成膜方法、真空处理装置、半导体发光元件的制造方法、半导体发光元件、半导体电子元件的制造方法、半导体电子元件、照明装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够通过溅射法制作+c极性的外延膜的成膜方法、成膜装置。本发明专利技术的一个实施方式为一种成膜方法，针对被加热器加热至规定温度的外延生长用基板通过溅射法来使具有纤锌矿型结构的半导体膜外延生长，该成膜方法具有以下的工序。首先，以上述基板与加热器分离规定距离地进行配置的方式，将上述基板配置于具有加热器的基板保持部。接着，一边调整上述基板保持部的阻抗一边在上述基板上形成具有纤锌矿型结构的半导体膜的外延膜。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】成膜方法、真空处理装置、半导体发光元件的制造方法、半导体发光元件、半导体电子元件的制造方法、半导体电子元件、照明装置
本专利技术涉及一种成膜方法、真空处理装置、半导体发光元件的制造方法、半导体发光元件、半导体电子元件的制造方法、半导体电子元件、照明装置。
技术介绍
III族氮化物半导体是以作为IIIB族元素(以下简称为III族元素)的铝(Al)原子、镓(Ga)原子、铟(In)原子与作为VB族元素(以下简称为V族元素)的氮(N)原子的化合物、即氮化铝(AlN)、氮化镓(GaN)、氮化铟(InN)以及它们的混合晶体(AlGaN、InGaN、InAlN、InGaAlN)的形式得到的化合物半导体材料。这种III族氮化物半导体是期望应用于光元件、电子元件的材料，该光元件是覆盖远紫外线区域·可见光区域·近红外区域的宽波长区域的发光二极管(LED：LightEmittingDiode)、激光二极管(LD：LaserDiode)、太阳能电池(PVSC：PhotoVoltaicSolarCell)、光电二极管(PD：PhotoDiode)等，该电子元件是高频率/高输出用途的高电子迁移率晶体管(HEMT本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种成膜方法，使用真空处理装置通过溅射法来在基板上形成纤锌矿型结构的半导体薄膜的外延膜，其中，该真空处理装置具备：真空容器，其能够进行真空排气；基板保持部，其用于将所述基板支承在所述真空容器内；加热器，其能够将被保持在所述基板保持部的所述基板加热至任意的温度；靶电极，其设置在所述真空容器内，能够安装靶；高频电源，其经由所述靶电极向所述靶输入高频电力；电极部，其配置在被保持在所述基板保持部的所述基板的周围，形成返回路径的一部分，该返回路径是从所述高频电源输入的高频电力向接地返回的路径；以及阻抗调整部，其用于调整所述电极部的阻抗，所述成膜方法的特征在于，包括以下工序：基板输送工序，使所述基板以与所...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.07.28 JP 2014-152628;2015.03.23 JP PCT/JP20151.一种成膜方法，使用真空处理装置通过溅射法来在基板上形成纤锌矿型结构的半导体薄膜的外延膜，其中，该真空处理装置具备：真空容器，其能够进行真空排气；基板保持部，其用于将所述基板支承在所述真空容器内；加热器，其能够将被保持在所述基板保持部的所述基板加热至任意的温度；靶电极，其设置在所述真空容器内，能够安装靶；高频电源，其经由所述靶电极向所述靶输入高频电力；电极部，其配置在被保持在所述基板保持部的所述基板的周围，形成返回路径的一部分，该返回路径是从所述高频电源输入的高频电力向接地返回的路径；以及阻抗调整部，其用于调整所述电极部的阻抗，所述成膜方法的特征在于，包括以下工序：基板输送工序，使所述基板以与所述加热器的基板对置面分离规定距离地保持的方式保持于所述基板保持部；成膜工序，在被保持在所述基板保持部的所述基板上形成纤锌矿型结构的半导体薄膜；以及阻抗调整工序，在所述成膜工序时，调整所述阻抗调整部使得所述电极部的阻抗成为规定的值。2.根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，还具有基板加热工序，在该基板加热工序中，利用所述加热器将通过所述基板输送工序保持于所述基板保持部的所述基板加热至任意的温度，在所述成膜工序中，在通过所述基板加热工序加热后的所述基板上形成纤锌矿型结构的半导体薄膜的外延膜。3.根据权利要求2所述的成膜方法，其特征在于，所述基板保持部以与所述基板的靠重力方向下侧的面抵接的状态保持所述基板。4.一种真空处理装置，...

【专利技术属性】
技术研发人员：醍醐佳明，清野拓哉，大塚喜隆，牧田裕之，石桥奏太朗，山中和人，
申请(专利权)人：佳能安内华股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP