通过背面气体流量控制工件温度制造技术

公开了一种用于在加工期间调制及控制工件的局部温度的系统及方法。所述系统使用具有一或多个壁的台板，所述一或多个壁在所述台板的顶面上界定多个分立的区。当工件安置于所述台板上时，形成多个隔室，其中每一隔室由所述工件的背面及所述台板的相应区界定。所述隔室中的每一隔室内的背面气体的压力可被单独地控制。背面气体的压力决定自所述工件传递至所述台板的热量的量。通过局部地调节背面气体的压力，所述工件的不同区可维持在不同温度。在某些实施例中，使用多个阀来控制流至所述隔室的流动速率。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】通过背面气体流量控制工件温度
本揭示的实施例涉及用于在加工期间控制工件的温度的系统及方法，且更具体而言，涉及利用背面气体流量的变化来局部地控制所述工件温度的系统及方法。
技术介绍
半导体元件的制造涉及多个分立的复杂工艺。一个此种工艺可为自工件移除材料的蚀刻工艺。另一工艺可为将材料沉积于工件上的沉积工艺。再一工艺可为其中将离子植入至工件中的离子植入工艺。此外，在某些实施例中，总体半导体制造过程中的某些工艺可具有不均匀性。举例而言，例如化学机械抛光(chemicalmechanicalplanarization，CMP)等某些工艺可以非均匀方式研磨工件，以使较多材料自所述工件的某些部分移除。在某些实施例中，某些工艺可用于修正在制造过程早期中引入的不均匀性。举例而言，所述蚀刻工艺、所述沉积工艺或所述离子植入工艺可用于修正在早期工艺中引入的不均匀性。此外，这些工艺可用于补偿在后续工艺中引入的不均匀性。在某些实施例中，这些工艺可因在工件的某些部分上进行加工的持续时间较长而变化。然而，也可使用其他机制。在某些实施例中，这些工艺可对工件的温度敏感。举例而言，在某些时间段中所加工的材料的量可基于工件本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于在加工期间控制工件的多个区的温度的系统，包括：台板，包括具有一或多个壁的顶面，所述一或多个壁界定多个分立的区，其中当工件安置于所述台板上时，所述多个分立的区形成多个隔室，每一隔室均对应于所述工件的区，其中所述多个隔室中的每一个具有相关联的开口；多个管道，所述多个管道中的每一个分别与相应的开口连通；多个阀，每一个阀分别与所述多个管道中的相应一个管道连通且与背面气体供应系统连通；以及控制器，与所述多个阀连通，以独立地控制通过所述多个阀中的每一个的流动速率以维持所述多个隔室中的每一个内的压力，其中所述压力被选择以维持对应至相应隔室的所述工件的每一个区的温度。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.11.19 US 14/548,1831.一种用于在加工期间控制工件的多个区的温度的系统，包括：台板，包括具有一或多个壁的顶面，所述一或多个壁界定多个分立的区，其中当工件安置于所述台板上时，所述多个分立的区形成多个隔室，每一隔室均对应于所述工件的区，其中所述多个隔室中的每一个具有相关联的开口；多个管道，所述多个管道中的每一个分别与相应的开口连通；多个阀，每一个阀分别与所述多个管道中的相应一个管道连通且与背面气体供应系统连通；以及控制器，与所述多个阀连通，以独立地控制通过所述多个阀中的每一个的流动速率以维持所述多个隔室中的每一个内的压力，其中所述压力被选择以维持对应至相应隔室的所述工件的每一个区的温度。2.根据权利要求1所述的系统，其中所述多个阀包括数字阀，其中所述控制器调制每一个阀的负载循环以控制所述流动速率。3.根据权利要求1所述的系统，其中所述多个阀以下列两种模式中的一种模式工作：在第一种模式中，背面气体经由所述阀朝所述相应隔室流动，在第二种模式中，流动停止。4.根据权利要求1所述的系统，其中所述多个阀以下列三种模式中的一种模式工作：在第一种模式中，背面气体经由所述阀朝所述相应隔室流动，在第二种模式中，流动停止，且在第三种模式中，所述背面气体流出所述相应隔室。5.根据权利要求1所述的系统，其中所述控制器使用开环控制来控制所述流动速率。6.根据权利要求1所述的系统，还包括多个压力传感器，所述多个压力传感器中的每一个分别与相应隔室连通。7.根据权利要求6所述的系统，其中所述多个阀以下列两种模式中的一种模式工作：在第一种模式中，背面气体经由所述阀朝所述相应隔室流动，在第二种模式中，流动停止。8.根据权利要求6所述的系统，其中所述多个阀以下列三种模式中的一种模式工作：在第一种模式中，背面气体经由...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱利安·G·布雷克，
申请(专利权)人：瓦里安半导体设备公司，
类型：发明
国别省市：美国,US