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本发明的目的在于提供一种碳化硅外延晶片的制造方法，该碳化硅外延晶片的制造方法能够高精度地形成预定的层厚的多个碳化硅外延层。在本发明中，在n型SiC衬底(1)之上，以使与n型SiC衬底(1)之间的杂质浓度的变化率大于或等于20％的方式形成第一...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

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