碳化硅外延晶片的制造方法技术

本发明专利技术的目的在于提供一种碳化硅外延晶片的制造方法，该碳化硅外延晶片的制造方法能够高精度地形成预定的层厚的多个碳化硅外延层。在本发明专利技术中，在n型SiC衬底(1)之上，以使与n型SiC衬底(1)之间的杂质浓度的变化率大于或等于20％的方式形成第一n型SiC外延层(2)。在第一n型SiC外延层(2)之上，以使与第一n型SiC外延层(2)之间的杂质浓度的变化率大于或等于20％的方式形成第二n型SiC外延层(3)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】碳化硅外延晶片的制造方法
本专利技术涉及一种碳化硅外延晶片的制造方法。
技术介绍
碳化硅(SiC)外延晶片是在SiC衬底之上通过外延晶体生长而使SiC外延层作为SiC有源层(以下有时称为“有源外延层”)生长而制造的。出于减少有源外延层的缺陷等目的，在SiC衬底和有源外延层之间形成生长条件与有源外延层不同的SiC外延层作为缓冲层(例如参照专利文献1、2)。在SiC外延层的层厚的测定中例如使用依据反射干涉解析的方法(以下有时称为“FT－IR法”)，在该反射干涉解析中利用了傅立叶变换红外分光光度计(FourierTransformInfraredSpectroscopy；简称：FT－IR)。在下面有时将依据FT－IR法进行的SiC外延层的层厚的测定称为“依据FT－IR法的层厚测定”。如果在SiC衬底和SiC外延层之间存在大于或等于一定程度的折射率差，则由于被SiC外延层的表面反射后的光以及被SiC外延层和SiC衬底的界面反射后的光而发生光的干涉。在依据FT－IR法的层厚测定中，通过利用光的干涉，从而导出SiC外延层的层厚。专利文献1：日本特开2002－261295号公报专利文献2：日本特开本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种碳化硅外延晶片的制造方法，其特征在于，具有：第1层形成工序，在碳化硅衬底(1)的厚度方向的一侧的表面部通过外延晶体生长而形成第1碳化硅外延层(2、41、51)；第2层形成工序，在所形成的所述第1碳化硅外延层(2、41、51)的厚度方向的一侧的表面部通过外延晶体生长而形成第2碳化硅外延层(3、42、52)；以及测定工序，通过使用了傅立叶变换红外分光光度计的反射干涉解析而对所述第1碳化硅外延层(2、41、51)及所述第2碳化硅外延层(3、42、52)的层厚进行测定，在所述第1层形成工序中，以使所述碳化硅衬底(1)和所述第1碳化硅外延层(2、41、51)之间的杂质浓度的变化率大于或等于20％的方...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种碳化硅外延晶片的制造方法，其特征在于，具有：第1层形成工序，在碳化硅衬底(1)的厚度方向的一侧的表面部通过外延晶体生长而形成第1碳化硅外延层(2、41、51)；第2层形成工序，在所形成的所述第1碳化硅外延层(2、41、51)的厚度方向的一侧的表面部通过外延晶体生长而形成第2碳化硅外延层(3、42、52)；以及测定工序，通过使用了傅立叶变换红外分光光度计的反射干涉解析而对所述第1碳化硅外延层(2、41、51)及所述第2碳化硅外延层(3、42、52)的层厚进行测定，在所述第1层形成工序中，以使所述碳化硅衬底(1)和所述第1碳化硅外延层(2、41、51)之间的杂质浓度的变化率大于或等于20％的方式形成所述第1碳化硅外延层(2、41、51)，在所述第2层形成工序中，以使所述第1碳化硅外延层(2、41、51)和所述第2碳化硅外延层(3、42、52)之间的杂质浓度的变化率大于或等于20％的方式形成所述第2碳化硅外延层(3、42、52)。2.根据权利要求1所述的碳化硅外延晶片的制造方法，其特征在于，在所述第1层形成工序中，以使所述第1碳化硅外延层(2)的杂质浓度小于所述碳化硅衬底(1)的杂质浓度的方式形成所述第1碳化硅外延层(2)，在所述第2层形成工序中，以使所述第2碳化硅外延层(3)的杂质浓度小于所述第1碳化硅外延层(2)的杂质浓度的方式形成所述第2碳化硅外延层(3)。3.根据权利要求1所述的碳化硅外延晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：滨野健一，服部亮，中村卓誉，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP