一种发光二极管的晶元测试方法和晶元测试系统技术方案

本发明专利技术公开了一种发光二极管的晶元测试方法和晶元测试系统，属于光电子技术领域。该晶元测试方法包括对同一片待测试晶元上的LED芯片进行抽样测试，得到抽样测试结果；将抽样测试结果分别与对应的多种光电参数的预设标准进行比较，以得到未达标光电参数；对同一片待测试晶元上的每个LED芯片进行未达标光电参数的逐一测试。由于在进行逐一测试的过程中，有部分光电参数不再进行测试，从而可以减少测试的项目，提高测试的效率，同时由于已经进行了抽样测试，因此可以确保在逐一测试中未进行测试的光电参数也满足工艺的要求。

A light emitting diode wafer test method and wafer testing system

The invention discloses a light emitting diode wafer test method and wafer test system, which belongs to the technical field of optoelectronics. The wafer test methods include sampling and testing of the same piece of the LED chip test chip, by sampling test results; sampling test results were the default standard with a variety of photoelectric parameters corresponding to the comparison, in order to get did not meet the photoelectric parameters of the same patch; to test each LED chip die one by one the test did not meet the photoelectric parameters. In the course of one by one test, some photoelectric parameters no longer test, which can reduce the test project, improve the testing efficiency, at the same time as has been carried out sampling test, thus ensuring that the photoelectric parameters not tested in one by one test also meet the technical requirements.

