一种扩散装置和沉积腔室制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种扩散装置和沉积腔室。该扩散装置用于对通过其中的气体进行扩散，包括：至少两个扩散板，至少两个扩散板之间相互间隔并相对应叠覆，每个扩散板上均开设有多个通孔，扩散板之间的间距和扩散板上通孔的分布密度均能够对应与分布在扩散装置入气侧的气体的分布密度相适配，以使通过扩散装置的气体均匀输出。该扩散装置通过设置至少两个扩散板，能使扩散板之间的间距和扩散板上通孔的分布密度对应与扩散装置入气侧的气体分布密度相适配，从而使通过扩散装置的气体的分布密度更加均匀，进而使沉积在基片上的膜层的厚度更加均匀，提高了膜层沉积在基片上所形成的产品的稳定性和良率。

A diffusion device and a deposition chamber

The present invention provides a diffusion device and a deposition chamber. The device used for diffusion including diffusion, through which the gas at least two diffusion plate, a diffusion plate between at least two mutually spaced and corresponding overlap, each diffusion plate is provided with a plurality of through holes, holes and spacing between the diffusion plate diffusion plate on the density distribution can be the density and distribution of the corresponding gas diffusion device into the gas side is matched, so that through the gas diffusion device uniform output. The diffusion device by setting at least two diffusion plate, gas can make the distribution density corresponding to the diffusion device through hole spacing and diffusion plate diffusion plate between the gas into the side of the distribution density matched, so that the distribution density through the gas diffusion device is more uniform, and the more uniform deposition film on the substrate the thickness of the film, improves the stability of deposition formed on the substrate and product yield.

【技术实现步骤摘要】
一种扩散装置和沉积腔室
本专利技术涉及显示
，具体地，涉及一种扩散装置和沉积腔室。
技术介绍
等离子体增强化学气相沉积(PECVD，PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition)是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。等离子体增强化学气相沉积设备主要由装载腔室、传送腔室和工艺沉积腔室组成，装载腔室主要用来与大气真空机器人交换用于沉积薄膜的玻璃基片，传送腔室主要用来在真空条件下把玻璃基片传送到工艺腔室中，工艺沉积腔室主要用来在玻璃基片上沉积工艺薄膜。