使用多个电流决定开关模式操作混合功率器件的方法和系统技术方案

集成电路包括其中具有不同类型的第一和第二开关器件的混合开关60c。提供了一种控制电路120，其被配置成当第一和第二器件正支撑在第一电流范围内的正向电流时，用分别具有第一和第二不相等的占空比的各自的第一和第二控制信号驱动第一和第二器件。所述控制电路还被配置成当第一和第二器件正支撑在所述第一电流范围外的第二电流范围内的正向电流时用分别具有第三和第四不相等的占空比的各自的第三和第四控制信号驱动第一和第二器件。第一占空比可以大于第二占空比，并且第三占空比可以小于第四占空比。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】使用多个电流决定开关模式操作混合功率器件的方法和系统优先权申请引用本申请要求于2014年7月24日提交的美国临时专利序列号62/028,349和于2014年7月24日提交的美国临时申请序列号62/028,354的优先权。
本专利技术涉及集成电路器件，并且更具体地涉及用于功率开关应用的集成电路器件和操作该器件的方法。
技术介绍
对于许多大功率应用，宽带隙(WBG)功率器件(诸如SiC和GaN功率器件)可以提供相对于Si功率器件的优越的性能特征。例如，如在J.Burm等人在JournalofSemiconductorTechnologyandScience，Vol.6，No.3，pp.175-182，September(2006)上发表的名称为“WideBand-GapFETsforHighPowerAmplifiers”的文章中公开的，具有在从大约2eV到大约6eV的范围内的带隙能量等级的宽带隙半导体材料可以用来为功率放大器中的大功率生成提供高击穿电压，并为更好的隔离提供低介电常数和低耦连。类似的，如J.Reed等人在VehiclePowerandPropulsionConferenc本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成电路，包括：混合开关，所述混合开关包括不同类型的第一和第二开关器件，所述第一和第二开关器件被电耦连在一起以响应于在所述第一和第二开关器件的各自的第一和第二控制端子接收的各自的控制信号支撑其中的并联电流：以及控制电路，所述控制电路被配置成当所述第一和第二开关器件被设置成共同支撑在第一电流范围内的正向电流时，用分别具有第一和第二不相等的占空比的各自的第一和第二周期性控制信号驱动所述第一和第二控制端子，并且还被配置成当所述第一和第二开关器件被设置成共同支撑在所述第一电流范围外的第二电流范围内的正向电流时用分别具有第三和第四不相等的占空比的各自的第三和第四周期性控制信号驱动所述第一和第二控制端...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.07.24 US 62/028,349;2014.07.24 US 62/028,354;1.一种集成电路，包括：混合开关，所述混合开关包括不同类型的第一和第二开关器件，所述第一和第二开关器件被电耦连在一起以响应于在所述第一和第二开关器件的各自的第一和第二控制端子接收的各自的控制信号支撑其中的并联电流：以及控制电路，所述控制电路被配置成当所述第一和第二开关器件被设置成共同支撑在第一电流范围内的正向电流时，用分别具有第一和第二不相等的占空比的各自的第一和第二周期性控制信号驱动所述第一和第二控制端子，并且还被配置成当所述第一和第二开关器件被设置成共同支撑在所述第一电流范围外的第二电流范围内的正向电流时用分别具有第三和第四不相等的占空比的各自的第三和第四周期性控制信号驱动所述第一和第二控制端子，所述第一占空比大于所述第二占空比，并且所述第三占空比小于所述第四占空比。2.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第二周期性控制信号的活动相位仅仅出现在所述第一周期性控制信号的活动相位内。3.根据权利要求2所述的集成电路，其中，所述第三周期性控制信号的活动相位仅仅出现在所述第四周期性控制信号的活动相位内。4.根据权利要求2所述的集成电路，其中，所述第二周期性控制信号的活动至不活动过渡领先所述第一周期性控制信号的相应的活动至不活动过渡。5.根据权利要求4所述的集成电路，其中，所述第一周期性控制信号的不活动至活动过渡领先所述第二周期性控制信号的相应的不活动至活动过渡。6.根据权利要求5所述的集成电路，其中，所述第四周期性控制信号的不活动至活动过渡领先所述第三周期性控制信号的相应的不活动至活动过渡。7.根据权利要求6所述的集成电路，其中，所述第三周期性控制信号的活动至不活动过渡领先所述第四周期性控制信号的相应的活动至不活动过渡。8.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第二开关器件是绝缘栅双极晶体管(IGBT)。9.根据权利要求8所述的集成电路，其中，所述第一开关器件是从以下组成的组中选择的三端子或更多端子的开关器件：结型场效应晶体管(JFET)、绝缘栅场效应晶体管(IGFET)、集成门极换流晶闸管(IGCT)和高电子迁移晶体管(HEMT)。10.根据权利要求9所述的集成电路，其中，所述第一开关器件包括宽带隙半导体材料，且所述第二开关器件是硅IGBT；并且其中，所述宽带隙半导体材料是从由碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)和金刚石组成的组中选择的。11.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述控制电路还被配置成当所述第二开关器件响应于由所述控制电路生成的第五周期性控制信号被设置成支撑在所述第一和第二电流范围中间的第三电流范围内的正向电流时，把所述第一控制端子保持在不活动电压水平。12.根据权利要求11所述的集成电路，其中，所述控制电路还被配置成当所述第一开关器件响应于由所述控制电路生成的第六周期性控制信号被设置成支撑在低于所述第一电流范围的电流范围内的正向电流时，把所述第二控制端子保持在不活动电压水平。13.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述控制电路还被配置成当所述第一开关器件响应于由所述控制电路生成的第六周期性控制信号被设置成支撑在低于所述第一电流范围的电流范围内的正向电流时，把所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵铁夫，何降彪，维贾伊·巴华拉朱，杨孟斌本，
申请(专利权)人：伊顿公司，
类型：发明
国别省市：美国,US