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管的晶元测试方法和晶元测试系统
本专利技术涉及光电子
，特别涉及一种发光二极管的晶元测试方法和晶元测试系统。
技术介绍
发光二极管(英文：LightEmittingDiode，简称：LED)作为光电子产业中极具影响力的新产品，具有体积小、使用寿命长、颜色丰富多彩、能耗低等特点，广泛应用于照明、显示屏、信号灯、背光源、玩具等领域。LED的核心结构是LED芯片，LED芯片的制作主要包括外延片的生长、芯片制造和晶元的分割，在完成晶元的分割后，就可以得到单个的LED芯片。LED芯片在制作完成后需要进行多种光电参数的测试，只有在测试合格后才能符合市场的需要。随着近几年市场对LED的需求量急剧增加，对LED的生产效率提出了更高要求。在对LED芯片进行测试的过程中，如果逐一对晶元上的每一个LED芯片进行所有光电参数的测试，就会大大降低测试的效率，从而降低生产效率，而如果减少测试的光电参数数量或是LED芯片的数量，则无法确保未测试的光电参数满足预设标准，且也无法确保未进行测试的LED芯片合格，从而降低了LED的品质。
技术实现思路
为了解决现有LED的晶元测试无法兼顾效率和品质的问题，本专利技术实施例提供了一种发光二极管的晶元测试方法和晶元测试系统。所述技术方案如下：一方面，本专利技术实施例提供了一种发光二极管的晶元测试方法，其特征在于，所述晶元测试方法包括：对同一片所述待测试晶元上的所述LED芯片进行抽样测试，得到抽样测试结果，所述抽样测试结果包括多种光电参数的测试结果；将所述抽样测试结果分别与对应的多种光电参数的预设标准进行比较，以得到未达标光电参数；对同一片所述待测试晶元上的每个所述LED芯片进行所述未达标光电参数的逐一测试，根据所述未达标光电参数的测试结果确定每个LED芯片是否合格。优选地，所述多种光电参数包括抗静电电压、开启电压、工作电压、电压暂态峰值与稳定值之差、漏电流、反向击穿电压、亮度、主值波长、峰值波长、半波长、CIE色度x坐标和CIE色度y坐标中的多种。优选地，所述抽样测试结果为所述多种光电参数中的任一种的良率或所述多种光电参数中的任一种的平均值。进一步地，所述抽样测试的样本均匀分布于所述待测试晶元上。优选地，所述抽样测试的样本总数不小于同一片所述待测试晶元上的所述LED芯片的总数的1％，且不大于同一片所述待测试晶元上的所述LED芯片的总数的10％。另一方面，本专利技术实施例提供了一种发光二极管的晶元测试系统，所述晶元测试系统包括：第一测试单元，用于对同一片所述待测试晶元上的所述LED芯片进行抽样测试，得到抽样测试结果，所述抽样测试结果包括多种光电参数的测试结果；处理单元，用于将所述抽样测试结果分别与对应的多种光电参数的预设标准进行比较，以得到未达标光电参数；第二测试单元，用于对同一片所述待测试晶元上的每个所述LED芯片进行所述未达标光电参数的逐一测试，根据所述未达标光电参数的测试结果确定每个LED芯片是否合格。优选地，所述多种光电参数包括抗静电电压、开启电压、工作电压、电压暂态峰值与稳定值之差、漏电流、反向击穿电压、亮度、主值波长、峰值波长、半波长、CIE色度x坐标和CIE色度y坐标中的多种。优选地，所述抽样测试结果为所述多种光电参数中的任一种的良率或所述多种光电参数中的任一种的平均值。进一步地，作为样本的所述LED芯片均匀分布于所述待测试晶元上。优选地，所述抽样测试的样本总数不小于同一片所述待测试晶元上的所述LED芯片的总数的1％，且不大于10％。本专利技术实施例提供的技术方案带来的有益效果是：通过对同一片待测试晶元上的LED芯片进行抽样测试，并将抽样测试结果分别与对应的多种光电参数的预设标准进行比较，从而得到未达标光电参数，在后续对所有的LED芯片进行逐一测试时，则只逐一测试未达标光电参数，由于在进行逐一测试的过程中，有部分光电参数不再进行测试，从而可以减少测试的项目，提高测试的效率，同时由于已经进行了抽样测试，因此可以确保在逐一测试中未进行测试的光电参数也满足工艺的要求。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术实施例提供的一种发光二极管的晶元测试方法的流程图；图2是本专利技术实施例提供的另一种发光二极管的晶元测试方法的流程图；图3是本专利技术实施例提供的一种发光二极管的正向电压变化示意图；图4是本专利技术实施例提供的一种发光二极管的晶元测试系统的示意图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术实施方式作进一步地详细描述。图1是本专利技术实施例提供的一种发光二极管的晶元测试方法的流程图，如图1所示，该测试方法包括：S11：进行抽样测试。具体地，对同一片待测试晶元上的LED芯片进行抽样测试，得到抽样测试结果，其中，抽样测试结果包括多种光电参数的测试结果。S12：获取未达标光电参数。具体地，将抽样测试结果分别与对应的多种光电参数的预设标准进行比较，以得到未达标光电参数。S13：进行逐一测试。具体地，对同一片待测试晶元上的每个LED芯片进行未达标光电参数的逐一测试，根据未达标光电参数的测试结果确定每个LED芯片是否合格。若抽样测试中有多种光电参数未达标，则在进行逐一测试时，需要将未达标的每一种光电参数都进行测试。通过对同一片待测试晶元上的LED芯片进行抽样测试，并将抽样测试结果分别与对应的多种光电参数的预设标准进行比较，从而得到未达标光电参数，在后续对所有的LED芯片进行逐一测试时，则只逐一测试未达标光电参数，由于在进行逐一测试的过程中，有部分光电参数不再进行测试，从而可以减少测试的项目，提高测试的效率，同时由于已经进行了抽样测试，因此可以确保在逐一测试中未进行测试的光电参数也满足工艺的要求。图2是本专利技术实施例提供的另一种发光二极管的晶元测试方法的流程图，如图2所示，该测试方法包括：S21：选取抽样测试的样本。具体地，从待测试晶元上的所有LED芯片中选取一定数量的LED芯片作为抽样测试的样本。优选地，抽样测试的样本总数不小于同一片待测试晶元上的LED芯片的总数的1％，且不大于同一片待测试晶元上的LED芯片的总数的10％。若样本总数太小，则会导致抽样测试的误差过大，降低测试的准确性，若样本总数太大，虽然可以提高测试的准确性，但是会延长测试的时间，导致测试的效率降低。抽样测试的样本均匀分布于待测试晶元，避免大量的样本集中于某一区域，以降低制作过程中，LED芯片的位置分布对光电参数的影响。S22：对样本进行逐一测试。具体地，对同一片待测试晶元上的LED芯片进行抽样测试，以得到抽样测试结果，其中抽样测试结果包括多种光电参数的测试结果。优选地，多种光电参数可以包括抗静电电压、开启电压、工作电压、电压暂态峰值与稳定值之差、漏电流、反向击穿电压、亮度、主值波长、峰值波长、半波长、CIE(法文：CommissionInternationaledeL'Eclairage，中文：国际照明委员会)色度x坐标和CIE色度y坐标中的多种。这些均为LED测试过程中所常进行测试的光电参数本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管的晶元测试方法，其特征在于，所述晶元测试方法包括：对同一片待测试晶元上的所述LED芯片进行抽样测试，得到抽样测试结果，所述抽样测试结果包括多种光电参数的测试结果；将所述抽样测试结果分别与对应的多种光电参数的预设标准进行比较，以得到未达标光电参数；对同一片所述待测试晶元上的每个所述LED芯片进行所述未达标光电参数的逐一测试，根据所述未达标光电参数的测试结果确定每个LED芯片是否合格。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管的晶元测试方法，其特征在于，所述晶元测试方法包括：对同一片待测试晶元上的所述LED芯片进行抽样测试，得到抽样测试结果，所述抽样测试结果包括多种光电参数的测试结果；将所述抽样测试结果分别与对应的多种光电参数的预设标准进行比较，以得到未达标光电参数；对同一片所述待测试晶元上的每个所述LED芯片进行所述未达标光电参数的逐一测试，根据所述未达标光电参数的测试结果确定每个LED芯片是否合格。2.根据权利要求1所述的晶元测试方法，其特征在于，所述多种光电参数包括抗静电电压、开启电压、工作电压、电压暂态峰值与稳定值之差、漏电流、反向击穿电压、亮度、主值波长、峰值波长、半波长、CIE色度x坐标和CIE色度y坐标中的多种。3.根据权利要求1所述的晶元测试方法，其特征在于，所述抽样测试结果为所述多种光电参数中的任一种的良率或所述多种光电参数中的任一种的平均值。4.根据权利要求1～3任一项所述的晶元测试方法，其特征在于，所述抽样测试的样本均匀分布于所述待测试晶元上。5.根据权利要求1～3任一项所述的晶元测试方法，其特征在于，所述抽样测试的样本总数不小于同一片所述待测试晶元上的所述LED芯片的总数的1％，且不大于同一片所述待测试晶元上的所述LED芯片的总数的10％。6.一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：喻海波，叶青贤，向光胜，陈建南，周高明，
申请(专利权)人：华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33