增加相变存储器元件的电热隔离的电极配置及相关联技术制造技术

本公开的实施例描述了增加相变存储器元件的电热隔离的电极配置及相关联的技术。在实施例中，一种装置包括多个相变存储器(PCM)元件，其中，多个PCM元件中的个体PCM元件包括：相变材料层；第一电极层，其被设置在所述相变材料层上并且与所述相变材料层直接接触；以及第二电极层，其被设置在所述第一电极层上并且与所述第一电极层直接接触。可以描述和/或请求保护保护其它实施例。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】增加相变存储器元件的电热隔离的电极配置及相关联技术相关申请的交叉引用本申请要求享有于2014年11月24日提交的，题为“ELECTRODECONFIGURATIONSTOINCREASEELECTRO-THERMALISOLATIONOFPHASE-CHANGEMEMORYELEMENTSANDASSOCIATEDTECHNIQUES”的美国申请No.14/552205的优先权，其全部内容为所有目的通过引用并入本文。
本公开的实施例总体涉及集成电路领域，并且更具体地涉及增加相变存储器元件的电热隔离的电极配置及相关联的技术。
技术介绍
相变存储器(PCM)技术(例如，多堆栈交叉点PCM)是其它非易失性存储器(NVM)技术的有前途的备选。存在增加相变存储器元件的电热隔离的连续驱动，以便优化PCM操作，例如包括，阈值电压(VT)对电流(I)特性VT-I的编程电流和形状。附图说明通过后续结合附图的详细描述可以容易地理解实施例。为了便于该说明，相似的附图标记指定相似的结构元件。实施例在附图中通过范例示出而非限制于附图的图中。图1示意性图示了根据一些实施例的晶片形式和单一化形式的范例管芯的顶视图本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种装置，包括：多个相变存储器(PCM)元件，其中，所述多个PCM元件中的个体PCM元件包括：相变材料层；第一电极层，其被设置在所述相变材料层上并且与所述相变材料层直接接触；以及第二电极层，其被设置在所述第一电极层上并且与所述第一电极层直接接触。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.11.24 US 14/552,2051.一种装置，包括：多个相变存储器(PCM)元件，其中，所述多个PCM元件中的个体PCM元件包括：相变材料层；第一电极层，其被设置在所述相变材料层上并且与所述相变材料层直接接触；以及第二电极层，其被设置在所述第一电极层上并且与所述第一电极层直接接触。2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述多个PCM元件中的所述个体PCM元件还包括：位线，其被设置在所述第二电极层上并且与所述第二电极层直接接触。3.根据权利要求2所述的装置，其中：所述多个PCM元件中的所述个体PCM元件由电绝缘柱分离；并且所述第二电极层的材料被设置在所述位线与所述电绝缘柱之间。4.根据权利要求3所述的装置，其中：所述第一电极层的材料被设置在所述电绝缘柱的邻近柱之间。5.根据权利要求2-4中的任一项所述的装置，其中，所述多个PCM元件中的所述个体PCM元件还包括：字线；选择设备层；第三电极层，其被设置在所述选择设备层与所述相变材料层之间；以及第四电极层，其被设置在所述字线与所述选择设备层之间。6.根据权利要求2-4中的任一项所述的装置，还包括：多个通孔，其被设置在与所述个体PCM元件在相同平面中的解码区域中，其中，所述第二电极层被设置在所述位线与所述多个通孔中的通孔之间。7.根据权利要求1-4中的任一项所述的装置，其中：所述第一电极层和第二电极层具有不同的化学成分；并且所述第一电极层和第二电极层的具有从1毫欧·厘米(mOhm·cm)到100mOhm·cm的电阻率。8.根据权利要求1-4中的任一项所述的装置，其中，所述第二电极层被配置为充当用于位线定义的蚀刻停止层。9.一种方法，包括：提供衬底；并且在所述衬底上形成多个相变存储器(PCM)元件，其中，所述多个PCM元件中的个体PCM元件包括：相变材料层；第一顶电极层，其被设置在所述相变材料层上并且与所述相变材料层直接接触；以及第二顶电极层，其被设置在所述第一顶电极层上并且与所述第一顶电极层直接接触。10.根据权利要求9所述的方法，其中，形成所述多个PCM元件包...

【专利技术属性】
技术研发人员：F·佩利泽尔，G·阿尔比尼，S·W·拉塞尔，M·F·海因曼，S·兰格恩，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国,US