发光器件、包括发光器件的发光器件封装以及包括发光器件封装的发光装置制造方法及图纸
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光器件、包括发光器件的发光器件封装以及包括发光器件封装的发光装置
实施例涉及一种发光器件、包括该器件的发光器件封装以及包括该封装的发光装置。
技术介绍
基于氮化镓(GaN)的金属有机化学气相沉积法、分子束外延法等的发展，已经开发出了红光、绿光和蓝光发光二极管(LED)，其具有高亮度，并且能实现白光。这样的LED不含有对环境有害的材料，例如，在诸如白炽灯和荧光灯之类的现有灯具中使用的汞(Hg)，从而表现出优异的环境友好性，寿命长，功耗低，因此正在取代传统光源。在这样的LED中的核心竞争因素是使用具有高效率和高功率输出的芯片以及封装技术实现高亮度。为了实现高亮度，重要的是要提高光提取效率。为了增大光提取效率，对于使用倒装芯片结构、表面纹理化、图案化蓝宝石衬底(PSS)、光子晶体技术、防反射层结构等各种方法，进行了各种研究。图1是传统发光器件10的平面图。图1所示的发光器件10由第一和第二电极焊盘22和24、九个发光单元40和用于电连接相邻发光单元40的互连线30形成。就此而言，相邻的发光单元40通过互连线30彼此连接。当互连线30断裂时，存在发光元件10无法操作的问...
【技术保护点】
一种发光器件，包括：衬底；第一发光单元至第M发光单元，布置在所述衬底上，彼此间隔开，其中M是2或大于2的正整数；第一至第M‑1互连线，配置为将所述第一发光单元至第M发光单元串联连接；其中第m发光单元包括顺序布置在所述衬底上的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层，其中1≤m≤M；以及其中第n互连线将第n发光单元的第一导电类型半导体层连接到第n+1发光单元的第二导电类型半导体层，第n互连线包括彼此间隔开的多个第一分支线，其中1≤n≤N，N是M‑1。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.10.17 KR 10-2014-01408731.一种发光器件，包括：衬底；第一发光单元至第M发光单元，布置在所述衬底上，彼此间隔开，其中M是2或大于2的正整数；第一至第M-1互连线，配置为将所述第一发光单元至第M发光单元串联连接；其中第m发光单元包括顺序布置在所述衬底上的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层，其中1≤m≤M；以及其中第n互连线将第n发光单元的第一导电类型半导体层连接到第n+1发光单元的第二导电类型半导体层，第n互连线包括彼此间隔开的多个第一分支线，其中1≤n≤N，N是M-1。2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一互连线至第N互连线中包括的第一分支线的数量彼此相等。3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一互连线至第N互连线中包括的第一分支线的数量彼此不同。4.根据权利要求3所述的发光器件，其中所述第一导电类型半导体层包括n型半导体层，所述第二导电类型半导体层包括p型半导体层。5.根据权利要求4所述的发光器件，其中所述第一分支线的数量随着所述第一分支线从所述第一互连线接近所述第n互连线而增加。6.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一发光单元至第M发光单元被分成多个组；其中属于与所述第M发光单元相邻的组的互连线中包括的第一分支线的总数大于属于与所述第一发光单元相邻的组的互连线中包括的第一分支线的总数。7.根据权利要求6所述的发光器件，其中包括在多个组中的发光单元的数量彼此不同。8.根据权利要求6所述的发光器件，其中包括在多个组中的发光单元的数量彼此相等。9.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一发光单元至第M发光单元布置成直线。10.根据权利要求9所述的发光器件，其中所述第一发光单元至第M发光单元在第一方向上彼此连接；其中第二方向垂直于所述第一方向；以及其中所述发光器件在所述第一方向上的长度大于所述发光器件在所述第二方向上的宽度。11.根据权利要求1所述的发光器件，还包括：第M+1发光单元至第2M-2发光单元，布置在所述第一发光单元和所述第M发光单元之间，位于所述衬底上且彼此间隔开；以及第M互连线至第2M-2互连线，将所述第一发光单元、第M+1发...
【专利技术属性】
技术研发人员：金省均，金青松，文智炯，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR
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