包括温度传感器的半导体装置及其制造方法和电路制造方法及图纸

半导体装置(1)包括有第一主表面(110)的半导体衬底(100)中的晶体管(10)，其包括源极区(201)、电连至源极区(201)且有第一和第二源极接触部分(202、130)的源极接触件和与本体区(220)相邻的第一主表面中的栅极沟槽(212)中的栅极(210)。栅极(210)配置成控制本体区(220)的沟道导电性。本体区(220)和漂移区(260)沿平行于第一主表面的第一方向布置在源极区(201)与漏极区(205)之间。第二源极接触部分(130)布置在衬底(100)的第二主表面(120)处。第一源极接触部分(202)包括与源极区(201)直接接触的源极导电材料(115)和衬底(100)在该材料(115)与第二源极接触部分(130)之间的部分。装置(1)包括衬底(100)中的温度传感器(30)。

Semiconductor device including temperature sensor and method and circuit for manufacturing the same

A semiconductor device (1) comprises a first main surface (110) of the semiconductor substrate (100) of the transistor (10), which includes a source region (201), connected to the source region (201) and the first and second source contact part (202, 130) and the source contact with the body district (220) the first principal surface adjacent the gate trench in the gate (212) (210). The gate (210) is configured to control channel conductivity of the body region (220). The body region (220) and the drift region (260) are disposed between the source region (201) and the drain polar region (205) along the first direction parallel to the first main surface. The second source contact portion (130) is disposed on the second main surface (120) of the substrate (100). The first source contact portion (202) includes a source, conductive material (115) that is in direct contact with the source region (201) and a substrate (100) between the material (115) and the second source contact portion (130). The device (1) includes a temperature sensor (30) in the substrate (100).

【技术实现步骤摘要】
包括温度传感器的半导体装置及其制造方法和电路
本专利技术涉及电子器件领域，具体地涉及包括温度传感器的半导体装置、制造该半导体装置的方法，以及包括该半导体装置的电路。
技术介绍
通常用于机动车辆和工业电子中的功率晶体管应该具有低导通状态电阻(Ron·A)，同时确保高电压阻断能力。例如，MOS(“金属氧化物半导体”功率晶体管应当能够根据应用要求来阻挡几十到几百或几千伏的漏极到源极电压Vds。MOS功率晶体管通常传导非常大的电流，其在约2至20V的典型栅极-源极电压处可以达到几百安培。具有进一步改善的Ron·A特性的晶体管的概念是指横向功率沟槽MOSFET(“场效应晶体管”)。横向功率沟槽MOSFET利用更多的体硅来减小Ron，使得Ron与垂直沟槽MOSFET的Ron相当。监视功率晶体管的晶体管单元阵列内部的温度变得越来越重要。例如，可以确定功率晶体管内部的温度是否超过特定阈值，使得当阈值温度被超过时晶体管可以关断。此外，可能期望测量晶体管单元阵列内的温度。因此，正在尝试将温度传感器集成到功率晶体管中。本专利技术的目的是提供一种包括温度传感器的改进的半导体装置。根据本专利技术，上述目的通过本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置(1)，包括具有第一主表面(110)的半导体衬底(100)中的晶体管(10)，所述晶体管(10)包括：源极区(201)；源极接触件，其电连接到所述源极区(201)，所述源极接触件包括第一源极接触部分(202)和第二源极接触部分(130)；以及在与本体区(220)相邻的所述第一主表面中的栅极沟槽(212)中的栅极(210)，所述栅极(210)被配置成控制所述本体区(220)中的沟道的导电性，所述本体区(220)和漂移区(260)沿着平行于所述第一主表面的第一方向而被布置在所述源极区(201)与漏极区(205)之间，所述第二源极接触部(130)被布置在所述半导体衬底(100)的第二主...

【技术特征摘要】
2016.02.12 DE 102016102493.71.一种半导体装置(1)，包括具有第一主表面(110)的半导体衬底(100)中的晶体管(10)，所述晶体管(10)包括：源极区(201)；源极接触件，其电连接到所述源极区(201)，所述源极接触件包括第一源极接触部分(202)和第二源极接触部分(130)；以及在与本体区(220)相邻的所述第一主表面中的栅极沟槽(212)中的栅极(210)，所述栅极(210)被配置成控制所述本体区(220)中的沟道的导电性，所述本体区(220)和漂移区(260)沿着平行于所述第一主表面的第一方向而被布置在所述源极区(201)与漏极区(205)之间，所述第二源极接触部(130)被布置在所述半导体衬底(100)的第二主表面(120)处，所述第一源极接触部(202)包括与所述源极区(201)直接接触的源极导电材料(115)，所述第一源极接触部(202)还包括所述半导体衬底(100)的在所述源极导电材料(115)与所述第二源极接触部分(130)之间的部分，所述半导体装置(1)还包括在所述半导体衬底(100)中的温度传感器(30)。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述半导体衬底(100)包括具有第一导电类型的第一区域(106)和具有第二导电类型的第一部分(104)，所述第一部分(104)的一部分是所述第一源极接触部分(202)的组成部分，并且所述温度传感器(30)包括与所述第一区域(106)接触的第一接触件(301)以及与所述第一部分(104)接触的第二接触件(302)。3.根据权利要求2所述的半导体装置(1)，其中，所述源极导电材料(115)被布置在所述第一主表面(110)中的源极接触槽(112)中，所述源极接触槽延伸到所述第一部分(104)，并且所述第二接触件(302)被布置在所述第一主表面(110)中的第二传感器接触槽(303)中并且延伸到所述第一部分(104)。4.根据权利要求3所述的半导体装置(1)，其中，所述源极接触槽(112)和所述第二传感器接触槽(303)延伸到同一深度。5.根据权利要求3或4所述的半导体装置，其中，所述第二传感器接触槽(303)不延伸到所述半导体衬底(100)的所述第二主表面(120)。6.根据权利要求2至5中任一项所述的半导体装置(1)，其中，所述第一接触件(301)被布置在所述第一主表面(110)中的第一传感器接触槽(304)中。7.根据权利要求2至6中任一项所述的半导体装置(1)，其中，所述温度传感器(30)还包括与所述第一区域(106)接触的、具有所述第二导电类型的发射极区(305)。8.根据权利要求7所述的半导体装置(1)，其中，所述第一传感器接触件(301)和所述第二传感器接触件(302)被连接到公共端子(271，294，313)。...

【专利技术属性】
技术研发人员：安德烈亚斯·迈泽尔，蒂尔·施勒塞尔，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE