半导体装置、液晶显示装置和半导体装置的制造方法制造方法及图纸

半导体装置包括：包含栅极电极的第一金属层；设置在第一金属层上的第一绝缘层；设置在第一绝缘层上的氧化物半导体层；设置在氧化物半导体层上的第二绝缘层；设置在氧化物半导体层和第二绝缘层上且包含源极电极的第二金属层；设置在第二金属层上的第三绝缘层；和设置在第三绝缘层上的第一透明电极层。氧化物半导体层具有与栅极电极重叠的第一部分和从第一部分起横穿栅极电极的漏极电极侧的边缘地延伸设置的第二部分。第三绝缘层不包含有机绝缘层，在第二绝缘层和第三绝缘层中，形成有在从基板的法线方向看时与氧化物半导体层的第二部分重叠的第一接触孔。第一透明电极层包含在第一接触孔内与氧化物半导体层的第二部分接触的透明导电层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置、液晶显示装置和半导体装置的制造方法
本专利技术涉及半导体装置，特别涉及具有包含氧化物半导体层的薄膜晶体管的半导体装置。此外，本专利技术还涉及具有这种半导体装置的液晶表示装置和这种半导体装置的制造方法。
技术介绍
目前，具备有源矩阵基板的液晶表示装置广泛用于各种用途。有源矩阵基板按每个像素具有开关元件。作为开关元件具有薄膜晶体管(TFT)的有源矩阵基板被称为TFT基板。TFT基板具有按每个像素设置的TFT和像素电极、向TFT供给栅极信号的栅极配线、向TFT供给源极信号的源极配线等。TFT的栅极电极、源极电极和漏极电极分别与栅极配线、源极配线和像素电极电连接。TFT、栅极配线和源极配线被层间绝缘层覆盖。像素电极设置在层间绝缘层上，在形成于层间绝缘层的接触孔内与TFT的漏极电极连接。作为层间绝缘层，有时使用由有机绝缘材料形成的绝缘层(以下称为“有机绝缘层”)。例如专利文献1和2中公开了一种作为覆盖TFT和配线的层间绝缘层，具有无机绝缘层和在其上形成的有机绝缘层的TFT基板。有机绝缘材料相比无机绝缘材料具有低的介电常数，容易沉积得厚。当形成包含比较厚(例如具有1μm至3μm左右的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其包括基板和由所述基板支承的薄膜晶体管，该半导体装置的特征在于，包括：包含所述薄膜晶体管的栅极电极、源极电极和漏极电极中的所述栅极电极的第一金属层；设置在所述第一金属层上的第一绝缘层；设置在所述第一绝缘层上且包含所述薄膜晶体管的有源层的氧化物半导体层；设置在所述氧化物半导体层上且包含覆盖所述氧化物半导体层的沟道区域的部分的第二绝缘层；设置在所述氧化物半导体层和所述第二绝缘层上且至少包含所述源极电极的第二金属层；设置在所述第二金属层上的第三绝缘层；和设置在所述第三绝缘层上的第一透明电极层，所述氧化物半导体层具有与所述栅极电极重叠的第一部分和从所述第一部分起横穿所述栅极电极的所述漏...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.09.10 JP 2014-1844601.一种半导体装置，其包括基板和由所述基板支承的薄膜晶体管，该半导体装置的特征在于，包括：包含所述薄膜晶体管的栅极电极、源极电极和漏极电极中的所述栅极电极的第一金属层；设置在所述第一金属层上的第一绝缘层；设置在所述第一绝缘层上且包含所述薄膜晶体管的有源层的氧化物半导体层；设置在所述氧化物半导体层上且包含覆盖所述氧化物半导体层的沟道区域的部分的第二绝缘层；设置在所述氧化物半导体层和所述第二绝缘层上且至少包含所述源极电极的第二金属层；设置在所述第二金属层上的第三绝缘层；和设置在所述第三绝缘层上的第一透明电极层，所述氧化物半导体层具有与所述栅极电极重叠的第一部分和从所述第一部分起横穿所述栅极电极的所述漏极电极侧的边缘地延伸设置的第二部分，所述第三绝缘层不包含有机绝缘层，在所述第二绝缘层和所述第三绝缘层中，形成有在从所述基板的法线方向看时与所述氧化物半导体层的所述第二部分重叠的第一接触孔，所述第一透明电极层包含在所述第一接触孔内与所述氧化物半导体层的所述第二部分接触的透明导电层。2.一种半导体装置，其包括基板和由所述基板支承的薄膜晶体管，该半导体装置的特征在于，包括：包含所述薄膜晶体管的有源层的氧化物半导体层；设置在所述氧化物半导体层上的第一绝缘层；设置在所述第一绝缘层上且包含所述薄膜晶体管的栅极电极、源极电极和漏极电极中的所述栅极电极的第一金属层；设置在所述第一金属层上的第二绝缘层；设置在所述第二绝缘层上且至少包含所述源极电极的第二金属层；设置在所述第二金属层上的第三绝缘层；和设置在所述第三绝缘层上的第一透明电极层，所述氧化物半导体层具有与所述栅极电极重叠的第一部分和从所述第一部分起横穿所述栅极电极的所述漏极电极侧的边缘地延伸设置的第二部分，所述第三绝缘层不包含有机绝缘层，在所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三绝缘层中，形成有在从所述基板的法线方向看时与所述氧化物半导体层的所述第二部分重叠的第一接触孔，所述第一透明电极层包含在所述第一接触孔内与所述氧化物半导体层的所述第二部分接触的透明导电层。3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于：所述第二金属层还包含所述漏极电极，在从所述基板的法线方向看时，所述第一接触孔也与所述漏极电极的所述第二部分侧的端部重叠。4.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于：所述第二金属层不包含所述漏极电极。5.如权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于：具有多个像素，所述多个像素中的各个像素包含所述薄膜晶体管和所述透明导电层，所述透明导电层作为像素电极发挥作用。6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，还包括：覆盖所述第一透明电极层的第四绝缘层；和设置在所述第四绝缘层上的第二透明电极层，所述第二透明电极层包含不与所述像素电极电连接的透明电极，所述透明电极作为共用电极发挥作用。7.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于：所述第二金属层还包含上部配线层，在所述第三绝缘层和所述第四绝缘层中，形成有在从所述基板的法线方向看时与所述上部配线层重叠的第二接触孔，所述第二透明电极层还包含与所述共用电极电连接的透明连接层，所述透明连接层在所述第二接触孔内与所述上部配线层接触。8.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于：所述第二金属层具有上部配线层，在所述第三绝缘层和所述第四绝缘层中，形成有在从所述基板的法线方向看时与所述上部配线层重叠的第二接触孔，所述第一透明电极层还包含不与所述像素电极电连接的第一透明连接层，所述第二透明电极层还包含与所述共用电极电连接的第二透明连接层，所述第一透明连接层在所述第二接触孔内与所述上部配线层接触，所述第二透明连接层在所述第二接触孔内与所述第一透明连接层接触。9.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，还包括：设置在所述第三绝缘层与所述第一透明电极层之间的第四绝缘层；和设置在所述第三绝缘层与所述第四绝缘层之间的第二透明电极层，所述第一接触孔也在所述第四绝缘层中形成，所述第二透明电极层包含不与所述像素电极电连接的透明电极，所述透明电极作为共用电极发挥作用。10.如权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，还包括：设置在所述第一透明电极层上的第四绝...

【专利技术属性】
技术研发人员：加藤纯男，上田直树，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP