陶瓷结构体、其制法及半导体制造装置用部件制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种陶瓷结构体、其制法及半导体制造装置用部件。陶瓷结构体(10)在圆盘状的AlN陶瓷基体(12)的内部内置有加热电极(14)。加热电极(14)是使主成分WC中含有与AlN相比电阻率低且热膨胀系数高的金属填料(例如Ru、RuAl)而得到的。AlN陶瓷基体(12)与加热电极(14)在40～1000℃下的热膨胀系数的差值的绝对值|ΔCTE|为0.35ppm/℃以下。

【技术实现步骤摘要】
陶瓷结构体、其制法及半导体制造装置用部件
本专利技术涉及陶瓷结构体、其制法及半导体制造装置用部件。
技术介绍
在对硅基板、玻璃基板、各种单晶基板等板状的材料进行精密加工、制造半导体等元件、器件时，多数使用附带有加热功能的半导体制造装置用部件。作为该半导体制造装置用部件，专利文献1中公开了在AlN陶瓷基体中内置有加热电极的半导体制造装置用部件。该专利文献1中公开：作为加热电极，使用包含碳化钨(WC)的导电糊的烧结物，如果加热电极中包含约5重量％～约30重量％的陶瓷材料，则加热电极与AlN陶瓷基体的热膨胀系数相接近，故优选。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特许第5032444号公报
技术实现思路
但是，如果使用含有AlN陶瓷的WC作为加热电极的材料，则由于加热电极与AlN陶瓷基体的热膨胀系数相接近，所以，虽然能够使得在烧结时不易产生裂纹、开裂，但是存在以下问题。即，使用含有AlN陶瓷的WC作为加热电极的材料的情况下，由于AlN为绝缘体，所以与不含AlN陶瓷的WC相比，加热电极的电阻率提高，即使施加相同的电压，发热量也会减小。本专利技术是用于解决以上的课题，其主要目的是提供一种在AlN陶瓷本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种陶瓷结构体，其是在AlN陶瓷基体的表面或内部包含加热电极的陶瓷结构体，其中，所述加热电极是在主成分WC中含有金属填料的加热电极，所述金属填料与AlN相比，电阻率低且热膨胀系数高，所述AlN陶瓷基体与所述加热电极在40～1000℃下的热膨胀系数的差值的绝对值为0.35ppm/℃以下。

【技术特征摘要】
2016.02.29 JP 2016-0376581.一种陶瓷结构体，其是在AlN陶瓷基体的表面或内部包含加热电极的陶瓷结构体，其中，所述加热电极是在主成分WC中含有金属填料的加热电极，所述金属填料与AlN相比，电阻率低且热膨胀系数高，所述AlN陶瓷基体与所述加热电极在40～1000℃下的热膨胀系数的差值的绝对值为0.35ppm/℃以下。2.根据权利要求1所述的陶瓷结构体，其中，所述金属填料为Ru或Ru合金。3.根据权利要求1或2所述的陶瓷结构体，其中，所述金属填料为RuAl。4.根据权利要求1～3中的任一项所述的陶瓷结构体，其中，所述加热电极在室温下的电阻率为3.0...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿闭恭平，西村升，胜田祐司，
申请(专利权)人：日本碍子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP