【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及到运算放大器,特别一种使用数据采样以补偿电路偏移的高精度运算放大器。
技术介绍
运算或差分放大器在两个输入信号差值的基础上提供一个放大的输出值。为了确保精确的输出信号,电路中的偏移必须最小化或必须对其提供补偿。传统的双极型运算放大器需要匹配的元件以确保输出信号准确,而传统的CMOS斩波稳零运算放大器提供偏置电压以补偿电路偏移。在建立偏置电压时,采用数据采样技术,周期地将两个输入短路且闭合放大回路使输出为零。负载晶体管的偏置电压由电容存储,并在输入采样阶段提供。采样时的频率比连续输出信号时的频率高得多。 然而,传统的CMOS斩波稳零放大器有一些固有的问题。为了调节正面和负面的偏移,每个CMOS晶体管对中N沟道负载晶体管的源极电压必须高于连接到N沟道晶体管的负输入电压。因此,一个电阻需要被串联在负载晶体管与负电源间,这无疑增加了功耗。此夕卜,第二阶段的放大器波动接近负电源电压,因此必须保持第二阶段晶体管的电流较小。然而,由于这一级电路驱动较大的外部电容,所以首次接通电源后,放大器达到零状态所需的时间极长。同样,过载恢复所需时间也很长。此外,为了尽量减小 ...
【技术保护点】
一种使用数据采样的高精度运算放大器,其特征是:第一个CMOS晶体管对包括第一个P沟道晶体管和第一个N沟道晶体管,并且它们串行连接,每个晶体管有一个源极,栅极和漏极;第二个CMOS晶体管对包括第二个P沟道晶体管和第二个N沟道晶体管,并且它们串行连接,每个晶体管有一个源极,栅极和漏极;第一和第二个P沟道晶体管的源极相连且施加一个正电压;第一和第二个N沟道晶体管的源极相连且施加一个负电压;第一个输入施加到第一个P沟道晶体管的栅极;第二个输入施加到第二个P沟道晶体管的栅极;第一和第二个N沟道晶体管的栅极相连,并且与第一个P沟道和第一个N沟道晶体管的漏极分别互连。
【技术特征摘要】
1.一种使用数据采样的高精度运算放大器,其特征是第一个CMOS晶体管对包括第一个P沟道晶体管和第一个N沟道晶体管,并且它们串行连接,每个晶体管有一个源极,栅极和漏极;第二个CMOS晶体管对包括第二个P沟道晶体管和第二个N沟道晶体管,并且它们串行连接,每个晶体管有一个源极,栅极和漏极;第一和第二个P沟道晶体管的源极相连且施加一个正电压;第一和第二个N沟道晶体管的源极相连且施加一个负电压;第一个输入施加到第一个P沟道晶体管的栅极;第二个输入施加到第二个P沟道晶体管的栅极;第一和第二个N沟道晶体管的栅极相连,并且与第一个P沟道和第一个N沟道晶体管的漏极分别互连。2.根据权利要求I所述的一种使用数据采样的高精度运算放大器,...
【专利技术属性】
技术研发人员:包兴坤,
申请(专利权)人:苏州硅智源微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:
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