晶圆级芯片的封装方法及封装体技术

本申请的实施例公开了晶圆级芯片的封装方法及封装体，涉及半导体技术领域。所述方法包括：将晶圆片与支撑载体贴合；减小所述晶圆片的厚度；在所述晶圆片的背面蚀刻划片槽；在所述晶圆片的背面以及所述划片槽内粘附绝缘层；在所述绝缘层以及所述划片槽的底部添加金属层；去除所述划片槽的底部的所述金属层；在剩余的所述金属层上以及所述划片槽的底部粘附保护层；对所述保护层进行加工得到粘附孔，所述粘附孔的底部为外露的所述金属层；在所述粘附孔的底部的所述金属层上粘附锡球。本申请的实施例能够获得相对较薄的晶圆级芯片的封装体，增加了其机械结构强度，平衡了封装体积和封装强度的要求。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】晶圆级芯片的封装方法及封装体
本申请公开的技术方案涉及半导体
，尤其涉及晶圆级芯片的封装方法及封装体。
技术介绍
当前，业界对指纹芯片的封装既要求体积尽可能的轻薄，同时又要保证封装后的强度。而这两个要求的实现在一定程度上是互相矛盾的。
技术实现思路
本申请公开的技术方案至少能够解决以下技术问题：如何平衡封装体积和封装强度的要求。本申请的一个或者多个实施例公开了一种晶圆级芯片的封装方法，包括：将晶圆片与支撑载体贴合；减小所述晶圆片的厚度；在所述晶圆片的背面蚀刻划片槽；在所述晶圆片的背面以及所述划片槽内粘附绝缘层；在所述绝缘层以及所述划片槽的底部添加金属层；去除所述划片槽的底部的所述金属层；在剩余的所述金属层上以及所述划片槽的底部粘附保护层；对所述保护层进行加工得到粘附孔，所述粘附孔的底部为外露的所述金属层；在所述粘附孔的底部的所述金属层上粘附锡球。在本申请的一个或者多个实施例中，所述将晶圆片与支撑载体贴合包括：在晶圆片的线路面粘附覆盖层；在所述覆盖层粘附支撑载体。在本申请的一个或者多个实施例中，使用晶圆级塑封或者涂布或者喷涂所述覆盖层；对所述覆盖层进行烘烤和去应力处理。在本申请的一个本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶圆级芯片的封装方法，其特征在于，包括：将晶圆片与支撑载体贴合；减小所述晶圆片的厚度；在所述晶圆片的背面蚀刻划片槽；在所述晶圆片的背面以及所述划片槽内粘附绝缘层；在所述绝缘层以及所述划片槽的底部添加金属层；去除所述划片槽的底部的所述金属层；在剩余的所述金属层上以及所述划片槽的底部粘附保护层；对所述保护层进行加工得到粘附孔，所述粘附孔的底部为外露的所述金属层；在所述粘附孔的底部的所述金属层上粘附锡球。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种晶圆级芯片的封装方法，其特征在于，包括：将晶圆片与支撑载体贴合；减小所述晶圆片的厚度；在所述晶圆片的背面蚀刻划片槽；在所述晶圆片的背面以及所述划片槽内粘附绝缘层；在所述绝缘层以及所述划片槽的底部添加金属层；去除所述划片槽的底部的所述金属层；在剩余的所述金属层上以及所述划片槽的底部粘附保护层；对所述保护层进行加工得到粘附孔，所述粘附孔的底部为外露的所述金属层；在所述粘附孔的底部的所述金属层上粘附锡球。2.根据权利要求1所述晶圆级芯片的封装方法，其特征在于，所述将晶圆片与支撑载体贴合包括：在晶圆片的线路面粘附覆盖层；在所述覆盖层粘附支撑载体。3.根据权利要求2所述晶圆级芯片的封装方法，其特征在于，在晶圆片的线路面粘附覆盖层包括：使用晶圆级塑封或者涂布或者喷涂所述覆盖层；对所述覆盖层进行烘烤和去应力处理。4.根据权利要求2所述晶圆级芯片的封装方法，其特征在于，在所述覆盖层粘附支撑载体包括：在所述支撑载体和/或所述覆盖层上涂布有机胶体类的粘合剂；将所述支撑载体与所述覆盖层贴合。5.根据权利要求1所述晶圆级芯片的封装方法，其特征在于，所述减小所述晶圆片的厚度具体为：研磨所述晶圆片的背面。6.根据权利要求1所述晶圆级芯片的封装方法，其特征在于，在所述绝缘层以及所述划片槽的底部增加金属层之前，所述方法还包括：对所述划片槽的底部进行加工，去除其底部的所述绝缘层和所述晶圆片的二氧化硅层，使得焊盘或者重布线层露出。7.根据权利要求1所述晶圆级芯片的封装方法，其特征在于，在所述绝缘层以及所述划片槽的底部增加金属层具体为：在所述绝缘层以及所述划片槽的底部沉积或者电镀金属层。8.根据权利要求1所述晶圆级芯片的封装方法，其特征在于，在所述晶圆片的背面蚀刻划片槽之前，所述方法还包括：对所述晶圆片的背面进行光刻显影和干法蚀刻。9.根据权利要求1所述晶圆级芯片的封装方法，其特征在于，所述划片槽为梯形槽。10.根据权利要求1所述晶圆级芯片的封装方法，其特征在于，所述对所述划片槽的底部进行加工包括进行光刻显影和干法蚀...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴宝全，龙卫，柳玉平，
申请(专利权)人：深圳市汇顶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44