具有负截面金属结构的SAW谐振器及其制造方法技术

本发明专利技术公开弹性表面波谐振器。根据本发明专利技术的弹性表面波谐振器，包括：压电基板；形成于所述压电基板上部面的具有负截面的多个金属结构物；及包裹所述压电基板上部面和所述多个金属结构物的温度补偿薄膜。根据本发明专利技术的弹性表面波谐振器具有对截面的变化迟钝的频率特性，并且，具有较高的反共振Q值特性。

SAW resonator with negative sectional metal structure and method for manufacturing the same

The invention discloses an elastic surface wave resonator. According to the invention of the surface acoustic wave resonator and piezoelectric substrate; forming a plurality of metal structures in the upper surface of the piezoelectric substrate with negative section; and covers the upper surface of the piezoelectric substrate and a plurality of metal structure of the temperature compensation film. The surface acoustic wave resonator according to the present invention has a frequency characteristic insensitive to changes in cross sections, and has a high anti resonant Q characteristic.

【技术实现步骤摘要】
具有负截面金属结构的SAW谐振器及其制造方法
本专利技术涉及弹性表面波谐振器及其制造方法。尤其，涉及一种用于无线通信设备的信号处理时所需的信号过滤等的弹性表面波谐振器及其制造方法。
技术介绍
作为利用弹性波的装置，众所周知的是弹性表面波装置(SAW)，其在压电基板的表面形成由叉指式换能器(InterdigitalTransducer；IDT)形成的梳状电极及反射电极，利用向梳状电极施加电力而发生的弹性波。该弹性表面波装置为小型轻量，且能够获得高衰减量，因此，广泛应用于手机终端的收发过滤器或电线分波器等。弹性表面波装置是在由碳酸锂(LiTaO3)形成的压电基板上形成有由铝形成的梳状电极及反射电极，并形成覆盖梳状电极及反射电极的由二氧化硅(SiO2)膜等制成的保护膜。二氧化硅(SiO2)保护膜是用于温度补偿的层。使用SAW具有如下所述的优点。SAW谐振器相比现有体波谐振器Q(Qualityfactor)稍低，但，共振频率高10倍以上(可达到100MHz～2GHzdirectoscillation)。目前，为了处理持续地增加的移动通信的信息量而使用的信号的频率也在增高，从而，需要更加精密的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种弹性表面波谐振器，其特征在于，包括:压电基板；形成于所述压电基板上部面的具有负截面的多个金属结构物；及包裹所述压电基板上部面和所述多个金属结构物的温度补偿薄膜。

【技术特征摘要】
2016.03.09 KR 10-2016-00285351.一种弹性表面波谐振器，其特征在于，包括:压电基板；形成于所述压电基板上部面的具有负截面的多个金属结构物；及包裹所述压电基板上部面和所述多个金属结构物的温度补偿薄膜。2.根据权利要求1所述的弹性表面波谐振器，其特征在于，与所述压电基板上部面接触的所述金属结构物的下部面的宽幅小于所述金属结构物的上部面的宽幅，所述金属结构物的侧面以所述压电基板上部面与所述金属结构物的下部面接触的面为基准为90°以上。3.根据权利要求2所述的弹性表面波谐振器，其特征在于，所述金属结构物侧面以所述压电基板上部面与所述金属结构物下部面接触的面为基准为90°至110°之间。4.根据权利要求1所述的弹性表面波谐振器，其特征在于，所述金属结构物包括Cu。5.根据权利要求4所述的弹性表面波谐振器，其特征在于，所述金属结构物由所述Cu的下部和侧面包含Cr、Ag、Ti、Al、Ni中的一个以上的金属形成。6.根据权利要求1所述的弹性表面波谐振器，其特征在于，所述金属结构物对于节距的金属线宽幅的比率为0.3～0.7。7.根据权利要求1所述的弹性表面波谐振器，其特征在于，所述金属结构物的厚度为周期(λ)的4％～10％。8.根据权利要求1所述的弹性表面波谐振器，其特征在于，所述温度补偿薄膜的厚度为周期(λ)的20％～40％。9.根据权利要求1所述的弹性表面波谐振器，其特征在于，所述温度补偿薄膜包含SiO2、AlN、TeO2中一个以上的材料。10.根据权利要求1所述的弹性表面波谐振器，其特征在于，所述压电基板为鈮酸鋰(LiNbO3)128°基板。11.一种弹性表面波谐振器制造方法，其特征在于，包括如下步骤：在压电基板上蒸镀温度补偿薄...

【专利技术属性】
技术研发人员：李哲和，佐藤隆裕，
申请(专利权)人：天津威盛电子有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR