光敏二极管制造技术

本发明专利技术涉及一种光敏二极管，在一P型衬底中形成有N型阱区，N型阱区的表面设有硅化物层，硅化物层的表面设置有多晶硅层；位于硅化物层左右两侧的N型阱区中分别设置有第一P型有源区和第二P型有源区，第一、第二P型有源区的表面分别设置有第一、第二接触孔，第一接触孔内侧与第二接触孔内侧之间构成感光区；位于第一P型有源区左侧的N型阱区内还设置有第一N型重掺杂区域，位于第二P型有源区右侧的N型阱区内还设置有第二N型重掺杂区域；位于第一N型重掺杂区域的左右两侧的P型衬底中分别设有第三、第四P型重掺杂区域，第一、第二N型重掺杂区域和第三、第四P型重掺杂区域中分别设置有第三、第四、第五、第六接触孔。

【技术实现步骤摘要】
光敏二极管
[0001 ] 本专利技术涉及一种半导体器件结构，尤其涉及一种光敏二极管结构。
技术介绍
光敏二极管(即光敏电阻)是一种对光变化非常敏感的半导体器件，光敏二极管的管芯是一个具有光敏特征的PN结，其具有单向导电性。因此，可以利用光照强弱来改变电路中的电流。光敏二极管也叫光电二极管，其管芯是一个具有光敏特征的PN结。当无光照时，有很小的饱和反向漏电流，即暗电流，此时光敏二极管截止。当受到光照时，饱和反向漏电流大大增加，形成光电流，它随入射光强度的变化而变化。当光线照射PN结时，可以使PN结中产生电子空穴对，使得少数载流子的密度增加。光敏二极管的应用也及其广泛，现有的光敏二极管主要是由Ptap与Ntap构成，并依靠该Ptap与Ntap形成PN结起到光敏二极管的作用，其剖面结构如图1所示，其版图结构(即俯视结构)如图2所示。从图中可以看出，这种光敏二极管版图结构由于其是不对称的，因此并不利于大规模的集成。另外，由于这种结构很明显地区别于其他器件结构，因此在使用时容易被别有用心的人识别并加以利用，导致造成信息的外泄等问题。中国专利(CN101064351A)与中国专利(CN本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光敏二极管，包括：多晶硅层、硅化物层、P型重掺杂区域、N型重掺杂区域、N型阱区、P型衬底和接触孔，其特征在于，所述P型衬底中形成有所述N型阱区，所述N型阱区的表面设有硅化物层，所述硅化物层的表面设置有多晶硅层；位于所述硅化物层左侧的N型阱区内设置有第一P型有源区，位于所述硅化物层右侧的N型阱区内设置有第二P型有源区，所述第一P型有源区和所述第二P型有源区通过所述硅化物层隔开；所述第一P型有源区的表面设置有第一接触孔，所述第二P型有源区的表面设置有第二接触孔，所述第一接触孔内侧与所述第二接触孔内侧之间构成感光区；位于所述第一P型有源区左侧的N型阱区内还设置有第一N型重掺杂区域，位于所述第二P...

【技术特征摘要】
1.一种光敏二极管，包括:多晶硅层、硅化物层、P型重掺杂区域、N型重掺杂区域、N型阱区、P型衬底和接触孔，其特征在于，所述P型衬底中形成有所述N型阱区，所述N型阱区的表面设有娃化物层，所述娃化物层的表面设置有多晶娃层； 位于所述硅化物层左侧的N型阱区内设置有第一 P型有源区，位于所述硅化物层右侧的N型阱区内设置有第二 P型有源区，所述第一 P型有源区和所述第二 P型有源区通过所述硅化物层隔开； 所述第一 P型有源区的表面设置有第一接触孔，所述第二 P型有源区的表面设置有第二接触孔，所述第一接触孔内侧与所述第二接触孔内侧之间构成感光区； 位于所述第一 P型有源区左侧的N型阱区内还设置有第一 N型重掺杂区域，位于所述第二 P型有源区右侧的N型阱区内还设置有第二 N型重掺杂区域； 所述第一 N型重掺杂区域的表面设置有第三接触孔，所述第二 N型重掺杂区域的表面设置有第四接触孔； 位于所述第一 N型重掺杂区域左侧的P型衬底中设置有第三P型重掺杂区域，位于所述第二 N型重掺杂区域右侧的P型衬底中设置有第四P型重掺杂区域； 所述第三P型重掺杂区域的表面设置有第五接触孔，所述第四P型重掺杂区域的表面设置有第六接触孔。2...

【专利技术属性】
技术研发人员：张宁，王本艳，刘小玲，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：