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本发明公开了半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：衬底结构，衬底结构包括衬底；突出于衬底结构的一个或多个半导体鳍片，鳍片包括第一部分、在第一部分两侧的第二部分、以及在第二部分相对于第一部分的外侧的第三部分，第一部分突出于第二部分，第二部分...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。