括 第五晶体管，具有耦合至所述第一晶体管的漏极的源极； 第六晶体管，具有耦合至所述第一晶体管的漏极的源极； 第七晶体管，具有耦合至所述第二晶体管的漏极的源极； 第八晶体管，具有耦合至所述第二晶体管的漏极的源极； 第九晶体管，具有耦合至所述第三晶体管的漏极的源极； 第十晶体管，具有耦合至所述第三晶体管的漏极的源极； 第十一晶体管，具有耦合至所述第四晶体管的漏极的源极；以及 第十二晶体管，具有耦合至所述第四晶体管的漏极的源极。7.根据权利要求6所述的电路， 其中所述第五晶体管的漏极耦合至所述第九晶体管的漏极以及第一输出路径的第一末端； 其中所述第七晶体管的漏极耦合至所述第十一晶体管的漏极以及所述第一输出路径的第二末端； 其中所述第六晶体管的漏极耦合至所述第十晶体管的漏极以及第二输出路径的第一末端；以及 其中所述第八晶体管的漏极耦合至所述第十二晶体管的漏极以及所述第二输出路径的第二末端。8.根据权利要求5所述的电路， 其中所述第一跨导级进一步包括 第五晶体管，其具有源极、栅极和漏极；以及 第六晶体管，其具有源极、栅极和漏极， 以及其中所述第二跨导级包括 第七晶体管，其具有源极、栅极和漏极；以...

【专利技术属性】
技术研发人员：G·尤哈拉，樊晓华，
申请(专利权)人：马维尔国际贸易有限公司，
类型：
国别省市：