一种高密度超小型厚膜晶片电阻及其制造方法技术

技术编号:16176851 阅读:46 留言:0更新日期:2017-09-09 04:12
本发明专利技术公开了一种高密度超小型厚膜晶片电阻及其制造方法,电阻包括陶瓷基板,陶瓷基板的背面两长侧边设置有折条线,陶瓷基板的正面两短侧边设置有折粒线,折条线和折粒线在空间内相垂直设置,陶瓷基板的背面印刷有背面电极,陶瓷基板的正面上折粒线的内侧对称印刷有第一正面电极,两片第一正面电极之间印刷有电阻阻体,电阻阻体的上表面设置有第一保护层,电阻阻体及第一保护层上设置有镭切线,两片第一正面电极的上表面还设置有第二正面电极,镭切线的上表面设置有第二保护层,位于第一正面电极两侧的陶瓷基板的两侧面分别设置有侧面电极。本发明专利技术结构简单,使用方便,具有高密度、超小尺寸,且较低的制作成本,具有良好的应用前景。

【技术实现步骤摘要】
一种高密度超小型厚膜晶片电阻及其制造方法
本专利技术涉及电子元器件
,具体涉及一种高密度超小型厚膜晶片电阻及其制造方法。
技术介绍
随着科技的进步,时代的发展及人们对各类电子产品的要求不断提升,近年来,消费者对超小型、高性能、多功能、便携性及可穿戴式电子产品的不断需求,促使各类电子产品趋向于“轻”、“薄”、“短”、“小”的方向飞速发展,从而使得高密度超小型厚膜晶片电阻(型号为01005)得以推广应用。目前,高密度超小型厚膜晶片电阻的应用越来越广,给设备和工艺带来了挑战,因为高密度超小型厚膜晶片电阻对各种变数更加敏感,细小的变化可能导致非常显著的影响,只有材料、机器、工艺、人员和环境完美的结合才能获得稳健组装工艺和高质量的高密度超小型厚膜晶片电阻。现有技术中的高密度超小型厚膜晶片电阻,在制作过程中,制作精度低,生产材料的利用率低,制作成本较高,且废料会对环境存在影响,如何克服上述的问题,是当前急需解决的。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服现有的高密度超小型厚膜晶片电阻,制作精度低,生产材料的利用率低,制作成本较高,且废料会对环境存在影响的问题。本专利技术的高密度超小型厚膜晶片电阻本文档来自技高网...
一种高密度超小型厚膜晶片电阻及其制造方法

【技术保护点】
一种高密度超小型厚膜晶片电阻,其特征在于:包括陶瓷基板(01),所述陶瓷基板(01)的背面两长侧边设置有折条线(02),所述陶瓷基板(01)的正面两短侧边设置有折粒线(03),所述折条线(02)和折粒线(03)在空间内相垂直设置,所述陶瓷基板(01)的背面印刷有背面电极(04),所述陶瓷基板(01)的正面上折粒线(03)的内侧对称印刷有第一正面电极(05),两片第一正面电极(05)之间印刷有电阻阻体(06),所述电阻阻体(06)的上表面设置有第一保护层(07),所述电阻阻体(06)及第一保护层(07)上设置有镭切线(08), 两片第一正面电极(05)的上表面还设置有第二正面电极(09),所述第...

【技术特征摘要】
1.一种高密度超小型厚膜晶片电阻,其特征在于:包括陶瓷基板(01),所述陶瓷基板(01)的背面两长侧边设置有折条线(02),所述陶瓷基板(01)的正面两短侧边设置有折粒线(03),所述折条线(02)和折粒线(03)在空间内相垂直设置,所述陶瓷基板(01)的背面印刷有背面电极(04),所述陶瓷基板(01)的正面上折粒线(03)的内侧对称印刷有第一正面电极(05),两片第一正面电极(05)之间印刷有电阻阻体(06),所述电阻阻体(06)的上表面设置有第一保护层(07),所述电阻阻体(06)及第一保护层(07)上设置有镭切线(08),两片第一正面电极(05)的上表面还设置有第二正面电极(09),所述第二正面电极(09)用于保护对应的第一正面电极(05),所述镭切线(08)的上表面设置有第二保护层(10)且覆盖在第一保护层(07)上,位于第一正面电极(05)两侧的陶瓷基板(01)的两侧面分别设置有侧面电极(11),用于将第一正面电极(05)与背面电极(04)导通。2.根据权利要求1所述的一种高密度超小型厚膜晶片电阻,其特征在于:所述陶瓷基板(01)采用氧化铝材质制成。3.根据权利要求1所述的一种高密度超小型厚膜晶片电阻,其特征在于:所述背面电极(04)、第一正面电极(05)和侧面电极(11)的表面均镀有镍层(12),所述镍层(12)的外表面镀有锡层(13)。4.根据权利要求1所述的一种高密度超小型厚膜晶片电阻,其特征在于:所述第一正面电极(05)采用银钯材料制成,所述第二正面电极(09)采用树脂银材料制成。5.根据权利要求3所述的一种高密度超小型厚膜晶片电阻,其特征在于:所述镍层(15)的厚度为4-15μm。6.根据权利要求3所述的一种高密度超小型厚膜晶片电阻,其特征在于:所述锡层(16)的厚度为5-15μm。7.根据权利要求1所述的一种高密度超小型厚膜晶片电阻,其特征在于:所述电阻阻体(06)的印刷图形面积为0.020mm2-0.024mm2。8.一种高密度超小型厚膜晶片电阻的制造方法,其特征在于:包括以下步骤:步骤(1),以氧化铝为材质制作陶瓷基板体,在陶瓷基板的背面采用激光镭射切割方式刻置将其等分的多条折条线(02),在陶瓷基板的正面采用激光镭射切割方式刻置将其等分的多条折粒线(03),折条线(02)和折粒线(03)在空间内相垂直设置,将陶瓷基板体划分为若干份陶瓷基板(01);步骤(2),将刻置有折条线(02)、折粒线(03)的陶瓷基板体通过超声波仪器进行清洗;步骤(3),在陶瓷基板体的背面通过丝网厚膜印刷方式印刷涂覆银浆料,并进行烧结,从而在陶瓷基板体的各陶瓷基板(01)的背面形成背面电极(04);步骤(4),在陶瓷基板体的各陶瓷基板(01)的正面上...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄正信刘复强陈庆良魏效振
申请(专利权)人:丽智电子昆山有限公司
类型:发明
国别省市:江苏,32

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