半导体装置制造方法及图纸
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置
本专利技术涉及半导体装置。
技术介绍
在功率电子领域中使用的半导体装置中，可以举出作为金属、绝缘体、及半导体结合的场效应型晶体管的MOSFET(Metal-OxideSemiconductorFieldEffectTransistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)、IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor，绝缘栅双极晶体管)等，而对于半导体装置，根据向功率电子的应用的观点，要求高可靠性化。例如，在将MOSFET应用于逆变器电路等而使感应性负载、电阻性负载动作时，如果产生分支短路等负载短路，而对导通状态的MOSFET的漏电极施加作为电源电压的高电压，则成为在该MOSFET中流过大电流的状态。在该状态下，在MOSFET中引起额定电流的几倍至几十倍的漏极电流，如果未具有适合的保护功能，则导致MOSFET元件的破坏。为了提前防止该问题，有在发生元件破坏之前探测过剩的漏极电流(过电流)并与其对应地输入向栅电极的截止信号来切断漏极电流的方法。在该情况下，对于MOSFET元件，要求从负载短路等的发生至探测过电流并向栅电极输入截止信号为...
【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板；第1导电类型的漂移层，形成于所述半导体基板上；第2导电类型的阱区域，在所述漂移层的表层部选择性地形成；第1导电类型的源极区域，形成于所述阱区域内的表层部；作为所述漂移层的部分的JFET区域，与所述阱区域邻接；作为所述阱区域的部分的沟道区域，被所述源极区域和所述JFET区域夹住；栅电极，在所述漂移层上隔着栅极绝缘膜配设，跨越所述源极区域、所述沟道区域及所述JFET区域而延伸；源电极，与所述源极区域连接；以及漏电极，形成于所述半导体基板的背面，所述源极区域包括：源极接触区域，形成于所述阱区域内的表层部，与所述源电极连接；源极伸展区域...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.10.20 JP 2014-2134081.一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板；第1导电类型的漂移层，形成于所述半导体基板上；第2导电类型的阱区域，在所述漂移层的表层部选择性地形成；第1导电类型的源极区域，形成于所述阱区域内的表层部；作为所述漂移层的部分的JFET区域，与所述阱区域邻接；作为所述阱区域的部分的沟道区域，被所述源极区域和所述JFET区域夹住；栅电极，在所述漂移层上隔着栅极绝缘膜配设，跨越所述源极区域、所述沟道区域及所述JFET区域而延伸；源电极，与所述源极区域连接；以及漏电极，形成于所述半导体基板的背面，所述源极区域包括：源极接触区域，形成于所述阱区域内的表层部，与所述源电极连接；源极伸展区域，形成于所述阱区域内的表层部，与所述沟道区域邻接；以及源极电阻控制区域，配设于所述源极伸展区域与所述源极接触区域之间，所述源极电阻控制区域包括：低浓度源极电阻控制区域，第1导电类型的杂质浓度低于所述源极伸展区域或者所述源极接触区域；以及高浓度源极电阻控制区域，形成于所述阱区域与所述低浓度源极电阻控制区域之间，第1导电类型的杂质浓度高于所述低浓度源极电阻控制区域。2.一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板；第1导电类型的漂移层，形成于所述半导体基板上；第2导电类型的阱区域，在所述漂移层的表层部选择性地形成；沟槽，形成为贯通所述阱区域而到达所述漂移层；第1导电类型的源极区域，形成于所述阱区域内的表层部，到达所述沟槽的侧壁；作为所述阱区域的部分的沟道区域，被所述源极区域和所述阱区域的下方的所述漂移层夹住，并且与所述沟槽邻接；栅电极，隔着栅极绝缘膜配设于所述沟槽内，跨越所述源极区域、所述沟道区域及所述阱区域的下方的所述漂移层而延伸；源电极，与所述源极区域连接；以及漏电极，形成于所述半导体基板的背面，所述源极区域包括：源极接触区域，形成于所述阱区域内的表层部，与所述源电极连接；源极伸展区域，与所述沟道区域邻接；以及源极电阻控制区域，配设于所述源极伸展区域与所述源极接触区域之间，所述源极电阻控制区域包括：低浓度源极电阻控制区域，第...
【专利技术属性】
技术研发人员：八田英之，三浦成久，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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