半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：衬底结构，衬底结构包括衬底；突出于衬底结构的一个或多个半导体鳍片，鳍片包括第一部分、在第一部分两侧的第二部分、以及在第二部分相对于第一部分的外侧的第三部分，第一部分突出于第二部分，第二部分的上表面低于第一部分的上表面，第三部分的上表面低于第二部分的上表面；在第一部分上且包绕在第一部分表面的栅极结构；在栅极结构的侧面的侧壁间隔物，其中侧壁间隔物延伸到并覆盖第二部分的上表面；以及分别在侧壁间隔物相对于栅极结构的外侧且在第三部分上的源极和漏极，源极和漏极的上表面高于鳍片的第二部分的上表面。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及半导体装置及其制造方法。
技术介绍
鳍式场效应晶体管(FinField-EffectTransistor，简称为FinFET)具有较好的短沟道效应控制能力、较高的驱动电流和较低的耗电量，其有希望延续摩尔定律。但是对于FinFET器件，热载流子注入(HotCarrierInjection，简称为HCI)效应将影响器件的可靠性。目前，还没有改善FinFET器件的HCI特性的有效方式。
技术实现思路
本专利技术的专利技术人发现上述现有技术中存在问题，并因此针对所述问题中的至少一个问题提出了新的技术方案。本专利技术一个实施例的目的之一是：提供一种半导体装置。本专利技术一个实施例的目的之一是：提供一种半导体装置的制造方法。本专利技术通过是鳍片的第一部分突出于第二部分，提高了器件的可靠性。根据本专利技术的第一方面，提供了一种半导体装置，包括：衬底结构，所述衬底结构包括衬底；突出于所述衬底结构的一个或多个半导体鳍片，所述鳍片包括第一部分、在第一部分两侧的第二部分、以及在所述第二部分相对于所述第一部分的外侧的第三部分，所述第一部分突出于所述第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，包括：衬底结构，所述衬底结构包括衬底；突出于所述衬底结构的一个或多个半导体鳍片，所述鳍片包括第一部分、在第一部分两侧的第二部分、以及在所述第二部分相对于所述第一部分的外侧的第三部分，所述第一部分突出于所述第二部分，所述第二部分的上表面低于所述第一部分的上表面，所述第三部分的上表面低于所述第二部分的上表面；在所述第一部分上且包绕在所述第一部分表面的栅极结构；在所述栅极结构的侧面的侧壁间隔物，其中所述侧壁间隔物延伸到并覆盖所述第二部分的上表面；以及分别在所述侧壁间隔物相对于栅极结构的外侧且在所述第三部分上的源极和漏极，所述源极和漏极的上表面高于所述鳍片的第二部分的上表面...

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：衬底结构，所述衬底结构包括衬底；突出于所述衬底结构的一个或多个半导体鳍片，所述鳍片包括第一部分、在第一部分两侧的第二部分、以及在所述第二部分相对于所述第一部分的外侧的第三部分，所述第一部分突出于所述第二部分，所述第二部分的上表面低于所述第一部分的上表面，所述第三部分的上表面低于所述第二部分的上表面；在所述第一部分上且包绕在所述第一部分表面的栅极结构；在所述栅极结构的侧面的侧壁间隔物，其中所述侧壁间隔物延伸到并覆盖所述第二部分的上表面；以及分别在所述侧壁间隔物相对于栅极结构的外侧且在所述第三部分上的源极和漏极，所述源极和漏极的上表面高于所述鳍片的第二部分的上表面。2.根据权利要求1所述半导体装置，其特征在于，所述第一部分包括在鳍片的主体上的外延层，所述外延层与所述栅极结构邻接。3.根据权利要求1所述半导体装置，其特征在于，所述第一部分从所述第二部分的侧表面和上表面突出。4.根据权利要求1所述半导体装置，其特征在于，所述一个或多个鳍片包括用于形成NMOS晶体管的第一组鳍片和用于形成PMOS晶体管的第二组鳍片。5.根据权利要求4所述半导体装置，其特征在于，所述第一组鳍片上的第一部分中突出于其第二部分的部分的导电类型为N型；所述第二组鳍片上的第一部分中突出于其第二部分的部分的导电类型为N型。6.根据权利要求4所述半导体装置，其特征在于，所述第一组鳍片上的第一部分中突出于其第二部分的部分的导电类型为P型；所述第二组鳍片上的第一部分中突出于其第二部分的部分的导电类型为N型。7.根据权利要求1所述半导体装置，其特征在于，所述第一部分突出于所述第二部分1nm至5nm。8.根据权利要求1所述半导体装置，其特征在于，所述半导体鳍片的材料为硅或者硅锗(SiGe)；所述源极和漏极的材料为硅锗(SiGe)或硅磷(SiP)。9.根据权利要求4所述半导体装置，其特征在于，所述半导体鳍片的材料为硅或者SiGe；所述第一组鳍片的源极和漏极的材料为SiP；所述第二组鳍片的源极和漏极的材料为SiGe。10.根据权利要求1所述半导体装置，其特征在于，所述衬底结构还包括在所述衬底上的电介质层，其中，所述一个或多个半导体鳍片突出于所述电介质层，所述栅极结构在所述电介质层上方。11.根据权利要求1所述半导体装置，其特征在于，还包括：在所述衬底结构上的层间电介质层，所述层间电介质层围绕所述侧壁间隔物和所述栅极结构。12.根据权利要求1所述半导体装置，其特征在于，所述栅极结构包括：在所述第一部分上且包绕所述第一部分的栅极绝缘物和在所述栅极绝缘物上的栅极。13.根据权利要求12所述半导体装置，其特征在于，所述栅极包括：多晶硅、金属和/或导电功能层。14.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底结构，所述衬底结构包括衬底，所述衬底结构上形成有突出于所述衬底结构的一个或多个第一鳍片，所述第一鳍片包括作为主体的半导体层；在所述第一鳍片上执行外延生长以形成外延层，从而形成包括所述半导体层和所述外延层的第二鳍片；在所述外延层上形成第一栅极绝缘物层...

【专利技术属性】
技术研发人员：李勇，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31