薄膜晶体管阵列及其制造方法技术

提供一种晶体管特性的均匀性较高的薄膜晶体管阵列。薄膜晶体管阵列，在基板上以矩阵状配置有多个薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括形成在栅极绝缘层上的源电极及漏电极、以及形成在栅极绝缘层上且源电极与漏电极之间的半导体层，其中，半导体层跨越多个薄膜晶体管而形成为条纹形状，条纹的长轴方向与晶体管的沟道宽度方向一致，条纹的短轴方向的截面膜厚形状为从半导体条纹的中央朝向外侧而膜厚逐渐变薄的形状。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】薄膜晶体管阵列及其制造方法
本专利技术涉及薄膜晶体管阵列及其制造方法。
技术介绍
随着信息技术的日益发展，目前频繁地利用笔记本型个人电脑、便携信息终端等进行信息的收发。众所周知，在不久的将来将会出现能够随地进行信息交换的泛在社会。在这样的社会中，期望有更轻量、薄型的信息终端。目前，半导体材料的主流是硅系，作为制造方法，一般使用光刻法。近年来，使用印刷技术制造电子部件的可打印的电子设备备受关注。通过使用印刷技术，可列举出与光刻法相比装置或制造成本降低、由于不需要真空或高温而能够利用塑料基板等优点。另外，印刷法具有材料利用效率高、以及因不使用显影或蚀刻工序而废液较少等的特长，可以说是环境负荷较少的工序。然而，与光刻法相比较，印刷法大多图案内的膜厚均匀性较低。例如在如专利文献1那样利用印刷法形成晶体管中的半导体层的情况下，虽然专利文献1没有记载，但由于印刷条件的不同会呈现各种印刷状态，伴随于此，所获得的晶体管特性也各种各样。另外，在晶体管阵列中，因半导体膜厚而使得电流值不同，存在各个晶体管特性的均匀性降低的情况。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2006－63334号公报
技术实现思路
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【技术保护点】
一种薄膜晶体管阵列，在基板上以矩阵状配置有多个薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括形成在栅极绝缘层上的源电极及漏电极、以及形成在上述栅极绝缘层上且上述源电极与上述漏电极之间的半导体层，其特征在于，上述半导体层跨越多个上述薄膜晶体管而形成为条纹形状，条纹的长轴方向与晶体管的沟道宽度方向一致，条纹的短轴方向的截面膜厚形状为从半导体条纹的中央朝向外侧而膜厚逐渐变薄的形状。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.10.28 JP 2014-2195301.一种薄膜晶体管阵列，在基板上以矩阵状配置有多个薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括形成在栅极绝缘层上的源电极及漏电极、以及形成在上述栅极绝缘层上且上述源电极与上述漏电极之间的半导体层，其特征在于，上述半导体层跨越多个上述薄膜晶体管而形成为条纹形状，条纹的长轴方向与晶体管的沟道宽度方向一致，条纹的短轴方向的截面膜厚形状为从半导体条纹的中央朝向外侧而膜厚逐渐变薄的形状。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列，其特征在于，半导体层的膜厚最厚的部分与上述沟道区域的沟道长度方向的中心之间...

【专利技术属性】
技术研发人员：松原亮平，石崎守，西泽诚，
申请(专利权)人：凸版印刷株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP