具有多种类型的薄膜晶体管的显示器背板制造技术
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有多种类型的薄膜晶体管的显示器背板
本专利技术总体涉及一种显示装置，尤其涉及一种显示装置的薄膜晶体管(TFT)阵列。相关技术的描述平板显示器(FPD)用在诸如移动电话、平板、笔记本电脑之类的各种电子装置以及电视和监视器中。FPD的示例包括液晶显示器(LCD)、等离子体显示面板(PDP)、有机发光二极管(OLED)显示器以及电泳显示器(EPD)。FPD的像素以矩阵形式布置并且被像素电路阵列控制。提供用于控制像素电路阵列的信号的一些驱动电路由位于与像素电路阵列相同的基板上的薄膜晶体管(TFT)实现。上面形成有像素电路和驱动电路的基板称为TFT背板。由于TFT背板起用于控制流到每个单独像素的电流的一系列开关的作用，所以TFT背板是FPD的重要部分。目前为止，存在两种主要的TFT背板技术，一种使用具有非晶硅(a-Si)有源层的TFT，另一种使用具有多晶硅(poly-Si)有源层的TFT。一般来说，通过使用非晶硅TFT制备TFT背板比用另一种TFT制作TFT背板更便宜和容易。然而，a-SiTFT具有较低的载流子迁移率，因而用a-SiTFT制作用于显示器的高速背板是比较...
【技术保护点】
一种设备，包括：限定有第一区域和第二区域的基板；设置在所述第一区域中的低温多晶硅(LTPS)层；设置在所述第一区域中的LTPS层上的第一绝缘层；设置在所述第一区域和所述第二区域中的金属氧化物层，所述第一区域中的金属氧化物层设置在所述第一绝缘层上；设置在所述第一区域和所述第二区域中的第二绝缘层，所述第一区域中的第二绝缘层具有用于暴露下方的LTPS层的至少一部分的接触孔，并且所述第二区域中的第二绝缘层布置在所述金属氧化物层上，以暴露通过由所述第二绝缘层覆盖的部分分开的金属氧化物层的至少两个部分；位于所述第一区域和所述第二区域中的第一金属层，所述第一区域中的第一金属层与所述LTP...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.12.31 US 14/588,1801.一种设备，包括：限定有第一区域和第二区域的基板；设置在所述第一区域中的低温多晶硅(LTPS)层；设置在所述第一区域中的LTPS层上的第一绝缘层；设置在所述第一区域和所述第二区域中的金属氧化物层，所述第一区域中的金属氧化物层设置在所述第一绝缘层上；设置在所述第一区域和所述第二区域中的第二绝缘层，所述第一区域中的第二绝缘层具有用于暴露下方的LTPS层的至少一部分的接触孔，并且所述第二区域中的第二绝缘层布置在所述金属氧化物层上，以暴露通过由所述第二绝缘层覆盖的部分分开的金属氧化物层的至少两个部分；位于所述第一区域和所述第二区域中的第一金属层，所述第一区域中的第一金属层与所述LTPS层的暴露部分接触，并且所述第二区域中的第一金属层通过下方的第二绝缘层与所述金属氧化物层绝缘；覆盖所述第一区域和所述第二区域中的第一金属层的第三绝缘层；设置在所述第一区域和所述第二区域中的第二金属层，所述第一区域中的第二金属层经由穿过所述第三绝缘层的接触孔与所述第一金属层接触，并且所述第二区域中的第二金属层经由穿过所述第三绝缘层的接触孔与所述金属氧化物层接触；和设置在所述第一区域和所述第二区域中并且在所述第二金属层上方的第四绝缘层，其中所述第一区域中的金属氧化物层具有比所述第二区域中的由所述第二绝缘层覆盖的金属氧化物层的部分高的导电率。2.根据权利要求1所述的设备，还包括位于所述第四绝缘层上的第三金属层，所述第三金属层经由穿过所述第四绝缘层的接触孔与所述第一区域中的第二金属层或所述第二区域中的第二金属层接触。3.根据权利要求1所述的设备，其中所述低温多晶硅(LTPS)层充当LTPSTFT的有源层，并且所述第二区域中的金属氧化物层充当氧化物TFT的有源层。4.根据权利要求3所述的设备，其中所述第一区域中的金属氧化物层充当所述LTPSTFT的栅极电极。5.根据权利要求3所述的设备，其中所述第二绝缘层充当所述第一区域中的LTPSTFT的层间介电层并且充当所述第二区域中的氧化物TFT的栅极绝缘层。6.根据权利要求3所述的设备，其中插入在所述第二区域中的第一金属层与金属氧化物层之间的第二绝缘层比设置在所述第一区域中的第二绝缘层薄。7.根据权利要求3所述的设备，其中所述第一金属层提供所述第一区域中的LTPSTFT的源极电极和漏极电极，并且所述第一金属层提供所述第二区域中的氧化物TFT的栅极电极。8.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：权会容，金炯洙，李美凜，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR
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