一种偏置电流产生电路制造技术
Bias current generation circuit
A bias current generating circuit belongs to the field of semiconductor integrated circuit technology. The circuit includes a first PMOS transistor P1, second P2, third PMOS PMOS transistor transistor P3, fourth PMOS P4, the first NMOS transistor transistor N1, second NMOS, third NMOS N2 transistor transistor N3, fourth NMOS, fifth NMOS N5 N4 transistor transistor and the first resistor R1. The invention uses second PMOS transistor P2, third PMOS P3, the first NMOS transistor transistor N1, second NMOS, fourth NMOS N4 N2 transistor transistor, fifth transistor N5 NMOS the transistor formed two current mirror mirror, the drain voltage of the same N4 and N5, greatly reducing the effect on the drain current of fourth NMOS transistor N4 supply voltage, enhance the stability of the bias current.
【技术实现步骤摘要】
一种偏置电流产生电路
本专利技术属于半导体集成电路
，具体涉及一种偏置电流产生电路。
技术介绍
偏置电流是模拟集成电路中的一种重要参考源，是系统中不可缺少的一部分。传统的偏置电流产生电路如图1所示，包括：第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、PMOS晶体管P1、PNP三极管Q1和运算放大器AMP1。PNP三极管Q1的基极和集电极接地，发射极接运算放大器AMP1的负输入端；第三电阻R3一端接地，另一端接运算放大器AMP1的正输入端；第一电阻R1一端接运算放大器AMP1的正输入端，另一端接第二电阻R2的一端和PMOS晶体管P1的漏极；第二电阻R2的的另一端接运算放大器AMP1的负输入端；PMOS晶体管P1的源极接电源，栅极接运算放大器AMP1的输出；运算放大器AMP1的输出也就是电路的输出端PBIAS。该偏置电流产生电路采用闭环负反馈方式实现，具有环路稳定性差的缺点。在很多精度要求高的集成电路模块中，会要求一个稳定性强的偏置电流。传统的偏置电流产生电路已经不能满足高精度系统的要求。
技术实现思路
为解决现有偏置电流产生电路环路稳定性差的技术问题，本专利技术提供了...
【技术保护点】
一种偏置电流产生电路，其特征在于，包括：第一PMOS晶体管P1、第二PMOS晶体管P2、第三PMOS晶体管P3、第四PMOS晶体管P4、第一NMOS晶体管N1、第二NMOS晶体管N2、第三NMOS晶体管N3、第四NMOS晶体管N4、第五NMOS晶体管N5和第一电阻R1；第一PMOS晶体管P1的源极接电源，栅极接第二PMOS晶体管P2的栅极和漏极、第三PMOS晶体管P3和第四PMOS晶体管P4的栅极，漏极接第一电阻R1的一端和第三NMOS晶体管N3的栅极；第一电阻R1的另一端接第三NMOS晶体管N3的漏极和第四NMOS晶体管N4的栅极；第三NMOS晶体管N3的源极接地；第二P...
【技术特征摘要】
1.一种偏置电流产生电路，其特征在于，包括：第一PMOS晶体管P1、第二PMOS晶体管P2、第三PMOS晶体管P3、第四PMOS晶体管P4、第一NMOS晶体管N1、第二NMOS晶体管N2、第三NMOS晶体管N3、第四NMOS晶体管N4、第五NMOS晶体管N5和第一电阻R1；第一PMOS晶体管P1的源极接电源，栅极接第二PMOS晶体管P2的栅极和漏极、第三PMOS晶体管P3和第四PMOS晶体管P4的栅极，漏极接第一电阻R1的一端和第三NMOS晶体管N3的栅极；第一电阻R1的另一端接第三NMOS晶体管N3的漏...
【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长沙方星腾电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南,43
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