用于沉积钝化膜的设备和用于沉积钝化膜的方法技术

本发明专利技术涉及一种用于沉积钝化膜的设备和一种用于沉积钝化膜的方法，其在单个腔室中沉积层压有多个材料层的钝化膜。所述用于沉积钝化膜的设备，包含：衬底支撑件，衬底通过衬底支撑件支撑；线性沉积模块部件，其包括与第一轴方向平行安置的线性沉积源，且线性沉积模块部件横越衬底并且在其上沉积钝化膜；气体供应部件，其向线性沉积模块部件选择性并且交替地供应第一沉积气体和第二沉积气体；驱动部件，其在与第一轴方向交叉的第二轴方向移动衬底支撑件或线性沉积模块部件，其中可通过层压由第一沉积气体沉积的第一材料层和由第二沉积气体沉积的第二材料层形成钝化膜。

Apparatus for depositing a passivation film and method for depositing a passivation film

The invention relates to an apparatus for depositing a passivation film and a method for depositing a passivation film in which a passive film laminated with a plurality of material layers is deposited in a single chamber. For the deposition of the passivation film device includes: a substrate support member, a substrate support member supported by the substrate; linear deposition module components, comprising a linear deposition source is arranged in parallel with the first axis direction, and linear module components across the substrate and deposition deposited on the passivation film; a gas supply unit, the linear deposition module selective components and alternately supply first deposition gas and second deposition gases; driving components, support or linear deposition of its mobile module components in second axis direction crossing the first direction of the substrate, which can pass the first material layer laminated by first deposition gas deposition and deposition gas by second deposition of second passivation material layer is formed film.

