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半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质制造方法及图纸
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文档序号:16113315
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具有通过将下述循环进行规定次数,从而在衬底上形成氮氧化膜的工序,所述循环为非同时地进行下述工序:对衬底经由第一喷嘴供给原料气体的工序,对衬底经由第二喷嘴供给氮化气体的工序,和对衬底经由第三喷嘴供给氧化气体的工序;在供给氮化气体的工序中,从第...
该专利属于株式会社日立国际电气所有,仅供学习研究参考,未经过株式会社日立国际电气授权不得商用。
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