The utility model discloses a device for preventing thin wafer in chemical plating process in adhesion, including at least a plating bath for small and thin wafer placed material, also includes a wafer box, wherein the wafer box placed vertically in the plating tank; setting the material to tilt to small the large wafer box in the angle between the small and the large wafer box material is 20 32 degrees; the small wafer box through the positioning device fixed on the large wafer box inside. The utility model has the advantages of low cost, simple process flow, high production efficiency, reliable product quality, and prevention of wafer adhesion.
【技术实现步骤摘要】
防止薄片晶圆在化学电镀工艺中粘连的装置
本技术涉及半导体封装
,尤其涉及一种防止薄片晶圆在化学电镀工艺中粘连的装置。
技术介绍
随着半导体产品的尺寸向轻、薄、短小的方向的发展,倒装芯片封装技术(FlipChip)越来越受到重视。倒装芯片封装技术的关键工艺是先在I/O金属垫上制作一金属层,即凸点下金属(UBM,underbumpingmetallization),该凸点下金属层提供可焊锡界面,扩散阻挡层,保护金属I/O铝或铜,均匀电流分布,其质量直接影响到整个芯片的性能和可靠性。目前90%以上的半导体器件通过薄膜真空溅射工艺制作UBM,但成本高,工艺复杂,需要昂贵的光罩和蚀刻工艺。而化学电镀可以同时成批量地在半导体晶圆I/O金属垫上制作UBM,其UBM的材料为化学镍/金或化学镍/钯/金,工艺成本低,工艺流程简单,可靠性高。根据化学电镀工艺的要求,如图1所示,晶圆在电镀槽中保持垂直状态。特氟龙晶圆盒内的槽距一般为3mm,通常未经减薄的晶圆2的厚度为600~700um,每个晶圆盒2每次可满载生产25片晶圆2。但是,由于晶圆2的厚度极薄,放入晶圆盒内的槽1中后,由于槽1与槽1之间的间隙较大,晶圆2容易在槽1内移动,同时,由于晶圆2存在一定程度的翘曲,相邻两片3晶圆容易接触在一起3,在中间水溶液的表面张力的作用下接触在一起的两片薄片晶圆非常容易粘在一起,影响产品的质量。为了解决晶圆粘附的问题,目前常用的方式是在两薄片晶圆之间留一个空槽,按照这种方式,每个晶圆盒内最多只能防止13片晶圆片,每个单位周期最多只能生产26片晶圆,极大地限制了化学电镀工艺生产线的产能, ...
【技术保护点】
一种防止薄片晶圆在化学电镀工艺中粘连的装置,至少包括电镀槽和用于放置薄片晶圆的小晶圆盒,其特征在于,还包括一大晶圆盒,所述大晶圆盒垂直放置于所述电镀槽内;所述小晶圆盒以倾斜方式固定设置于所述大晶圆盒内,所述小晶圆盒与所述大晶圆盒之间的倾角为20‑32°;所述小晶圆盒通过定位装置固定设置于所述大晶圆盒内。
【技术特征摘要】
1.一种防止薄片晶圆在化学电镀工艺中粘连的装置,至少包括电镀槽和用于放置薄片晶圆的小晶圆盒,其特征在于,还包括一大晶圆盒,所述大晶圆盒垂直放置于所述电镀槽内;所述小晶圆盒以倾斜方式固定设置于所述大晶圆盒内,所述小晶圆盒与所述大晶圆盒之间的倾角为20-32°;所述小晶圆盒通过定位装置固定设置于所述大晶圆盒内。2.如权利要求1所述的防止薄片晶圆在化学...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘勇,李德藻,程彦敏,
申请(专利权)人:上海纪元微科电子有限公司,
类型:新型
国别省市:上海,31
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