【技术实现步骤摘要】
用于沉积钝化膜的设备和用于沉积钝化膜的方法
本专利技术涉及一种用于沉积钝化膜的设备和一种用于沉积钝化膜的方法，并且更具体地说，涉及一种用于沉积钝化膜的设备和一种用于沉积钝化膜的方法，其在单个腔室中沉积层压有多个材料层的钝化膜。
技术介绍
由于例如有机发光二极管(organiclight-emittingdiode，OLED)、有机太阳能电池或有机薄膜晶体管(organicthinfilmtransistor，有机TFT)等有机电子装置的弱耐水性和弱耐氧气性，所以需要用于形成钝化膜(或包封膜)保护所述装置的方法。此处，需要用于有机电子装置的钝化膜不仅保护装置而且产生柔韧性。钝化膜通过层压用于防止水分渗透的阻挡膜和用于柔韧性的缓冲膜形成。在相关技术中，为了替代地层压阻挡膜和缓冲膜的多层结构膜，所述膜应该通过在多个腔室中使用多个掩模来沉积，并且因此，局限性在于钝化膜的沉积工艺繁琐并且分解设备尺寸大。另外，在相关技术中，有机膜用作向钝化膜提供柔韧性的缓冲膜，但局限性在于有机膜的防止水分渗透特性差并且因此膜的质量差，并且阻挡膜(或无机膜)的质量还受有机膜的差的膜质量影响，由此降低钝化膜的总防止水分渗透特性。此外，通过使用有机化合物沉积有机膜，但因为有机化合物含有许多碳(C)原子，这是使腔室受到污染的污染物质。因此，当交替层压无机膜和有机膜时，无机膜和有机膜应在独立腔室中沉积，使例如碳(C)原子等污染物质不混合于无机膜中，并且因此延长沉积钝化膜的加工时间。[现有技术文献](专利文献1)韩国专利第10-0832847号
技术实现思路
本专利技术提供一种用于沉积钝化膜的设备和一种用于沉积钝化膜的方法，其能够在单个腔室中沉积层压有多个材料层的钝化膜，并且通过使氧化物层或氮化物层包含CH基团来确保柔韧性，但不降低钝化膜的防止水分渗透特性。根据一个示范性实施例，用于沉积钝化膜的设备包含：衬底支撑件，通过其支撑衬底；线性沉积模块部件，其包括与第一轴方向平行安置且横越衬底的线性沉积源并且在衬底上沉积钝化膜；气体供应部件，其向线性沉积模块部件选择性并且交替地供应第一沉积气体和第二沉积气体；驱动部件，其在与第一轴方向交叉的第二轴方向移动衬底支撑件或线性沉积模块部件，其中可以通过层压由第一沉积气体沉积的第一材料层和由第二沉积气体沉积的第二材料层形成钝化膜。第一材料层和第二材料层中的任一个可以是缓冲膜，并且另一个可以是阻挡膜，其中缓冲膜可包含CH基团。形成缓冲膜的第一沉积气体或第二沉积气体可包含有机-硅化合物并且可以由等离子体活化。形成缓冲膜的第一沉积气体或第二沉积气体可包含氢化硅气体和烃气并且可以由等离子体活化。第一材料层可以是氧化物层，并且第二材料层可以是氮化物层。第一沉积气体可包含第一源材料和第一反应材料，并且第二沉积气体可包含第二源材料和第二反应材料，并且线性沉积源可包含：注入第一源材料或第二源材料的源材料喷嘴；以及注入第一反应材料或第二反应材料的反应材料喷嘴。源材料喷嘴和反应材料喷嘴可以交替地安置于线性沉积模块部件中。反应材料喷嘴可以定位于线性沉积模块部件的两端。线性沉积源可以是原子层沉积(atomiclayerdeposition，ALD)源，并且线性沉积模块部件可以由平行于第一轴方向安置的多个线性沉积源形成。根据另一示范性实施例，用于沉积钝化膜的方法可包含：向线性沉积模块部件供应第一沉积气体用于沉积第一材料层，所述线性沉积模块部件包含与第一轴方向平行安置且横越衬底的线性沉积源(S100)；在与第一轴方向交叉的第二轴方向移动衬底或线性沉积模块部件时向衬底上注入第一沉积气体(S200)；向线性沉积模块部件供应第二沉积气体用于沉积第二材料层(S300)；以及在第二轴方向移动衬底或线性沉积模块部件时在衬底上注入第二沉积气体(S400)。用于沉积钝化膜的方法可以更包含向线性沉积模块部件供应吹扫气体。第一材料层和第二材料层中的任一个可包含CH基团。形成包含CH基团的材料层的第一沉积气体或第二沉积气体可包含有机-硅化合物并且可以由等离子体活化。形成包含CH基团的材料层的第一沉积气体或第二沉积气体可包含氢化硅气体和烃气并且可以由等离子体活化。第一材料层可以是氧化物层，并且第二材料层可以是氮化物层。第一沉积气体可包含第一源材料和第一反应材料，第一源材料和第一反应材料中的每一个可以独立地在注入第一沉积气体时注入，第二沉积气体可包含第二源材料和第二反应材料，并且第二源材料和第二反应材料中的每一个可以独立地在注入第二沉积气体时注入。第一材料层和第二材料层可以通过原子层沉积(ALD)来沉积，并且线性沉积模块部件可以由与第一轴方向平行安置的多个线性沉积源形成。根据另一示范性实施例的钝化膜可包含彼此交替层压的氧化物层和氮化物层，并且氧化物层和氮化物层中的任一个可包含CH基团。氧化物层可以是SiOx层，并且氮化物层可以是SiNx层。附图说明通过结合附图进行的以下描述可以更详细地理解示范性实施例，在附图中：图1A和图1B为说明根据一个示范性实施例的用于沉积钝化膜的设备和由所述设备沉积的钝化膜的视图。图2A和图2B为说明根据一个示范性实施例的线性沉积源和线性沉积模块部件的横截面图。图3为说明根据另一示范性实施例的用于沉积钝化膜的方法的流程图。附图标号说明：10：衬底；11：第一轴方向；12：第二轴方向；20：钝化膜；21：第一材料层；22.第二材料层；110：衬底支撑件；120：线性沉积模块部件；121：线性沉积源；121a：源材料喷嘴；121b：反应材料喷嘴；130：气体供应部件；131：第一沉积气体供应源；131a：第一源材料供应源；131b：第一反应材料供应源；132：第二沉积气体供应源；132a：第二源材料供应源；132b：第二反应材料供应源；133：气体供应管；133a：源材料气体供应管；133b：反应材料气体供应管；134：切换部分；134a：源材料切换部件；134b：反应材料切换部件；140：驱动部件；141：电源；142：电力传输部件；143：连接部分；S100、S200、S300、S400：步骤。具体实施方式下文将参考附图更详细地描述本专利技术的实施例。然而，本专利技术可以用不同形式实施，并且不应被解释为限于本文所阐述的实施例。实际上，提供这些实施例是为了使得本专利技术将是透彻并且完整的，并且这些实施例将把本专利技术的范围充分传达给所属领域的技术人员。在说明书中，相同参考编号用以指相同构形。在附图中，为了清楚说明，尺寸可以部分夸大或放大，并且相同参考编号是指相同元件。图1A和图1B为说明根据一个示范性实施例的用于沉积钝化膜的设备和由所述设备沉积的钝化膜的视图，图1A是说明用于沉积钝化膜的设备的示意图，并且图1B是钝化膜的示意性横截面图。参看图1A和图1B，根据一个示范性实施例的用于沉积钝化膜的设备包含：衬底支撑件110，其支撑衬底10；线性沉积模块部件120，其包含与第一轴方向11平行安置且横越衬底10的线性沉积源121并且其在衬底10上沉积钝化膜20；气体供应部件130，其向线性沉积模块部件120选择性地交替供应第一沉积气体和第二沉积气体；以及驱动部件140，其在与第一轴方向11交叉的第二轴方向12移动衬底支撑件110或线性沉积模块部件120，其中可本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于沉积钝化膜的设备，其特征在于，包括：衬底支撑件，衬底通过所述衬底支撑件支撑；线性沉积模块部件，其包括与第一轴方向平行安置的线性沉积源，且所述线性沉积模块部件横越所述衬底并且在所述衬底上沉积所述钝化膜；气体供应部件，其向所述线性沉积模块部件选择性并且交替地供应第一沉积气体和第二沉积气体；驱动部件，其在与所述第一轴方向交叉的第二轴方向移动所述衬底支撑件或所述线性沉积模块部件，其中通过层压由所述第一沉积气体沉积的第一材料层和由所述第二沉积气体沉积的第二材料层形成所述钝化膜。

