一种H型喷头的MOCVD匀气上下盘组件制造技术

本专利公开了提供了一种H型喷头的MOCVD匀气上下盘组件，包括：第一进气口、第二进气口第三进气口；第一腔室、第二腔室以及与第三腔室；第一种气体喷头区域、第二种气体喷头区域、第三种气体喷头区域；所述第一种气体喷头与第一腔室连通；所述第二种气体喷头与第二腔室连通；所述第三种气体喷头区域与第三腔室连通；所述第一种气体喷头区域设置在所述上下盘组件外表面靠外的部分，所述第二种气体喷头区域设置在所述上下盘组件外表面居中的部分，所述第三气体喷头区域设置在所述第一种气体喷头区域和第二种气体喷头区域之间。通过采用上述技术方案，合理利用了所述上下盘组件底部的空间，减小预反应，避免了在MOCVD托盘上出现不均匀生长的情况。

MOCVD homogeneous upper and lower plate assembly of H nozzle

This patent discloses a H type MOCVD uniform gas nozzle on the lower assembly includes a first air inlet, an air inlet third second air inlet; the first chamber, second chamber and third chamber; a first gas nozzle area and second kinds of gas nozzle area and third kinds of gas nozzle area; gas nozzle connected the first with the first chamber; the second gas nozzle is communicated with the second chamber; the gas nozzle is communicated with the third regional third chamber; the first gas nozzle is arranged on the surface of the outer part of the regional assembly in the footwall, the second kinds of gas nozzle area is arranged on the upper and lower surface components the middle part of the third gas nozzle region disposed between the first gas nozzle area and second kinds of gas nozzle area. By adopting the technical proposal, the space at the bottom of the upper and lower component components is reasonably utilized, and the pre reaction is reduced, and uneven growth on the MOCVD tray is avoided.

【技术实现步骤摘要】
一种H型喷头的MOCVD匀气上下盘组件
本专利技术涉及金属有机化学气相沉积中的化合物半导体薄膜沉积设备领域，特别涉及到制备氮化镓基、铝基半导体的有机金属化学气相沉积(MOCVD)设备的反应室关键进气匀气喷头结构。
技术介绍
金属有机气象化学沉积(MetalOrganicChemicalVaporDeposition，简称MOCVD)设备，用于化合物半导体氮化镓、氮化铝、砷化镓、磷化铟、氧化锌等功能结构材料的制备。小型机(单片或三片)适用于半导体领域实验室设备；中大型机(三片或数十片机)适用于规模化工业生产，如LED照明上游芯片外延生产、紫外及深紫外芯片外延生产等。因此是目前化合物半导体外延材料生产和研究的关键设备，是当前生产半导体光电器件和微波器件材料的主要手段，应用领域广泛。MOCVD生长是一种非平衡生长技术，利用带有金属原子的如烷基类有机源反应物(MO源)和氢化物(如NH3等)通过氮气或氢气载气携带到反应室内，在一定压力、温度条件下，在基底上沉积外延生成化合物半导体薄膜。根据需制备的化合物半导体材料的不同工艺，设计出适合的反应室关键进气匀气喷头结构，一直是MOCVD设备设计的难题本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种H型喷头的MOCVD匀气上下盘组件，用于MOCVD设备，包括：进气口，所述进气口包括第一进气口与第一气源连通、第二进气口与第二气源连通，第三进气口与第三气源连通；其特征在于，所述上下盘组件还包括腔室，所述腔室形成于上下盘组件内部，包括与第一进气口连通的第一腔室、与第二进气口连通的第二腔室以及与第三进气口连通的第三腔室；所述第一腔室、第二腔室和第三腔室相互之间不连通；喷头，所述喷头设置在所述上下盘组件的外表面上，包括设置在第一种气体喷头区域的第一气体喷头，设置在第二种气体喷头区域的第二种气体喷头，设置在第三种气体喷头区域的第三种气体喷头；所述第一种气体喷头与第一腔室连通；所述第二种气体喷头与...

【技术特征摘要】
1.一种H型喷头的MOCVD匀气上下盘组件，用于MOCVD设备，包括：进气口，所述进气口包括第一进气口与第一气源连通、第二进气口与第二气源连通，第三进气口与第三气源连通；其特征在于，所述上下盘组件还包括腔室，所述腔室形成于上下盘组件内部，包括与第一进气口连通的第一腔室、与第二进气口连通的第二腔室以及与第三进气口连通的第三腔室；所述第一腔室、第二腔室和第三腔室相互之间不连通；喷头，所述喷头设置在所述上下盘组件的外表面上，包括设置在第一种气体喷头区域的第一气体喷头，设置在第二种气体喷头区域的第二种气体喷头，设置在第三种气体喷头区域的第三种气体喷头；所述第一种气体喷头与第一腔室连通；所述第二种气体喷头与第二腔室连通；所述第三种气体喷头区域与第三腔室连通；所述第一种气体喷头区域设置在所述上下盘组件外表面靠外的部分，所述第二种气体喷头区域设置在上下盘组件外表面居中的部分，所述第三气体喷头区域设置在所述第一种气体喷头区域和第二种气体喷头区域之间，将所述第一种气体喷头区域和第二气体种喷头区域完全隔离。2.根据权利要求1所述的一种H型喷头的MOCVD匀气上下盘组件，其特征在于，上下盘组件包括上下设置的上盘和下盘，所述上盘与下盘上下布置，所述上盘和所述下盘之间采用金属密封，上盘和下盘接触面为密封面；通过对在上盘和下盘之间形成所述腔室。3.根据权利要求1-2中任一项...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁勇，胡国新，曾一平，王军喜，段瑞飞，李辉，
申请(专利权)人：北京中科优唯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：北京,11