驱动电路制造技术
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】驱动电路
本专利技术涉及一种驱动电路。
技术介绍
以往，已知有驱动开关元件等后级电路的驱动电路(例如，参照专利文献1)。驱动电路输出与输入信号对应的逻辑值的控制信号，来驱动后级电路。驱动电路具有将来自以低电压动作的前级电路的输入信号的电平进行转换的电平转换电路、和根据电平转换电路的输出来生成控制信号的控制电路。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2011-139423号公报
技术实现思路
技术问题驱动电路存在产生浪涌电压的情况。例如在后级的开关元件进行开关的情况下，存在产生大的浪涌电压的情况。已知有如下课题：如果浪涌电压传递到电平转换电路侧，则与浪涌电压对应的信号会被输入到控制电路，控制电路会输出错误的逻辑值的控制信号。技术方案在本专利技术的形态中，根据被输入的置位信号和复位信号来驱动后级电路的驱动电路可以具备置位侧电平转换电路、复位侧电平转换电路和控制电路。置位侧电平转换电路可以根据置位信号而动作，并生成置位电位。复位侧电平转换电路可以根据复位信号而动作，并生成复位电位。控制电路可以生成与置位电位和复位电位对应的控制信号而驱动后级电路。置位侧电平转换电路和复位侧...
【技术保护点】
一种驱动电路，其特征在于，根据被输入的置位信号和复位信号来驱动后级电路，所述驱动电路具备：置位侧电平转换电路，根据所述置位信号而动作，并生成置位电位；复位侧电平转换电路，根据所述复位信号而动作，并生成复位电位；以及控制电路，生成与所述置位电位和所述复位电位对应的控制信号而驱动所述后级电路，其中，所述置位侧电平转换电路和所述复位侧电平转换电路各自具有：输入晶体管，设置于高电位与基准电位之间，根据所述置位信号或所述复位信号而动作，将漏极电位作为所述置位电位或所述复位电位输出；以及串联晶体管部，包括串联连接在所述输入晶体管的漏极端子与所述高电位之间的第一MOS晶体管和第二MOS晶...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.04.09 JP 2015-0797501.一种驱动电路，其特征在于，根据被输入的置位信号和复位信号来驱动后级电路，所述驱动电路具备：置位侧电平转换电路，根据所述置位信号而动作，并生成置位电位；复位侧电平转换电路，根据所述复位信号而动作，并生成复位电位；以及控制电路，生成与所述置位电位和所述复位电位对应的控制信号而驱动所述后级电路，其中，所述置位侧电平转换电路和所述复位侧电平转换电路各自具有：输入晶体管，设置于高电位与基准电位之间，根据所述置位信号或所述复位信号而动作，将漏极电位作为所述置位电位或所述复位电位输出；以及串联晶体管部，包括串联连接在所述输入晶体管的漏极端子与所述高电位之间的第一MOS晶体管和第二MOS晶体管，所述置位侧电平转换电路和所述复位侧电平转换电路中的所述第一MOS晶体管与所述控制电路所输出的所述控制信号的逻辑值对应地彼此互补动作，所述置位侧电平转换电路还具有置位侧缓冲器，所述置位侧缓冲器将所述置位电位的电平与对应于所述基准电位的阈值进行比较，并基于比较结果来控制所述复位侧电平转换电路的所述第二MOS晶体管，所述复位侧电平转换电路还具有复位侧缓冲器，所述复位侧缓冲器将所述复位电位的电平与对应于所述基准电位的阈值进行比较，并基于比较结果控制所述置位侧电平转换电路的所述第二MOS晶体管。2.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，在负电压的浪涌电压被施加到所述基准电位的情况下，所述置位侧缓冲器和所述复位侧缓冲器将对应的所述第二MOS晶体管控制为断开状态。3.根据权利要求2所述的驱动电路，其特征在于，在正电压的浪涌电压被施加到所述基准电位的情况下，所述置位侧缓冲器和所述复位侧缓冲器将对应的所述第二MOS晶体管控制为导通状态。4.根据权利要求3所述的驱动电路，其特征在于，所述置位侧缓冲器在比所述置位电位的脉冲宽度长的期间，将对应的所述第二MOS晶体管维持在导通状态，所述复位侧缓冲器在比所述复位电位的脉冲宽度长的期间，将对应的所述第二MOS晶体管维持在导通状态。5.根据权利要求4所述的驱动电路，其特征在于...
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