目前经常采用的工艺沉积腔室如图1所示，工艺气体在气体输入管道6中经过射频功率源7的射频功率电离后离解成等离子体，工艺气体等离子体通过气体输入管道6通入沉积腔室8中的气体扩散板1上部，通过气体扩散板1中的过滤孔后扩散至沉积腔室8底部的基台4承载的玻璃基片上方，并在玻璃基片上沉积形成膜层。等离子化学气相沉积出的薄膜，膜层的均一性和膜质受到多个因素影响，影响膜层均一性的主要因素为玻璃基片上方工艺气体等离子体的分布状况，沉积膜层的厚度与玻璃基片上方工艺气体等离子体的分布密度成正相关。现有技术中，采用单层气体扩散板1来调整沉积腔室8内工艺气体等离子体的分布密度，且单层气体扩散板1上开设有均匀分布的通孔，经过单层气体扩散板1调整后沉积在玻璃基片上的膜层边缘膜厚与中间膜厚依然呈现出明显的差异，导致整体沉积膜层厚度均一性不高。另外，单层气体扩散板1为一体结构，其重量较重，对其进行位置调节比较困难，且在单层气体扩散板1损坏之后只能对其进行整体更换和维修，导致其实际累计使用周期较短，维护费用较高。因此，采用什么样的气体扩散板能使沉积在玻璃基片上的膜层的厚度更加均匀已成为目前亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术针对现有技术中存在的上述技术问题，提供一种扩散装置和沉积腔室。该扩散装置通过设置至少两个扩散板，能使扩散板之间的间距和扩散板上通孔的分布密度对应与扩散装置入气侧的气体分布密度相适配，从而使通过扩散装置的气体的分布密度更加均匀，进而使沉积在基片上的膜层的厚度更加均匀，提高了膜层沉积在基片上所形成的产品的稳定性和良率。本专利技术提供一种扩散装置，用于对通过其中的气体进行扩散，包括：至少两个扩散板，至少两个所述扩散板之间相互间隔并相对应叠覆，每个所述扩散板上均开设有多个通孔，所述扩散板之间的间距和所述扩散板上所述通孔的分布密度均能够对应与分布在所述扩散装置入气侧的气体的分布密度相适配，以使通过所述扩散装置的气体均匀输出。优选地，各个所述扩散板相互平行，任意相邻两个所述扩散板中的所述通孔的位置相对应。优选地，各个所述扩散板相互平行，任意相邻两个所述扩散板中的所述通孔的位置相互错开。优选地，每个所述扩散板均包括多个子扩散板，多个所述子扩散板能够拼接形成整个所述扩散板，每个所述子扩散板均能拆卸。优选地，每个所述扩散板的多个所述子扩散板位于同一平面上，且多个所述子扩散板之间无缝拼接。优选地，每个所述扩散板的多个所述子扩散板分别位于相互平行的不同平面上，且多个所述子扩散板在平行于其所在平面的一个平面上的正投影之间无缝拼接。优选地，拼接形成整个所述扩散板的各个所述子扩散板上的所述通孔的分布密度不同。优选地，任意相邻的两个所述扩散板中，相对应的所述子扩散板上的所述通孔的分布密度与所述子扩散板之间的间距成反比。优选地，各个所述子扩散板上所述通孔的孔径不同；或者，各个所述子扩散板上所述通孔的孔径相同，且所述通孔在各个所述子扩散板上的分布密度不同。优选地，拼接形成整个所述扩散板的各个所述子扩散板上的所述通孔的分布密度相同。本专利技术还提供一种沉积腔室，包括进气机构和工艺腔，所述进气机构与所述工艺腔顶部的进气口连通，用于向所述工艺腔内输入解离形成等离子体的工艺气体；所述工艺腔内底部设置有基台，所述基台用于承载待沉积膜层的基片，还包括上述扩散装置，所述扩散装置设置于所述工艺腔内，且对应位于所述进气口和所述基台之间，所述工艺气体经过所述扩散装置后能均匀沉积于所述基片表面。优选地，对应所述进气口的位置，所述扩散装置中的扩散板上通孔的分布密度小于对应所述进气口以外区域的所述扩散板上通孔的分布密度。本专利技术的有益效果：本专利技术所提供的扩散装置，通过设置至少两个扩散板，相对于现有技术中采用单层气体扩散板且单层气体扩散板上通孔均匀分布的情况，能使扩散板之间的间距和扩散板上通孔的分布密度对应与扩散装置入气侧的气体分布密度相适配，从而使通过扩散装置的气体的分布密度更加均匀，进而使沉积在基片上的膜层的厚度更加均匀，提高了膜层沉积在基片上所形成的产品的稳定性和良率。本专利技术所提供的沉积腔室，通过采用上述扩散装置，能使该沉积腔室中等离子体的工艺气体沉积于基片表面后形成的膜层厚度更加均匀，从而提高了该沉积腔室的工艺质量。