产生薄无机膜的方法技术
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】产生薄无机膜的方法描述本专利技术属于产生基材上的薄无机膜的方法，特别是原子层沉积方法的领域。随着当前小型化发展，例如在半导体行业中，对基材上的薄无机膜的需要增加，同时对这些膜的质量的要求变得更加严格。薄无机膜用于实现不同目的，例如阻挡层、晶种、衬垫、电介质或精细结构的分离。已知若干产生薄无机膜的方法。其中一种为将成膜化合物由气态沉积在基材上。为了在中等温度下使金属或半金属原子变为气态，需要例如通过使金属或半金属与合适的配体络合来提供挥发性前体。在将络合金属或半金属沉积至基材上之后需要移除这些配体。WO2012/057884A1公开用于过渡金属的含氮配体和其在原子层沉积方法中的用途。JP2001261638A公开可用作α-烯烃聚合的催化剂的具有二亚氨基吡咯基配体的金属配合物。本专利技术的目的为提供通过由气态或气溶胶状态沉积金属或半金属而产生固体基材上的薄无机膜的方法。希望该方法可在以下情况下进行：在使包含金属或半金属的前体变为气态或气溶胶状态时前体尽可能少地分解。同时，希望提供其中前体在沉积于固体基材上之后容易分解的方法。另一目的为提供可用于宽范围金属或半金属的方法。...
【技术保护点】
一种方法，包括使通式(I)的化合物变为气态或气溶胶状态Ln‑‑‑‑M‑‑‑Xm (I)
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.01.27 EP 14152683.01.一种方法，包括使通式(I)的化合物变为气态或气溶胶状态Ln----M---Xm(I)和将该通式(I)的化合物由气态或气溶胶状态沉积至固体基材上，其中R1、R2、R3、R4、R5和R6相互独立地为氢、烷基或三烷基甲硅烷基，n为1至3的整数，M为金属或半金属，X为与M配位的配体，且m为0至4的整数。2.根据权利要求1的方法，其中该通式(I)的化合物化学吸着在该固体基材的表面上。3.根据权利要求1或2的方法，其中通过移除所有配体L和X分解沉积的通式(I)的化合物。4.根据权利要求3的方法，其中分解通过暴露于水、氧等离子体或臭氧进行。5.根据权利要求3或4的方法，其中将通式(I)的化合物沉积至固体基材上和分解沉积的通式(I)的化合物的序列...
【专利技术属性】
技术研发人员：K·许，C·席尔德克内希特，J·施皮尔曼，J·弗朗克，F·布拉斯伯格，M·盖特纳，D·勒夫勒，S·魏戈尼，K·希尔勒阿恩特，K·费得塞勒，F·阿贝尔斯，T·阿德尔曼，
申请(专利权)人：巴斯夫欧洲公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE
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