解决Nand闪存的数据保持发生错误的方法及其系统技术方案

本发明专利技术公开了一种解决Nand闪存的数据保持发生错误的方法及其系统，方法包括：当Nand闪存处于开机或者待机状态时，间隔预设时间依次对Nand闪存中的一块进行读取操作；根据所述读取操作判断所述一块中需要利用错误修正码进行修正的比特位是否大于预设值；若是，则将所述一块的数据存放至Nand闪存的一自由块中。将发生错误的比特位超过预设值的块中的数据转移至Nand闪存的其他的自由块中，可以保证Nand闪存中的数据的完整性和正确性。

【技术实现步骤摘要】
解决Nand闪存的数据保持发生错误的方法及其系统
本专利技术涉及存储
，尤其涉及一种解决Nand闪存的数据保持发生错误的方法及其系统。
技术介绍
TLC(Triple-LevelCell)闪存为目前市面上应用较为普遍的一种Nand闪存，TLC利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储3个字节的信息，约500-1000次擦写寿命。随着时间的延长，TLC闪存会出现数据保持(DataRetention)发生错误的现象。数据保持发生错误主要是由两种原因造成的：一是栅氧化层的经时击穿导致低场漏电电流变得越来越大，漏电电流变大又导致单元保存阈值电压转移能力变弱，从而产生数据保持出错；二是擦除和写入操作也会导致氧化层收集电荷，会影响单元的阈值电压，当电荷脱阱时，阈值漂移，bit发生翻转。ECC(ErrorCorrectingCode，错误修正码)是将信息进行8比特位的编码，采用这种方式可以恢复1比特位的错误，ECC可以从逻辑上分离错误并且将错误更正，使系统得以持续正常地操作。但当闪存中的块发生错误的比特位较多时，此时ECC不能对块的错误进行更正。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是：提供一种有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种解决Nand闪存的数据保持发生错误的方法，其特征在于，包括：当Nand闪存处于开机或者待机状态时，间隔预设时间依次对Nand闪存中的一块进行读取操作；根据所述读取操作判断所述一块中需要利用错误修正码进行修正的比特位是否大于预设值；若是，则将所述一块的数据存放至Nand闪存的一自由块中。

【技术特征摘要】
1.一种解决Nand闪存的数据保持发生错误的方法，其特征在于，包括：当Nand闪存处于开机或者待机状态时，间隔预设时间依次对Nand闪存中的一块进行读取操作；根据所述读取操作判断所述一块中需要利用错误修正码进行修正的比特位是否大于预设值；若是，则将所述一块的数据存放至Nand闪存的一自由块中。2.根据权利要求1所述的解决Nand闪存的数据保持发生错误的方法，其特征在于，所述将所述一块的数据存放至Nand闪存的一自由块中之后还包括：擦除所述一块中的数据；在擦除数据后的所述一块中写入数据。3.根据权利要求1所述的解决Nand闪存的数据保持发生错误的方法，其特征在于，所述间隔预设时间依次读取Nand闪存中的一块的数据具体为：间隔预设时间，根据映射表依次对Nand闪存中的一块进行读取操作。4.根据权利要求1所述的解决Nand闪存的数据保持发生错误的方法，其特征在于，所述预设...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙成思，孙日欣，李振华，赖永富，
申请(专利权)人：惠州佰维存储科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44