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本发明提供了一种制造太阳能电池的方法，所述方法可包括在硅基板上方形成第一掺杂剂区，以及在所述第一掺杂剂区上方形成氧化物区。在一个实施例中，所述氧化物区可保护所述第一掺杂剂区免于经历第一蚀刻工艺。在一个实施例中，可在所述硅基板上方形成第二掺杂...
该专利属于太阳能公司所有，仅供学习研究参考，未经过太阳能公司授权不得商用。

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