一种热原子层沉积技术生长GeTe合金薄膜的方法技术

本发明专利技术公开了一种热原子层沉积技术生长GeTe合金薄膜的方法，属于半导体制备技术领域。本发明专利技术采用了具有式I结构的Ge源和具有式Ⅱ结构的Te源，将其应用在热原子层沉积技术(T‑ALD)中，使得能够在纳米级的半导体器件上沉积形成保型性较好的GeTe沉积层。并且，采用本发明专利技术中的方法制得的沉积态GeTe合金薄膜的电阻更高即纯度更高。本发明专利技术制得的GeTe合金薄膜的电阻在1.4～4*10

Method for growing GeTe alloy film by hot atomic layer deposition technique

The invention discloses a method for growing an GeTe alloy film by using a hot atom layer deposition technique, belonging to the technical field of semiconductor preparation. The invention adopts the I structure of the Ge source and type II structure of the Te source, and its application in thermal atomic layer deposition (T ALD), which can be deposited in nanoscale semiconductor devices on the conformal GeTe deposition layer well. Moreover, the deposited GeTe alloy film prepared by the method according to the invention has higher resistance, i.e., higher purity. The resistance of the GeTe alloy film prepared by the invention is between 1.4 and 4*10

【技术实现步骤摘要】
一种热原子层沉积技术生长GeTe合金薄膜的方法
本专利技术涉及一种热原子层沉积技术生长GeTe合金薄膜的方法，属于半导体制备

技术介绍
随着科技的进步，半导体技术得到快速的发展，其中微电子器件中的存储器的类型及制作工艺技术随之发生了变革。相变存储器(PCRAM)融合了动态随机存储器(DRAM)的高容量、低成本及静态随机存储器(SRAM)的高速度、低电压、低功耗等优势，成为国际上公认的下一代的信息存储器。相变材料的核心组成为硫属合金薄膜，其中Ge-Sb-Te三元体系中的GeSbTe225薄膜以最为优良的综合性能倍受青睐。尤其是GeTe合金薄膜的制备是半导体存储器行业中的关键技术。在已公开的专利中，相较于PVD、CVD技术，ALD技术具有明显优势，制得的相变材料薄膜的保型性较好，但是仍然存在沉积过程中源之间化学反应活性低、杂元素污染薄膜及工艺条件苛刻等问题。ALD原理依赖于交替的脉冲，将前驱体蒸汽分别传送到反应室中基质材料的表面，随后发生化学吸附和界面反应的过程。在前驱体蒸汽以脉冲的形式进入沉积室后，用惰性气体对沉积室进行清洗净化，以此循环，进而根据循环次数控制所沉积薄膜的厚度本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种热原子沉积技术生长GeTe合金薄膜的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：A)将衬底置于反应腔中，在真空条件下，以脉冲形式向反应腔中通入气相Ge源进行沉积，得到沉积有Ge源的衬底，所述Ge源包括具有式I所示结构的化合物；B)将气相还原剂以脉冲形式通入反应腔，对沉积在衬底上的Ge源进行还原得到中间物质；C)以脉冲的形式向反应腔中通入气相Te源，与沉积在衬底上的中间物质进行反应得到GeTe合金薄膜的衬底；其中所述Ge源为具有式I所示结构的化合物；

【技术特征摘要】
1.一种热原子沉积技术生长GeTe合金薄膜的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：A)将衬底置于反应腔中，在真空条件下，以脉冲形式向反应腔中通入气相Ge源进行沉积，得到沉积有Ge源的衬底，所述Ge源包括具有式I所示结构的化合物；B)将气相还原剂以脉冲形式通入反应腔，对沉积在衬底上的Ge源进行还原得到中间物质；C)以脉冲的形式向反应腔中通入气相Te源，与沉积在衬底上的中间物质进行反应得到GeTe合金薄膜的衬底；其中所述Ge源为具有式I所示结构的化合物；其中R1表示氢原子、C1～C6烷基、C2～C5链烯，R2，R5表示氢原子、C1～C6烷基、C2～C5链烯基、C6～C10芳基或-Si(R6)3，R3，R4表示-Si(R6)3，其中R6为C1～C6烷基；R1，R2，R5相同或相异，R3，R4相同或相异。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述Te源为具有式Ⅱ所示结构的化合物：其中R7，R8为C1～C6烷基，R7，R8相同或相异。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤B)中气相还原剂包括H2、NH3、B2H6、单烷基硼烷、氨基硼烷、醇类、肼类、烷基铝、氨基铝烷类、烷基锌中的一种或几种。4.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁玉强，杜树雷，杜立永，
申请(专利权)人：江南大学，
类型：发明
国别省市：江苏,32