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本发明公开了一种热原子层沉积技术生长GeTe合金薄膜的方法，属于半导体制备技术领域。本发明采用了具有式I结构的Ge源和具有式Ⅱ结构的Te源，将其应用在热原子层沉积技术(T‑ALD)中，使得能够在纳米级的半导体器件上沉积形成保型性较好的GeT...
该专利属于江南大学所有，仅供学习研究参考，未经过江南大学授权不得商用。

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