具有优化的混合漏极接触的场效应晶体管及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种包括衬底和具有沟道区域的半导体结构的场效应晶体管，所述晶体管包括漏极接触、源极接触和栅极，所述源极接触和漏极接触可以在沟道区域中形成电荷载流子流，所述流由所述栅极控制，其特征为：所述漏极接触是包括至少一个基本欧姆连续漏极接触(CDoh)和一个基本肖特基漏极接触(CDsch)的混合漏极接触，所述混合漏极接触与所述半导体结构齐平；所述基本肖特基漏极接触(CDsch)部分或完全重叠所述基本欧姆漏极接触(CDoh)。本发明专利技术还涉及用于制造所述晶体管的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有优化的混合漏极接触的场效应晶体管及其制造方法
本专利技术的领域是场效应元件，尤其是这样的晶体管：其应用领域为RF频率和电力电子学。本专利技术更具体地关注于场效应元件的漏极接触(contact)的接入阻抗和接触的制造，同时便利于能够表现出不同的特性的元件的集中制造，特别是对于具有亚微米栅极尺寸的元件。
技术介绍
通常，场效应晶体管使用三个接触来接触半导体棒：-欧姆源极接触；-栅极，其对应于可以是肖特基(金属-半导体)型的接触或与载流子在其中传播的半导体的类型相反的半导体的结；-欧姆漏极接触；图1示出了场效应晶体管的示意图。常规方案是使用接受电压Vds的两个欧姆漏极CD和源极CS接触，以用于注入和收集载流子(其由电流lds来示意性地表示)，载流子的流动由引至栅极G的水平的电压Vgs来控制。这种类型的元件被广泛使用，并且在介绍性的文章中得到描述，这些文章特别地包括：Physiquedessemiconducteursetdescomposantsélectroniques(Thephysicsofsemiconductorsandelectroniccomponents)Courset本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种包括衬底和具有沟道区域的半导体结构的场效应晶体管，所述晶体管包括漏极接触、源极接触和栅极，所述源极接触和漏极接触能够在沟道区域中形成电荷载流子流，所述流受到所述栅极控制，其特征在于：‑所述漏极接触是包括至少一个基本欧姆连续漏极接触(CD oh)和一个基本肖特基漏极接触(CD sch)的混合漏极接触，所述混合漏极接触与所述半导体结构齐平；‑所述基本肖特基漏极接触(CD sch)部分或完全重叠所述基本欧姆漏极接触(CD oh)。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.10.03 FR 14022381.一种包括衬底和具有沟道区域的半导体结构的场效应晶体管，所述晶体管包括漏极接触、源极接触和栅极，所述源极接触和漏极接触能够在沟道区域中形成电荷载流子流，所述流受到所述栅极控制，其特征在于：-所述漏极接触是包括至少一个基本欧姆连续漏极接触(CDoh)和一个基本肖特基漏极接触(CDsch)的混合漏极接触，所述混合漏极接触与所述半导体结构齐平；-所述基本肖特基漏极接触(CDsch)部分或完全重叠所述基本欧姆漏极接触(CDoh)。2.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，源极接触是包括至少一个基本欧姆源极接触(CSoh)和一个基本肖特基源极接触(CSsch)混合接触。3.根据权利要求1或2所述的场效应晶体管，其特征在于，所述基本肖特基漏极接触(CDsch)和/或基本肖特基源极接触(CSsch)与基本欧姆漏极接触(CDoh)和/或基本欧姆源极接触(CSoh)部分地重叠。4.根据权利要求1或3所述的场效应晶体管，其特征在于，所述栅极包括肖特基类型的接触：金属/导体。5.根据权利要求1至4中的任一项所述的场效应晶体管，其特征在于，所述栅极具有复杂形式，包括：-所谓的底部部分，其被称为栅极脚，其与包括沟道区域的半导体结构相接触，并具有第一截面；-第二所谓的顶部部分，其被称为栅极帽，其与所述底部部分相接触，并具有第二截面；-所述第一截面小于所述第二截面。6.根据权利要求1至5中的任一项所述的场效应晶体管，其特征在于，半导体结构包括成组的III-V材料的层，所述III-V材料中的至少两种材料展现出不同的禁带，最大的禁带用于限制最小的禁带中的自由载流子。7.根据权利要求1至6中的任一项所述的场效应晶体管，其特征在于，其包括覆盖源极接触和/或漏极接触和/或栅极的电介质层。8.根据权利要求7所述的场效应晶体管，其特征在于，其包括在所述栅极的水平位于所述电介质上的金属场板。9.一种包括成组的场效应晶体管的元件，其包括多个根据权利要求1至8中的任一项所述的晶体管的子集：-晶体管(STi)的子集的特征为：对于所述子集的晶体管中的每个，栅极和混合漏极接触之间的宽度(LiG-D)以及所述栅极和所述混合漏极接触的基本欧姆接触之间的宽度(LiG-CDoh)；-从一个子集到另一个子集，所述栅极和混合漏极接触之间的宽度(LiG-D)是不同的；-从一个子集到另一个子集，所述栅极和所述混合漏极接触的基本欧姆接触之间的宽度(LiG-CDoh)是相同的。10....

【专利技术属性】
技术研发人员：S·德拉热，B·卡内兹，R·奥布里，O·雅德尔，N·米歇尔，M·瓦利，
申请(专利权)人：泰勒斯公司，
类型：发明
国别省市：法国,FR