半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质制造方法及图纸

具有通过将下述循环进行规定次数，从而在衬底上形成氮氧化膜的工序，所述循环为非同时地进行下述工序：对衬底经由第一喷嘴供给原料气体的工序，对衬底经由第二喷嘴供给氮化气体的工序，和对衬底经由第三喷嘴供给氧化气体的工序；在供给氮化气体的工序中，从第一喷嘴及第三喷嘴中的至少一者以第一流量供给非活性气体，在供给氧化气体的工序中，从第二喷嘴以比第一流量大的第二流量供给非活性气体。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质
本专利技术涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。
技术介绍
作为半导体器件(Device)的制造工序的一个工序，有时进行如下成膜处理：通过对处理室内的衬底供给原料气体、氧化气体、氮化气体，从而在衬底上形成氮氧化膜。
技术实现思路
然而，本申请的专利技术人等经深入研究，发现若实施上述成膜处理的话，存在在处理室内大量产生颗粒的情况。本专利技术的目的在于，提供一种能够抑制在衬底上形成氮氧化膜时的颗粒产生的技术。用于解决问题的手段根据本专利技术的一个方式，提供一种半导体器件的制造方法，包括通过将下述循环进行规定次数，从而在衬底上形成氮氧化膜的工序，所述循环为非同时地进行下述工序：对衬底经由第一喷嘴供给原料气体的工序，对所述衬底经由第二喷嘴供给氮化气体的工序，和对所述衬底经由第三喷嘴供给氧化气体的工序，其中，在供给所述氮化气体的工序中，从所述第一喷嘴及所述第三喷嘴中的至少一者以第一流量供给非活性气体，在供给所述氧化气体的工序中，从所述第二喷嘴以比所述第一流量大的第二流量供给非活性气体。专利技术效果通过本专利技术，能够抑制在衬底上形成氮氧化膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，具有通过将下述循环进行规定次数，从而在衬底上形成氮氧化膜的工序，所述循环为非同时地进行下述工序：对衬底经由第一喷嘴供给原料气体的工序，对所述衬底经由第二喷嘴供给氮化气体的工序，和对所述衬底经由第三喷嘴供给氧化气体的工序，其中，在供给所述氮化气体的工序中，从所述第一喷嘴及所述第三喷嘴中的至少一者以第一流量供给非活性气体，在供给所述氧化气体的工序中，从所述第二喷嘴以比所述第一流量大的第二流量供给非活性气体。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体器件的制造方法，具有通过将下述循环进行规定次数，从而在衬底上形成氮氧化膜的工序，所述循环为非同时地进行下述工序：对衬底经由第一喷嘴供给原料气体的工序，对所述衬底经由第二喷嘴供给氮化气体的工序，和对所述衬底经由第三喷嘴供给氧化气体的工序，其中，在供给所述氮化气体的工序中，从所述第一喷嘴及所述第三喷嘴中的至少一者以第一流量供给非活性气体，在供给所述氧化气体的工序中，从所述第二喷嘴以比所述第一流量大的第二流量供给非活性气体。2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在供给所述原料气体的工序中，从所述第二喷嘴及所述第三喷嘴中的至少一者以比所述第二流量小的第三流量供给非活性气体。3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在供给所述氧化气体的工序之后、接下来进行供给所述原料气体的工序之前的期间，从所述第二喷嘴以所述第二流量供给非活性气体。4.根据权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其中，在供给所述氮化气体的工序之后、进行供给所述氧化气体的工序之前的期间，从所述第二喷嘴以所述第二流量供给非活性气体。5.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在供给所述氧化气体的工序之后、接下来进行供给所述原料气体的工序之前的期间，对于处于停止了气体供给的状态下的所述衬底所存在的空间不实施抽真空。6.根据权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其中，在供给所述氮化气体的工序之后、进行供给所述氧化气体的工序之前的期间，对于处于停止了气体供给的状态下的所述衬底所存在的空间不实施抽真空。7.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其中，在供给所述原料气体的工序之后、进行供给所述氮化气体的工序之前的期间，对处于停止了气体供给的状态下的所述衬底所存在的空间实施抽真空。8.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第一喷嘴及所述第三喷嘴是与所述第二喷嘴不同的喷嘴。9.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：山腰莉早，寺崎昌人，尾崎贵志，赤江尚德，堀田英树，
申请(专利权)人：株式会社日立国际电气，
类型：发明
国别省市：日本,JP