一种扩散低表面浓度提效工艺制造技术

本发明专利技术涉及太阳能电池板制造技术领域，尤其为一种扩散低表面浓度提效工艺，包括以下步骤，步骤1)装片送片；步骤2)升温；步骤3)预氧化；步骤4)第一次扩散；步骤5)第一次推进；步骤6)第二次扩散；步骤7)第二次推进；步骤8)降温；步骤9)退舟。通过增大前氧，加强预氧化，提高扩散前钝化效果；优化扩散、推进步时间及温度，采用低温慢推原理，减少高温带来的热损伤；调整扩散N2‑POCl3流量，降低硅片表面磷浓度，减少重掺杂效应的禁带收缩，降低死层，减少表面复合；同时改变扩散步O2流量，减小扩散步O2对磷扩散的阻碍，提升方阻均匀性，提升转换效率。

Diffusion low surface concentration extraction process

The present invention relates to the technical field of solar panel manufacturing, especially for a low concentration of surface diffusion efficiency process comprises the following steps: Step 1) with feeding; step 2) heating step 3); pre oxidation; step 4) first diffusion; step 5) the first step forward; 6) second diffusion step 7); second advance; step 8) cooling; step 9) return boat. With the increase of oxygen before, to strengthen pre oxidation, improve the passivation effect before diffusion; diffusion, promote the optimization step time and temperature, the low temperature and slow push principle, reduce the heat damage of high temperature caused by diffusion of N2 POCl3; adjust the flow, reduce the surface phosphorus concentration, reduce the band gap shrinkage heavy doping effect, reduce dead layer, reduce the surface composite; and change the diffusion step O2 flow, reduce the diffusion step O2 on phosphorus diffusion barriers, enhance resistance uniformity, improve conversion efficiency.

【技术实现步骤摘要】
一种扩散低表面浓度提效工艺
本专利技术涉及太阳能电池板制造
，具体为一种扩散低表面浓度提效工艺。
技术介绍
车间扩散工艺存在缺陷，造成结深略深，死层偏厚，导致载流子复合加快，导致电性损失；而且扩散工艺温度相对较高，硅片易产生高温带来的热缺陷；为提升转换效率，需要优化当前的生产工艺。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种扩散低表面浓度提效工艺，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。所述扩散低表面浓度提效工艺具有加强预氧化，优化扩散和推进步时间，低温慢推的特点。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种扩散低表面浓度提效工艺，包括以下步骤，步骤1)装片送片：将清洗甩干的硅片装入石英舟，将装满硅片的石英舟缓缓推入扩散炉；步骤2)升温：对石英舟加热，使温度达到775℃-795℃；步骤3)预氧化：通入O2进行预氧化，预氧化时间为180-220s，通入的O2流量为1900-2100sccm；步骤4)第一次扩散：将炉内温度升高至805℃-815℃，O2流量调整为500-700sccm，通入N2-POCl3且流量为1150-1250sccm，按照设定时间进行扩散，扩散时间为580s-620s本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种扩散低表面浓度提效工艺，其特征在于：包括以下步骤，步骤1)装片送片：将清洗甩干的硅片装入石英舟，将装满硅片的石英舟缓缓推入扩散炉；步骤2)升温：对石英舟加热，使温度达到775℃‑795℃；步骤3)预氧化：通入O2进行预氧化，预氧化时间为180‑220s，通入的O2流量为1900‑2100sccm；步骤4)第一次扩散：将炉内温度升高至805℃‑815℃，O2流量调整为500‑700sccm，通入N2‑POCl3且流量为1150‑1250sccm，按照设定时间进行扩散，扩散时间为580s‑620s；步骤5)第一次推进：使表面的磷，向硅片体内推进，停止通入O2与N2‑POCl3，推进280s‑3...

【技术特征摘要】
1.一种扩散低表面浓度提效工艺，其特征在于：包括以下步骤，步骤1)装片送片：将清洗甩干的硅片装入石英舟，将装满硅片的石英舟缓缓推入扩散炉；步骤2)升温：对石英舟加热，使温度达到775℃-795℃；步骤3)预氧化：通入O2进行预氧化，预氧化时间为180-220s，通入的O2流量为1900-2100sccm；步骤4)第一次扩散：将炉内温度升高至805℃-815℃，O2流量调整为500-700sccm，通入N2-POCl3且流量为1150-1250sccm，按照设定时间进行扩散，扩散时间为580s-620s；步骤5)第一次推进：使表面的磷，向硅片体内推进，停止通入O2与N2-POCl3，推进280s-320s；步骤6)第二次扩散：将炉内温度升高至825℃-835℃，通入O2及N2-POCl3，其流量设置与步骤4)第一次扩散一致，按照设定时间进行扩散，扩散时间为280s-320s；步骤7)第二次推进：停止通入O2与N2-POCl3，推进480s-520s；步骤8)降温：通入O...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈亚光，李强强，魏飞，
申请(专利权)人：通威太阳能合肥有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34