附图说明图1为现有技术中工艺沉积腔室的结构剖视图；图2为本专利技术实施例1中扩散装置的结构侧视图；图3为图2中扩散装置的结构俯视图；图4为本专利技术实施例1中相邻两扩散板中通孔设置的结构剖视图；图5为本专利技术实施例1中扩散板中的子扩散板设置的结构侧视图；图6为本专利技术实施例2中扩散板中的子扩散板设置的结构侧视图；图7为本专利技术实施例3中相邻两扩散板中通孔设置的结构剖视图；图8为本专利技术实施例4中沉积腔室的结构剖视图。其中的附图标记说明：1.扩散板；11.通孔；10.子扩散板；2.进气机构；3.工艺腔；31.进气口；4.基台；5.扩散装置；6.气体输入管道；7.射频功率源；8.沉积腔室。具体实施方式为使本领域的技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术所提供的一种扩散装置和沉积腔室作进一步详细描述。实施例1：本实施例提供一种扩散装置，用于对通过其中的气体进行扩散，如图2和图3所示，包括：至少两个扩散板1，至少两个扩散板1之间相互间隔并相对应叠覆，每个扩散板1上均开设有多个通孔11，扩散板1之间的间距和扩散板1上通孔11的分布密度均能够对应与分布在扩散装置入气侧的气体的分布密度相适配，以使通过扩散装置的气体均匀输出。其中，该扩散板1之间的间距和扩散板1上通孔11的分布密度均能够对应与分布在扩散装置入气侧的气体的分布密度相适配是指：根据分布在扩散装置入气侧的气体的分布密度，对扩散板1之间的间距和扩散板1上通孔11的分布密度进行相应的调节，最终使通过扩散装置的气体能够均匀输出。具体的调节过程根据通过扩散装置的气体的输出均匀度对扩散板1之间的间距和扩散板1上通孔11的分布密度进行相应选择调整，当通过扩散装置的气体的均匀度达到工艺要求时，则认为扩散板1之间的间距和扩散板1上通孔11的分布密度均对应与分布在扩散装置入气侧的气体的分布密度相适配。该扩散装置通过设置至少两个扩散板1，相对于现有技术中采用单层气体扩散板且单层气体扩散板上通孔均匀分布的情况，能使扩散板1之间的间距和扩散板1上通孔11的分布密度对应与扩散装置入气侧的气体分布密度相适配，从而使通过扩散装置的气体的分布密度更加均匀，进而使沉积在基片上的膜层的厚度更加均匀，提高了膜层沉积在基片上所形成的产品的稳定性和良率。本实施例中，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种扩散装置，用于对通过其中的气体进行扩散，其特征在于，包括：至少两个扩散板，至少两个所述扩散板之间相互间隔并相对应叠覆，每个所述扩散板上均开设有多个通孔，所述扩散板之间的间距和所述扩散板上所述通孔的分布密度均能够对应与分布在所述扩散装置入气侧的气体的分布密度相适配，以使通过所述扩散装置的气体均匀输出。

【技术特征摘要】
1.一种扩散装置，用于对通过其中的气体进行扩散，其特征在于，包括：至少两个扩散板，至少两个所述扩散板之间相互间隔并相对应叠覆，每个所述扩散板上均开设有多个通孔，所述扩散板之间的间距和所述扩散板上所述通孔的分布密度均能够对应与分布在所述扩散装置入气侧的气体的分布密度相适配，以使通过所述扩散装置的气体均匀输出。2.根据权利要求1所述的扩散装置，其特征在于，各个所述扩散板相互平行，任意相邻两个所述扩散板中的所述通孔的位置相对应。3.根据权利要求1所述的扩散装置，其特征在于，各个所述扩散板相互平行，任意相邻两个所述扩散板中的所述通孔的位置相互错开。4.根据权利要求2或3所述的扩散装置，其特征在于，每个所述扩散板均包括多个子扩散板，多个所述子扩散板能够拼接形成整个所述扩散板，每个所述子扩散板均能拆卸。5.根据权利要求4所述的扩散装置，其特征在于，每个所述扩散板的多个所述子扩散板位于同一平面上，且多个所述子扩散板之间无缝拼接。6.根据权利要求4所述的扩散装置，其特征在于，每个所述扩散板的多个所述子扩散板分别位于相互平行的不同平面上，且多个所述子扩散板在平行于其所在平面的一个平面上的正投影之间无缝拼接。7.根据权利要求6所述的扩散装置，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：张文波，郭如旺，储明明，张锐，郑文灏，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11