【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管及其制造方法、显示基板、显示面板
本专利技术涉及显示
,特别涉及一种薄膜晶体管及其制造方法、显示基板、显示面板。
技术介绍
在通过电流驱动图像显示的显示装置中,显示装置中薄膜晶体管(英文:ThinFilmTransistor;简称:TFT)的输出漏极电流稳定性会直接影响显示装置的显示效果。薄膜晶体管包括依次设置在衬底基板上的栅极图形、栅绝缘层、源漏极图形和绝缘层等层级结构,其中,栅极图形包括栅极,源漏极图形包括源极和漏极。相关技术中,源极和漏极分别设置在有源层远离衬底基板一侧的两端,当漏极电压达到一定条件时,有源层中会形成导电沟道,以实现漏极与源极之间的导通,两者导通后产生的漏极电流即为显示装置的驱动电流,该电流与沟道的宽长比呈线性变化关系。当漏极电压增大到一定程度时,沟道中会出现夹断区域,即沟道长度会发生变化,由于漏极电流与沟道的宽长比呈线性变化关系,因此,沟道长度的变化会使漏极电流出现较大波动,进而影响显示装置的显示效果。
技术实现思路
为了解决相关技术中沟道出现夹断区域,导致漏极电流出现较大波动,进而影响显示装置的显示效果的问题,本专利技术实施例 ...
【技术保护点】
一种薄膜晶体管,其特征在于,包括:设置在衬底基板上的栅极图形、栅绝缘层、有源层和源漏极图形,所述源漏极图形包括源极和漏极,所述漏极平行于所述衬底基板的表面的截面呈环形,所述源极平行于所述衬底基板的表面的截面呈椭圆形或者圆形,所述漏极环绕所述源极设置。
【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管,其特征在于,包括:设置在衬底基板上的栅极图形、栅绝缘层、有源层和源漏极图形,所述源漏极图形包括源极和漏极,所述漏极平行于所述衬底基板的表面的截面呈环形,所述源极平行于所述衬底基板的表面的截面呈椭圆形或者圆形,所述漏极环绕所述源极设置。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述漏极平行于所述衬底基板的表面的截面呈圆环形,且所述源极平行于所述衬底基板的表面的截面呈圆形。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述源极和所述漏极共圆心。4.根据权利要求1至3任一所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述源极垂直于所述衬底基板的表面的截面呈锯齿状或波浪状。5.根据权利要求1至3任一所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述漏极垂直于所述衬底基板的表面的截面呈锯齿状或波浪状。6.根据权利要求4所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述源极垂直于所述衬底基板的表面的截面呈锯齿状,所述锯齿状的齿牙深度等于所述源极在预设方向上的厚度,所述预设方向垂直于所述衬底基板的表面。7.根据权利要求5所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述漏极垂直于所述衬底基板的表面的截面呈锯齿...
【专利技术属性】
技术研发人员:温钰,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,
类型:发明
国别省市:北京,11
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