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本发明涉及一种包括衬底和具有沟道区域的半导体结构的场效应晶体管，所述晶体管包括漏极接触、源极接触和栅极，所述源极接触和漏极接触可以在沟道区域中形成电荷载流子流，所述流由所述栅极控制，其特征为：所述漏极接触是包括至少一个基本欧姆连续漏极接触(...
该专利属于泰勒斯公司所有，仅供学习研究参考，未经过泰勒斯公司授权不得商用。

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