化学研磨装置用承载头的固定环以及包括其的承载头制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种化学研磨装置用承载头的固定环，其中包括：第一固定环部件，与晶片的外侧面接触；第二固定环部件，形成于所述第一固定环部件的外侧及上部，不与晶片的外侧面接触；以及减压单元，用于减低从所述第二固定环部件的上部传递至所述第一固定环部件的压力。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】化学研磨装置用承载头的固定环以及包括其的承载头
本专利技术涉及一种化学研磨装置用承载头的固定环以及包括其的承载头。
技术介绍
一般，集成电路是通过连续沉积导体、半导体或绝缘层而形成于基板尤其硅片上。各层被沉积后进行刻蚀以发生电路特性。随着一系列的层被连续沉积并刻蚀，基板的外部或最上层的表面即基板的露出表面逐渐成为非平面化。如此，非平面的外部面对集成电路制造商造成问题。若基板的外部面不是平面，则放置于其上面的光刻胶层也不是平面。一般，光刻胶层通过使光的图像集中在光刻胶的光刻装置(photolithographicdevices)而被图案化。若基板的外部面过于凹凸不平，则外部面的峰和谷之间的最大高度差超过图像装置的焦深，而无法将光图像适当地集中在基板的外部面。设计焦深经改善的新型光刻装置的工作需要非常昂贵的工作过程。并且，随着利用于集成电路内的最小配线幅度变小，需利用更短距离的光波长，由此，可以利用的焦深会更加缩小。因此，为了提供平面层表面，需要将基板表面周期地进行平坦化。化学机械式研磨(ChemicalMechanicalPolishing，以下CMP)是平坦化的一种方法，所述化学机械本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种化学研磨装置用承载头的固定环，其特征在于，包括：第一固定环部件，与晶片的外侧面接触；第二固定环部件，与所述第一固定环部件的外侧及上部接触；以及减压单元，用于减低从所述第二固定环部件的上部传递至所述第一固定环部件的压力。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.12.08 KR 10-2014-0175039;2015.07.28 KR 10-2011.一种化学研磨装置用承载头的固定环，其特征在于，包括：第一固定环部件，与晶片的外侧面接触；第二固定环部件，与所述第一固定环部件的外侧及上部接触；以及减压单元，用于减低从所述第二固定环部件的上部传递至所述第一固定环部件的压力。2.根据权利要求1所述的化学研磨装置用承载头的固定环，其特征在于，所述第一固定环部件相较于所述第二固定环部件具有更高的弹性。3.根据权利要求1所述的化学研磨装置用承载头的固定环，其特征在于，所述减压单元是设置于所述第一固定环部件与所述第二固定环部件之间的弹性部件。4.根据权利要求3所述的化学研磨装置用承载头的固定环，其特征在于，所述弹性部件包括橡胶或弹簧。5.根据权利要求3所述的化学研磨装置用承载头的固定环，其特征在于，所述弹性部件在所述第一固定环部件的上部具备一个以上。6.根据权利要求3所述的化学研磨装置用承载头的固定环，其特征在于，所述弹性部件是形成于所述固定环部件的上部或内部的弹性层。7.一种化学研磨装置用承载头的固定环，其为包括根据权利要求1至6中任一项所述的化学研...

【专利技术属性】
技术研发人员：俞贤贞，
申请(专利权)人：俞贤贞，
类型：发明
国别省市：韩国,KR