【技术特征摘要】
2016.01.19 KR 10-2016-00064401.一种用于沉积钝化膜的设备，其特征在于，包括：衬底支撑件，衬底通过所述衬底支撑件支撑；线性沉积模块部件，其包括与第一轴方向平行安置的线性沉积源，且所述线性沉积模块部件横越所述衬底并且在所述衬底上沉积所述钝化膜；气体供应部件，其向所述线性沉积模块部件选择性并且交替地供应第一沉积气体和第二沉积气体；驱动部件，其在与所述第一轴方向交叉的第二轴方向移动所述衬底支撑件或所述线性沉积模块部件，其中通过层压由所述第一沉积气体沉积的第一材料层和由所述第二沉积气体沉积的第二材料层形成所述钝化膜。2.根据权利要求1所述的用于沉积钝化膜的设备，其中所述第一材料层和所述第二材料层中的任一个是缓冲膜且另一个是阻挡膜，其中所述缓冲膜包括CH基团。3.根据权利要求2所述的用于沉积钝化膜的设备，其中形成所述缓冲膜的所述第一沉积气体或所述第二沉积气体包括有机-硅化合物并且由等离子体活化。4.根据权利要求2所述的用于沉积钝化膜的设备，其中形成所述缓冲膜的所述第一沉积气体或所述第二沉积气体包括氢化硅气体和烃气并且由等离子体活化。5.根据权利要求1所述的用于沉积钝化膜的设备，其中所述第一材料层为氧化物层，且所述第二材料层为氮化物层。6.根据权利要求1所述的用于沉积钝化膜的设备，其中所述第一沉积气体包括第一源材料和第一反应材料，以及所述第二沉积气体包括第二源材料和第二反应材料，以及所述线性沉积源包括：源材料喷嘴，其注入所述第一源材料或所述第二源材料；以及反应材料喷嘴，其注入所述第一反应材料或所述第二反应材料。7.根据权利要求6所述的用于沉积钝化膜的设备，其中所述源材料喷嘴和所述反应材料喷嘴交替安置于所述线性沉积模块部件中。8.根据权利要求7所述的用于沉积钝化膜的设备，其中所述反应材料喷嘴定位于所述线性沉积模块部件的两端。9.根据权利要求1所述的用于沉积钝化膜的设备，其中所述线性沉积源是原子层沉积源，并且所述线性沉积模块部件包括平行于所述第一轴方向安置的多个所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李宰承，尹哲，韩宰贤，
申请(专利权)人：AP系统股份有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR