光刻胶剥离液组合物制造技术

本发明专利技术提供一种光刻胶剥离液组合物，其中，该光刻胶剥离液组合物由有机硅类化合物、丙烯酸酯类共聚物和有机溶剂组成。本发明专利技术的光刻胶剥离液组合物，作为表面活性剂加入了有机硅类化合物，作为应力均衡剂加入了丙烯酸酯类共聚物，因此提高了对光刻胶的溶解性和剥离性，解决了光刻胶的残留或渗透污染问题。

Photoresist stripping liquid composition

The present invention provides a photoresist stripping liquid composition wherein the photoresist stripping liquid composition is composed of organosilicon compound, acrylic copolymer and organic solvent. Photoresist stripping liquid composition of the invention, as the addition of surface active agent organosilicon compounds, as the stress equilibrium agent adding acrylate copolymer, thus increasing the solubility and the photoresist stripping solution, photoresist residue or penetration pollution.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光刻胶的去除技术，尤其涉及一种光刻胶剥离液组合物。
技术介绍
在液晶显示装置以及半导体元件等的制造工艺中，通常采用光刻技术形成所需的 图形。以制造液晶显示装置的彩色滤光片为例，利用光刻胶进行刻蚀的过程主要包括 利用旋转涂布(spin coating)、狭缝涂布(slit coating)或狭缝与旋转涂布(slU&spin coating)等方法，在玻璃基板上均勻涂布一层光刻胶；干燥已涂布的光刻胶；使用掩模板 对上述基板曝光；将已曝光的基板采用显影液对其进行显影处理，经过显影工序去除未感 光部分的光刻胶，获得所需的图形；在烘箱内烘烤，从而完全蒸发掉光刻胶里面的溶剂，并 坚固光刻胶膜层。上述利用旋转涂布、狭缝涂布或狭缝与旋转涂布等方法涂布光刻胶的过程中，因 为采用任何一个工艺，都不可避免地将光刻胶涂布于基板边缘或背面，这些多余的光刻胺 会造成设备污染，从而增加了清洗设备的生产成本，所以必须用光刻胶剥离液去除多余光 刻胶。现有的光刻胶剥离液一般包含有机胺类化合物、有机溶剂以及表面活性剂，其中， 有机胺类化合物可以是二乙胺、乙二醇胺、异丙醇胺、链烷基醇胺或单乙醇胺等，有机溶剂 可以是丙酮、环己酮、乙酸甲酯、乙二醇单甲醚或三乙二醇等，表面活性剂可以是丙烯酸共 聚物等。但是上述光刻胶剥离液，在浸泡清洗时，成份中的有机胺类化合物容易分解并呈 碱性，因此容易腐蚀掉铝、铜等金属，并且由于其剥离性差，因此无法完全去除光刻胶残留 物，当溶解光刻胶的时间越长，残留物渗透到要形成的图形层中的几率就越大，从而容易造 成液晶显示器件或半导体元件等的不良，影响最终产品的质量。
技术实现思路
本专利技术提供一种光刻胶剥离液组合物，以提高对光刻胶的溶解性和剥离性，解决 光刻胶的残留或渗透污染的问题。为了实现上述目的，本专利技术提供一种光刻胶剥离液组合物，其中，所述光刻胶剥离 液组合物由有机硅类化合物、丙烯酸酯类共聚物和有机溶剂组成。所述有机硅类化合物的含量优选为所述光刻胶剥离液组合物总重量的0. 0005 1%。所述丙烯酸酯类共聚物含量优选为所述光刻胶剥离液组合物总重量的0. 0001 1. 5%。所述丙烯酸酯类共聚物的含量优选为所述光刻胶剥离液组合物总重量的 0. 0001 1%。3所述有机硅类化合物优选为二苯基聚硅氧烷、甲基苯基聚硅氧烷、有机改性硅氧 烷、聚醚硅氧烷共聚物或氟化硅氧烷。所述有机溶剂优选包括多种成份，每种成份的含量为所述光刻胶剥离液组合物总 重量的5% -97. 5%。所述有机溶剂优选包括丙二醇单甲基醚、丙二醇乙醚、丙二醇单甲基醚醋酸酯、甲 基丙烯酸丁酯、环己烷、环己酮、丁基卡必醇、丙酸-3-乙醚乙酯、丁基卡必醇醋酸酯和伽 马-丁内酯中的两种以上。在一种优选光刻胶剥离液组合物中，所述有机硅类化合物的重量百分比为 0. 00075%，所述丙烯酸酯类共聚物的重量百分比为1 %，所述有机溶剂为环己酮、甲基丙烯 酸丁酯和丙二醇乙醚的混合物且每种成份的重量百分比为20^^20%和58. 99925%。在另一种优选光刻胶剥离液组合物中，所述有机硅类化合物的重量百分比为 0. 01%，所述丙烯酸酯类共聚物的重量百分比为0. 75%，所述有机溶剂为环己酮、甲基丙烯 酸丁酯和丙二醇乙醚的混合物且每种成份的重量百分比为5%、15%和79.对％。在再一种优选光刻胶剥离液组合物中，所述有机硅类化合物的重量百分比为 0. 001%，所述丙烯酸酯类共聚物的重量百分比为0. 75%，所述有机溶剂为环己酮和丙二醇 乙醚的混合物且每种成份的重量百分比为15%和84. 249%。本专利技术的光刻胶剥离液组合物，作为表面活性剂加入了有机硅类化合物，作为应 力均衡剂加入了丙烯酸酯类共聚物，因此提高了对光刻胶的溶解性和剥离性，解决了光刻 胶的残留或渗透污染问题。具体实施例方式本专利技术的光刻胶剥离液组合物由有机硅类化合物、丙烯酸酯类共聚物和有机溶剂 组成。本专利技术的光刻胶剥离液组合物，作为表面活性剂加入了有机硅类化合物，作为应力均 衡剂加入了丙烯酸酯类共聚物，并且加入了适当量的有机溶剂，可以降低光刻胶与基板的 表面张力，提高光刻胶剥离液组合物对光刻胶的溶解性，使光刻胶更容易从基板表面剥离。上述有机硅类化合物在光刻胶剥离液组合物中起到表面活性剂的作用，即降低 光刻胶与基板的表面张力，但由于具有起泡性，因此其含量过高时会使光刻胶剥离液组合 物产生泡沫造成基板不易彻底清洗，同时如果其含量过低会降低对光刻胶的溶解性和剥离 性。因此，上述有机硅类化合物的含量优选为光刻胶剥离液组合物总重量的0. 0005 1 %。 并且，上述有机硅类化合物优选为二苯基聚硅氧烷、甲基苯基聚硅氧烷、有机改性硅氧烷、 聚醚硅氧烷共聚物或氟化硅氧烷，具体也可以采用德国迪高生产的glide 432、glide 435 或glide 450系列，或者德国毕克生产的BI333或BI378等系列。本专利技术的光刻胶剥离液组合物中的丙烯酸酯类共聚物，其含量优选为光刻胶剥离 液组合物总重量的0.0001 1.5%，更佳为0.0001 1%。上述丙烯酸酯类共聚物起到 应力均衡的作用，可提高表面张力的均衡性，同时能提高对光刻胶的剥离性能，使得光刻胶 的剥离更加完全、快速和彻底。上述丙烯酸酯类共聚物可以采用德国毕克生产的或 ΒΙ361Ν系列，或者采用德国迪高生产的Flow 300, Flow 370或Flow ZFS460等系列。上述有机溶剂可以包括多种成份，每种成份的含量为所述光刻胶剥离液组合物总 重量的5% -97. 5%。通过采用两种以上的有机溶剂可以增强剥离液对光刻胶的溶解性。上述有机溶剂可以包括脂肪醇、乙二醇醚、乙酸乙酯、甲乙酮、甲基异丁基酮、丙二 醇乙醚、甲基丙烯酸丁酯、单甲基醚乙二醇酯、Y - 丁内酯、丙酸-3-乙醚乙酯、丁基卡必醇、 丁基卡必醇醋酸酯、丙二醇单甲基醚、丙二醇单甲基醚醋酸酯、二甲基乙酰胺、环己酮、二甲 苯、异丙醇和正丁醇中的两种以上物质。但是，优选地包括丙二醇单甲基醚、丙二醇乙醚、丙 二醇单甲基醚醋酸酯、甲基丙烯酸丁酯、环己烷、环己酮、丁基卡必醇、丙酸-3-乙醚乙酯、 丁基卡必醇醋酸酯和Y-丁内酯中的两种以上物质。在上述方案的基础上，本专利技术的光刻胶剥离液组合物中的有机硅类化合物的重量 百分比优选为0. 00075%，丙烯酸酯类共聚物的重量百分比优选为1%，有机溶剂优选地选 择环己酮、甲基丙烯酸丁酯和丙二醇乙醚的混合物且每种成份的重量百分比优选为20%、 20%和58. 99925% ；或者，有机硅类化合物的重量百分比优选为0. 01 %，丙烯酸酯类共聚物 的重量百分比优选为0. 75%，有机溶剂优选地选择环己酮、甲基丙烯酸丁酯和丙二醇乙醚 的混合物且每种成份的重量百分比优选为5%、15%和79. 或者，有机硅类化合物的重 量百分比优选为0. 001%，丙烯酸酯类共聚物的重量百分比优选为0. 75%，有机溶剂优选 地选择环己酮和丙二醇乙醚的混合物且每种成份的重量百分比优选为15%和84. 249%。下面，通过实施例进一步详细说明本专利技术，但是，下列实施例仅是为了理解本专利技术 而并非局限于此。以下实施例和比较例中所选择的有机硅类化合物为Glide 432(生产商为德 国迪高本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种光刻胶剥离液组合物，其特征在于：所述光刻胶剥离液组合物由有机硅类化合物、丙烯酸酯类共聚物和有机溶剂组成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨久霞，赵吉生，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]