具有特定孔径分布的沉淀硅石制造技术

本发明专利技术涉及沉淀硅石，所述沉淀硅石具有特别宽的孔径分布的孔隙，其孔径小于孔体积分布函数的导数的最大值的孔径。本发明专利技术还涉及所述沉淀硅石的生产方法和用途。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
沉淀硅石，其特征在于以下物理化学参数：孔径分布的相对宽度γ４．０－１０．０（ｇｎｍ）／ｍｌ，Ｓｅａｒｓ值Ｖ↓［２］２８－４０ｍｌ／（５ｇ），Ｓｅａｒｓ值Ｖ↓［２］／ＣＴＡＢ比率０．１８－０．２８ｍｌ／（５ｍ↑［２］），ＣＴＡＢ１００－２００ｍ↑［２］／ｇ。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：O施滕策尔，A布卢姆，HD卢金斯兰德，R施莫尔，H托马，S乌尔兰德特，A韦迈尔，
申请(专利权)人：赢创德固赛有限责任公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]