一种光刻胶剥离液制造技术

本发明专利技术涉及一种光刻胶剥离液，包括特征性有机胺、辅助性有机胺、极性有机溶剂、腐蚀抑制剂，主要针对当前的光刻胶剥离液操作窗口小，对晶圆基底腐蚀性较强，特别是对深度硬化交联的光刻胶残余物以及负型厚膜光刻胶去除能力较弱等问题，提供一种去胶能力强，操作窗口大，不腐蚀晶圆基底的光刻胶剥离液。本发明专利技术的光刻胶剥离液能够非常有效的去LED芯片和半导体晶圆上的光刻胶和光刻胶残余物，尤其对于去除深度硬化交联的光刻胶残余物和厚膜负性光刻胶具有较强的去除能力。同时不腐蚀晶圆基底材料，操作窗口较大，使用寿命较长。

Photoresist stripping liquid

The present invention relates to a photoresist stripping solution, including the characteristics of organic amine, auxiliary organic amine, polar organic solvent, a corrosion inhibitor, mainly for photoresist stripping liquid operation window of the current small, strong corrosion of the wafer substrate, especially on the depth of the hardened cross-linking photoresist residue and negative type thick film the photoresist removal ability is weak and other issues, provide a strong ability to glue, operation window, photoresist stripping liquid corrosion wafer substrate. Photoresist stripping liquid of the invention can be very effective to LED chip and the semiconductor wafer on the photoresist and the photoresist residue, especially has stronger removal ability for photoresist residue and thick negative photoresist removal depth of hardening crosslinking. At the same time, the wafer base material is not corroded, and the operation window is large, and the service life is long.

【技术实现步骤摘要】
一种光刻胶剥离液
本专利技术涉及化学品制剂领域，具体是一种用于去除LED和半导体器件等微电子基底光刻胶残余物的光刻胶剥离液。
技术介绍
在通常的LED和半导体器件制造过程中，需要光刻胶作为抗掩模进行图案化转移，经过曝光、显影、蚀刻等光刻工艺并完成图案化转移之后，需要去除光刻胶残余物，以便进行下一道工艺。在这个过程中要求完全除去光刻胶残余物，同时不能腐蚀任何基材。目前，光刻制程中所用的光刻胶主要以Novolic正胶和聚丙烯酸酯类负胶为主，与之相对应的去胶液主要就是碱性光刻胶剥离液。其中一类碱性光刻胶剥离液主成分中含有无机强碱如氢氧化钾（KOH），氢氧化钠（NaOH）或者季铵化合物。如US6040117A1公开了一种有机碱性的清洗液，其组成是四甲基氢氧化铵（TMAH）、二甲基亚砜（DMSO）、1,3-二甲基-2-咪唑啉酮和水；US2006115970公开了一种光刻胶剥离液，其组成是季铵化合物，羟胺及其衍生物，有机溶剂和水。US5962197A1公开了一种无机碱类的清洗液，其组成是吡咯烷酮、醇醚、氢氧化钾、二甘醇胺，1,3-丁二醇和表面活性剂。这类光刻胶剥离液在清洗过程中能够非常有效的去除本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光刻胶剥离液，包括特征性有机胺、辅助性有机胺、极性有机溶剂、腐蚀抑制剂，其特征在于各组份质量百分比含量为：特征性有机胺1‑75%、辅助性有机胺0‑60%、极性有机溶剂20‑90%、腐蚀抑制剂0.01‑10%。

【技术特征摘要】
1.一种光刻胶剥离液，包括特征性有机胺、辅助性有机胺、极性有机溶剂、腐蚀抑制剂，其特征在于各组份质量百分比含量为：特征性有机胺1-75%、辅助性有机胺0-60%、极性有机溶剂20-90%、腐蚀抑制剂0.01-10%。2.根据权利要求1所述一种光刻胶剥离液，其特征在于所述各组分质量百分比含量优选为：特征性有机胺优选5-70%、辅助性有机胺优选5-50%、极性有机溶剂优选30-85%、腐蚀抑制剂优选0.1-8%。3.根据权利要求1所述一种光刻胶剥离液，其特征在于所述特征性有机胺为羟乙基乙二胺。4.根据权利要求1所述一种光刻胶剥离液，其特征在于所述辅助性有机胺包括有机脂肪胺和有机醇胺，所述有机脂肪胺优选二甲胺、二乙胺、二丙胺、环丙胺、三乙胺、乙二胺、1,2-丙二胺、二正丁胺、已胺、正丁胺、2-乙基已胺、1,4-丁二胺、三亚乙基二胺、二亚乙基三胺、六亚甲基四胺、六亚甲基亚胺、吗林、N-氨丙基吗林、哌嗪、哌啶、环已胺，所述有机醇胺优选单乙醇胺、N-甲基乙醇胺、N,N-二甲基乙醇胺、N,N-二乙基乙醇胺、异丙醇胺、二异丙醇胺、三异丙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、3-丙醇胺、2-氨基乙醇胺、乙基二乙醇胺、N-(2-氨基乙基)乙醇胺、二甘醇胺中的一种或多种，其中优选单乙醇胺、二甘醇胺中的一种或其混合物。5.根据权利要求1所述一种光刻胶剥离液，其特征在于所述极性有机溶剂较佳的为亚砜、砜、咪唑烷酮、吡咯烷酮、咪唑啉酮、酰胺、醇醚中的一种或多种；该亚砜较佳的为二甲基亚砜、甲乙基亚砜中的一种或多种；该砜较佳的为甲基砜、环丁砜中的一种或多种；该咪唑烷酮较佳的为2-咪唑烷酮、1,3-二甲基-2-咪唑烷...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘江华，
申请(专利权)人：昆山欣谷微电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32