用于太阳能电池制造的蚀刻工艺制造技术
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于太阳能电池制造的蚀刻工艺
技术介绍
光伏(PV)电池(常被称为太阳能电池)是熟知的用于将太阳辐射转换为电能的装置。一般来讲，照射在太阳能电池基板表面上并进入基板内的太阳辐射在基板主体中形成电子和空穴对。电子和空穴对迁移至基板中的P掺杂区和N掺杂区，从而在掺杂区之间形成电压差。将掺杂区连接到太阳能电池上的导电区，以将电流从电池引导至外部电路。将PV电池组合在诸如PV模块的阵列中时，从所有的PV电池收集的电能可以按串联布置方式和并联布置方式加以组合，以提供具有某一电压和电流的电源。效率是太阳能电池的重要特性，因为其直接关系到太阳能电池的发电能力。因此，通常需要用于改进太阳能电池的制造工艺、降低其制造成本以及提高其效率的技术。附图说明图1示出了根据一些实施例的制造太阳能电池的方法的流程示意图。图2至图7示出了根据一些实施例的太阳能电池在各种工序的剖视图。具体实施方式以下具体实施方式在本质上只是说明性的，而并非意图限制本申请的主题的实施例或此类实施例的用途。如本文所用，词语“示例性”意指“用作实例、例子或举例说明”。本文描述为示例性的任何实施未必理解为相比其他实施优选的或有...
【技术保护点】
一种制造太阳能电池的方法，所述方法包括：在硅基板上方形成第一掺杂剂区；在所述第一掺杂剂区上方形成氧化物区，其中所述氧化物区保护所述第一掺杂剂区免于经历第一蚀刻工艺；在所述硅基板上方形成第二掺杂剂区；在所述第二掺杂剂区的第一部分上方形成掩模，其中所述掩模保护所述第二掺杂剂区的所述第一部分免于经历所述第一蚀刻工艺；以及执行所述第一蚀刻工艺以暴露所述硅基板的多个部分。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.09.26 US 14/498,8501.一种制造太阳能电池的方法，所述方法包括：在硅基板上方形成第一掺杂剂区；在所述第一掺杂剂区上方形成氧化物区，其中所述氧化物区保护所述第一掺杂剂区免于经历第一蚀刻工艺；在所述硅基板上方形成第二掺杂剂区；在所述第二掺杂剂区的第一部分上方形成掩模，其中所述掩模保护所述第二掺杂剂区的所述第一部分免于经历所述第一蚀刻工艺；以及执行所述第一蚀刻工艺以暴露所述硅基板的多个部分。2.根据权利要求1所述的方法，其中执行所述第一蚀刻工艺以暴露所述硅基板的多个部分包括执行定时氧化物蚀刻。3.根据权利要求1所述的方法，其中执行所述第一蚀刻工艺以暴露所述硅基板的多个部分包括使用氢氟酸或硝酸中的至少一种进行蚀刻。4.根据权利要求1所述的方法，其中形成氧化物区包括在所述第一掺杂剂区上形成无掺杂氧化物区。5.根据权利要求1所述的方法，其中在所述硅基板上方形成所述第一掺杂剂包括在所述硅基板上方形成硼。6.根据权利要求1所述的方法，还包括在执行第一蚀刻工艺之前：从所述第一掺杂剂区和所述第二掺杂剂区驱动掺杂剂，以在所述硅基板中或在所述硅基板上方形成第一掺杂区和第二掺杂区。7.根据权利要求6所述的方法，还包括在驱动掺杂剂之前：在所述硅基板上方形成电介质区；以及在所述电介质区上方形成硅区，其中驱动掺杂剂包括在所述硅区中形成第一掺杂区和第二掺杂区。8.根据权利要求7所述的方法，其中在所述电介质区上方形成所述硅区包括在所述电介质区上方形成非晶硅区。9.根据权利要求1所述的方法，其中在所述硅基板上方形成所述第二掺杂剂区包括在所述第一掺杂剂区、氧化物区和所述硅基板上方形成所述第二掺杂剂区。10.一种制造太阳能电池的方法，所述方法包括：在所述硅基板上方形成硅区；在所述硅区上形成第一掺杂剂区；在所述第一掺杂剂区上形成氧化物区，其中所述氧化物区的第一部分保护所述第一掺杂剂区免于经历第一蚀刻工艺，并且所述氧化物区的第二部分保护所述第一掺杂剂区免于经历第二蚀刻工艺；在所述硅区上形成第二掺杂剂区；将掺杂剂从所述第一掺杂剂区和所述第二掺杂剂区驱动到所述硅区，其中所述驱动在所述硅区中形成第一掺杂区和第二掺杂区；在所述第二掺杂剂区的第一部分上形成掩模，其中所述掩模保护所述第二掺杂剂区的...
【专利技术属性】
技术研发人员：斯科特·哈林顿，文卡塔苏布拉马尼·巴鲁，斯塔凡·韦斯特贝格，彼得·约翰·卡曾斯，
申请(专利权)人：太阳能公司，
类型：发明
国别省市：美国,US
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