The utility model discloses a photosensitive diode dark current cancellation circuit includes a first current source and a second current source, third current source and a fourth current source between coupled to the supply voltage and the ground voltage and reference current; also includes a first operational amplifier, a first MOS transistor, MOS transistor, second operational amplifier second the first MOS transistor and a resistor, and between coupled to the first node and the third node, the first operational amplifier, and the output end is coupled to the gate of the first MOS transistor, the input end is coupled to the third node, the other input end is coupled to the first external reference voltage; the second transistor is coupled to the MOS, between second and fourth nodes, second operational amplifier, the gate output terminal coupled to the second transistor MOS, the input end is coupled to the fourth node, the other input The terminal is coupled with an external second reference voltage; a resistor is coupled between the third node and the fourth node.
【技术实现步骤摘要】
光敏二极管暗电流消除电路
本技术涉及集成电路
,特别涉及一种光敏二极管暗电流消除电路。
技术介绍
光敏二极管又称光电二极管,是一种光电转换器件。目前使用最多的光敏二极管是硅光电二极管,具有四种类型:PN结型、PIN结型、雪崩性和肖特基型,主要用于自动控制,如光耦合、光电读出装置、红外线遥控装置、红外防盗、编码器、译码器等。光敏二极管的伏安特性决定其在无光照时,仍然有很小的漏电流,称为暗电流。暗电流的存在会对使用光敏二极管的电路产生不利影响,因此需要在电路中设置暗电流消除电路,抵消暗电流。目前使用最广泛的光敏二极管暗电流消除电路主要是采用共源共栅结构电流镜来消除暗电流,如图1所示,其中,pbias、pcas、nbias、ncas分别为电流镜产生信号,K1_A/B/C/D为开关信号,同时控制电流方向,I1和I2为电流采集端,当K1_A、K1_B为高时,I2提供电流,I1接收电流;相反时,I1提供电流,I2接收电流。在这种方案中,使用一对电流镜可以消除一个单位电流,并联使用n个,则可以消除n个单位电流,通过设置电流镜组数,例如设置成1\2\4\…2n-2\2n-1,则可通过n组开关实现1-2n之间的电流变化。其缺陷在于:1)采用共源共栅电流镜消除电流的步长不会太小,无法应对光敏二极管暗电流极小的情况;2)当要求高精度的电流量消除时,需要使用大量共源共栅电流镜,电路结构将会非常庞大,在半导体工艺中实现此结构时,会占据很大面积,引入大量寄生效应,同时会产生电流一致性的技术问题;3)采用开关电路,将不可避免引入开关噪声。
技术实现思路
为了解决上述问题,本技术提供一种新 ...
【技术保护点】
一种光敏二极管暗电流消除电路,其特征在于,包括:第一电流源,耦接于电源电压与第一节点之间或者第一节点与接地电压之间,提供第一电流;第二电流源,耦接于电源电压与第二节点之间或者第二节点与接地电压之间,提供第二电流;第三电流源,耦接于第三节点与接地电压之间或者电源电压与第三节点之间,提供第三电流;第四电流源,耦接至第四节点与接地电压之间或者电源电压与第四节点之间,提供第四电流;第一MOS晶体管,耦接于第一节点与第三节点之间,其漏极和源极分别耦接至第一节点和第三节点;第一运算放大器,其输出端耦接至第一MOS晶体管的栅极,其一输入端耦接至第三节点,其另一输入端耦接外部第一参考电压;第二MOS晶体管,耦接于第二节点与第四节点之间,其漏极和源极分别耦接至第二节点和第四节点;第二运算放大器,其输出端耦接至第二MOS晶体管的栅极,其一输入端耦接至第四节点,其另一输入端耦接外部第二参考电压;一电阻,耦接于第三节点与第四节点之间;所述第一MOS晶体管与第二MOS晶体管的类型相同,所述第一电流、第二电流、第三电流和第四电流的电流值相同。
【技术特征摘要】
1.一种光敏二极管暗电流消除电路,其特征在于,包括:第一电流源,耦接于电源电压与第一节点之间或者第一节点与接地电压之间,提供第一电流;第二电流源,耦接于电源电压与第二节点之间或者第二节点与接地电压之间,提供第二电流;第三电流源,耦接于第三节点与接地电压之间或者电源电压与第三节点之间,提供第三电流;第四电流源,耦接至第四节点与接地电压之间或者电源电压与第四节点之间,提供第四电流;第一MOS晶体管,耦接于第一节点与第三节点之间,其漏极和源极分别耦接至第一节点和第三节点;第一运算放大器,其输出端耦接至第一MOS晶体管的栅极,其一输入端耦接至第三节点,其另一输入端耦接外部第一参考电压;第二MOS晶体管,耦接于第二节点与第四节点之间,其漏极和源极分别耦接至第二节点和第四节点;第二运算放大器,其输出端耦接至第二MOS晶体管的栅极,其一输入端耦接至第四节点,其另一输入端耦接外部第二参考电压;一电阻,耦...
【专利技术属性】
技术研发人员:杜凯,赵照,
申请(专利权)人:合肥芯福传感器技术有限公司,
类型:新型
国别省市:安徽,34
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