包含无机半导体材料和有机粘合剂的半导体组合物制造技术

本发明专利技术涉及包含无机半导体材料和有机粘合剂的半导体组合物。本发明专利技术进一步涉及包含由这样的半导体组合物组成的半导体层的电子器件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包含无机半导体材料和有机粘合剂的半导体组合物
本专利技术涉及包含无机半导体材料和有机粘合剂的半导体组合物。本专利技术进一步涉及包含由这样的半导体组合物组成的半导体层的电子器件。现有技术的背景和描述无机半导体材料(例如半导体金属氧化物)已经在电子工业中广泛使用，例如在薄膜晶体管(TFT)中。为了获得可接受的电荷迁移率的半导体层，已经证明有利的是，通过气相沉积方法将无机半导体材料沉积到支撑层上。然而，这些方法需要高真空并且经常还使热后处理成为必需以进一步改善半导体层的电荷迁移率。不希望受理论束缚，直接在沉积之后的有限电荷迁移率可能是由于无机半导体材料的微粒性质。电荷在无机半导体材料的颗粒内快速传输，但当必须从一个颗粒“跳”到下一个时减慢。据信热后处理(或“烧结”)增加了粒度，并因此减少了颗粒之间的界面数量。然而，气相沉积方法不太适合大面积涂层的工业生产。为了批量生产，工业因此转向其它沉积方法，例如各种印刷方法，例如喷墨印刷。对于无机半导体材料，已证明其有限的溶解度是主要缺点，其可以潜在地避免，例如通过施加可溶性无机前体，例如可溶性金属络合物，然后将其转化为各自的半导体化合物，或通过施本文档来自技高网...

【技术保护点】
半导体组合物，其包含无机半导体材料和有机粘合剂，所述有机粘合剂具有式(I)

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.09.30 EP 14003371.31.半导体组合物，其包含无机半导体材料和有机粘合剂，所述有机粘合剂具有式(I)其中a在每次出现时独立于任意其他地为选自1，2，3，4，5，6和7的整数,A0和A1在每次出现时彼此独立地为C-R5或N，条件是A0和A1中至少之一为N,b1，b2，b3，b4，c1，c2，c3和c4各自在每次出现时彼此独立地为0或1,Sp1，Sp2，Sp3和Sp4在每次出现时彼此独立地选自式(III-a)至(III-h)Ar1，Ar2，Ar3和Ar4在每次出现时彼此独立地选自式(II),其中*表示至各个基团Sp1，Sp2，Sp3或Sp4的各个键或若它们不存在，则表示至式(II)的中心单元的各个键，至各个基团R1，R2，R3或R4的各个键和至取代基R7和R8的各个键；R1，R2，R3，R4和若存在的R5和R6在每次出现时彼此独立地为基团RA或基团RB，条件是R1，R2，R3，R4和若存在的R5和R6中至少之一为基团RA，RA在每次出现时独立地选自(i)H，F，Br，Cl，-CN，-CH2Br，-CH2OR0，-NC，-NCO，-NCS，-OCN，-SCN，-C(O)NR0R00，-C(O)X0，-C(O)R0，-C(O)R0-OR00，-NR0R00，-PR0R00，-O-P(OR0)(OR00)，-O-PH(O)-OR0，-SH，-SR0，-S(O)R0，-SO3H，-SO2R0，-SO3R0，-NO2，-SF5，-C≡C-R0，-CR0＝CR00R000,(ii)具有1至40个碳原子的氟化烷基,(iii)具有1至40个碳原子的烷基或氟化烷基，其中两个相邻的碳原子被-CR0＝CR00-或-C≡C-替代,(iv)具有1至40个碳原子的烷基或氟化烷基，其中一个或多个，优选不相邻的碳原子被杂原子或杂原子基团替代,(v)具有6至30个碳环原子的芳基,(vi)具有5至30个环原子的杂芳基,其中所述芳基和杂芳基可未被取代或被一个或多个基团RS取代，和其中所述烷基和氟化烷基可被一个或多个选自RS，本文所限定的芳基和杂芳基的基团取代,RB在每次出现时独立地选自(i)H，-SiR0R00R000,(ii)具有1至40个碳原子的烷基,(iii)具有1至39个碳原子的烷氧基,(iv)-(CH2)d-R9，其中d为整数1至5，和R9选自(a)-SiR0R00R000，-C≡C-SiR0R00R000,(b)具有1至19个碳原子的烷基,(c)具有1至19个碳原子的烷基，其中两个相邻的碳原子被-CR0＝CR00-或-C≡C-替代,(d)具有1至19个碳原子的烷基，其中一个或多个，优选不相邻的碳原子被本文所限定的杂原子或杂原子基团替代,(e)具有6至30个碳环原子的芳基，和(f)具有5至30个环原子的杂芳基,其中所述芳基和杂芳基可未被取代或被一个或多个基团RS取代，和其中所述烷基和氟化烷基可被一个或多个选自RS，芳基和杂芳基的基团取代,R0，R00和R000在每次出现时彼此独立地选自H，F，C1-40有机基或有机杂基，和取代的C1-40有机基或有机杂基，X0在每次出现时独立地选自F，Cl，Br和I，RS在每次出现时独立地选自具有1至30个碳原子的烷基，具有1至30个碳原子的卤代烷基，具有6至30个碳环原子的芳基，被至少一个独立地选自F，Cl，Br，I的基团取代的具有6至30个碳环原子的芳基，具有1至30个碳原子的烷基和具有1至30个碳原子的卤代烷基，具有1至30个环原子的杂芳基，被至少一个独立地选自F，Cl，Br，I的基团取代的具有1至30个环原子的杂芳基，具有1至30个碳原子的烷基和具有1至30个碳原子的卤代烷基。2.根据权利要求1的半导体组合物，其中式(II)的中心单元彼此独立地选自式(II-a)至(II-e)其中A1，A2，A3，A4，A5和A6在每次出现时彼此...

【专利技术属性】
技术研发人员：K·邦拉德，M·雷哈恩，N·克尔摩安德尔，P·蒙特，
申请(专利权)人：默克专利股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE