用于去除含有背部晶圆金属化层的光刻胶剥离液制造技术

本发明专利技术涉及用于去除含有背部晶圆金属化层的光刻胶剥离液，包括有机醇胺、极性有机溶剂、腐蚀抑制剂、有机强还原剂、表面活性剂，本发明专利技术所述用于去除含有背部晶圆金属化层的光刻胶剥离液不含有水、氟化物、氧化剂、研磨颗粒。同时，本发明专利技术中所含有的有机强还原剂可与氧气或金属氧化物发生氧化还原反应，阻止氧气对金属的腐蚀，该强还原剂还可以与金属腐蚀缓蚀剂产生协同效应，增强金属基底的保护。本发明专利技术的光刻胶剥离液能够非常有效的去LED芯片和半导体晶圆上的光刻胶和光刻胶残余物，同时不腐蚀晶圆基底材料，特别是不腐蚀晶圆背部金属化层（Ti/Ni/Ag层或Ti/Ni/Au层），操作窗口较大，使用寿命较长。

Photoresist stripping solution for removing metallization layer containing back wafer

The invention relates to a method for removing photoresist stripping liquid containing the wafer back metallization layer, including organic amine, polar organic solvent, organic corrosion inhibitor, strong reducing agent, surface active agent, the invention is used for removing the photoresist stripping liquid containing the wafer back metallization layer does not contain water, fluoride, oxidant and abrasive particles. At the same time, the invention contains strong organic reductant in the redox reaction can occur with oxygen or metal oxide, prevent the oxygen corrosion of the metal, and metal corrosion can also produce synergistic effects of the agent is a strong reducing agent, enhance the protection of the metal substrate. Photoresist stripping liquid of the invention can be very effective to LED chip and the semiconductor wafer on the photoresist and photoresist residues without corrosion wafer substrate, especially the wafer back metallization layer corrosion (Ti/Ni/Ag layer or Ti/Ni/Au layer), windows larger, longer service life.

【技术实现步骤摘要】
用于去除含有背部晶圆金属化层的光刻胶剥离液
本专利技术涉及化学品制剂领域，具体是一种用于去除LED和半导体器件等微电子基底光刻胶残余物的光刻胶剥离液，此光刻胶剥离液含有的腐蚀抑制剂和其它助剂成分会产生协同效应，在去除表面光刻胶残余物的同时，能有效的保护晶圆基底以及晶圆背部金属化层不受腐蚀。
技术介绍
在通常的LED和半导体器件制造过程中，需要光刻胶作为抗掩模进行图案化转移，经过曝光、显影、蚀刻等光刻工艺并完成图案化转移之后，需要去除光刻胶残余物，以便进行下一道工艺。在这个过程中要求完全除去光刻胶残余物，同时不能腐蚀任何基材。当前，在功率半导体器件和部分LED芯片制造过程中，为了使功率半导体器件和LED芯片具有较低的导通电阻，通常采用的技术手段是金属化晶圆背面，通过对晶圆背面剪薄清洗等工艺之后，在晶圆背面依次形成钛（Ti）/镍（Ni）/银（Ag）的金属层(少量的晶圆背面金属化层为Ti/Ni/Au)。因此要求在去除光刻胶残余物的工艺中，不能对晶圆背部最上层的金属化层Ag（Au）造成腐蚀和变色。尽管与许多金属相比，银的化学稳定性好，具有较强的抗腐蚀性能，但是由于湿法清洗工艺的特殊性，导致晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于去除含有背部晶圆金属化层的光刻胶剥离液，包括有机醇胺、极性有机溶剂、腐蚀抑制剂、有机强还原剂、表面活性剂，其特征在于各组份满足以下质量百分比：有机醇胺1‑75%、极性有机溶剂20‑95%、腐蚀抑制剂0.01‑15%、有机强还原剂0.01‑10%、表面活性剂0.01‑10%。

【技术特征摘要】
1.用于去除含有背部晶圆金属化层的光刻胶剥离液，包括有机醇胺、极性有机溶剂、腐蚀抑制剂、有机强还原剂、表面活性剂，其特征在于各组份满足以下质量百分比：有机醇胺1-75%、极性有机溶剂20-95%、腐蚀抑制剂0.01-15%、有机强还原剂0.01-10%、表面活性剂0.01-10%。2.根据权利要求1所述用于去除含有背部晶圆金属化层的光刻胶剥离液，其特征在于所述各组份质量百分比优选如下：有机醇胺优选5-70%、极性有机溶剂优选30-90%、腐蚀抑制剂优选0.1-10%、有机强还原剂优选0.1-8%、表面活性剂优选0.1-8%。3.根据权利要求1所述用于去除含有背部晶圆金属化层的光刻胶剥离液，其特征在于所述有机醇胺较佳的为单乙醇胺、N-甲基乙醇胺、N，N-二甲基乙醇胺、N，N-二乙基乙醇胺、异丙醇胺、二异丙醇胺、三异丙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、3-丙醇胺、2-氨基乙醇胺、乙基二乙醇胺、N-(2-氨基乙基)乙醇胺、二甘醇胺中的一种或多种，所述优选单乙醇胺和二甘醇胺中的一种或其混合物。4.根据权利要求1所述用于去除含有背部晶圆金属化层的光刻胶剥离液，其特征在于所述极性有机溶剂较佳的为亚砜、砜、咪唑烷酮、吡咯烷酮、咪唑啉酮、酰胺、醇醚中的一种或多种；该亚砜较佳的为二甲基亚砜、甲乙基亚砜中的一种或多种；该砜较佳的为甲基砜、环丁砜中的一种或多种；该咪唑烷酮较佳的为2-咪唑烷酮、1,3-二甲基-2-咪唑烷酮中的一种或多种；该吡咯烷酮较佳的为N-甲基吡咯烷酮、N-乙基吡咯烷酮、N-环己基吡咯烷酮中的一种或多种；该酰胺较佳的为二甲基甲酰胺、二乙基甲酰胺、二甲基乙酰胺中的一种或多种；该醇醚较佳的为二乙二醇单丁醚、三乙二醇单丁醚、二丙二醇单甲醚、三丙二醇单甲醚，同时，所述极性有机溶剂还包括四氢糠醇、1,4-丁内酯等中的一种或多种。5.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘江华，
申请(专利权)人：昆山欣谷微电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32