电子组件及其制造方法、转置元件及微元件的转置方法技术

一种电子组件包括电路基板、连接电极、微元件以及焊料。连接电极位于电路基板上。连接电极具有第一透明导电层，且第一透明导电层的表面位于相对电路基板的一侧且具有多个微米或纳米级颗粒。微元件与连接电极电性连接。焊料位于连接电极与微元件之间，且固着微元件于连接电极上。

【技术实现步骤摘要】
电子组件及其制造方法、转置元件及微元件的转置方法
本专利技术关于一种微元件的转置技术，特别是一种电子组件、转置组件、电子组件的制造方法及微元件的转置方法。
技术介绍
目前来说，电子产品，例如笔记本电脑、显示面板、平板、智能型手机等，其市场趋势持续朝向轻薄化的设计迈进。因此，将微元件应用于电子设备、装置、仪器上已蔚为主流。在设置微元件的制程中，需通过转置技术以将微元件移动并设置于目标基板上。一般而言，可以通过真空吸头吸取微元件。然而，真空吸头一般为硬质材料，在吸取过程中，真空吸头容易与微元件碰撞而导致微元件受损。此外，在转置过程中，容易因下压力不均而使得微元件位移或是与目标基板电性接触不良，或是在移开真空吸头时拉力不均而使焊料龟裂。
技术实现思路
本专利技术一实施例提出一种电子组件，其包括电路基板、连接电极、微元件以及焊料。连接电极位于电路基板上。连接电极具有第一透明导电层。第一透明导电层的表面位于相对电路基板的一侧且具有多个微米或纳米级颗粒。微元件与连接电极电性连接。焊料位于连接电极与微元件之间，且固着微元件于连接电极上。本专利技术一实施例提出一种电子组件的制造方法，其包含：提供一电路基本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子组件，其特征在于，包括：一电路基板；一连接电极，位于该电路基板上，该连接电极具有一第一透明导电层，以及该第一透明导电层的一表面位于相对该电路基板的一侧且具有多个微米或纳米级颗粒；一微元件，与该连接电极电性连接；以及一焊料，位于该连接电极与该微元件之间，固着该微元件于该连接电极上。

【技术特征摘要】
2017.02.20 TW 1061056351.一种电子组件，其特征在于，包括：一电路基板；一连接电极，位于该电路基板上，该连接电极具有一第一透明导电层，以及该第一透明导电层的一表面位于相对该电路基板的一侧且具有多个微米或纳米级颗粒；一微元件，与该连接电极电性连接；以及一焊料，位于该连接电极与该微元件之间，固着该微元件于该连接电极上。2.根据权利要求1所述的电子组件，其特征在于，各该微米或纳米级颗粒的尺寸介于10nm至1000nm之间。3.根据权利要求1所述的电子组件，其特征在于，该连接电极更包括一金属层，且该金属层位于该电路基板与该第一透明导电层之间。4.根据权利要求3所述的电子组件，其特征在于，该连接电极更包括一第二透明导电层，且该第二透明导电层位于该电路基板与该金属层之间。5.根据权利要求1至4中任一项所述的电子组件，其特征在于，该些微米或纳米级颗粒中的多个嵌入该焊料的底部。6.根据权利要求4所述的电子组件，其特征在于，更包括一保护层，该保护层覆盖该第一透明导电层的该表面，且该保护层覆盖该些微米或纳米级颗粒而沿着该第一透明导电层的该表面而起伏。7.根据权利要求1所述的电子组件，其特征在于，该连接电极更包括一金属层，覆盖该第一透明导电层的该表面，且该金属层随着覆盖该些微米或纳米级颗粒而于相对该第一透明导电层的一侧的表面形成多数第一突起。8.根据权利要求7所述的电子组件，其特征在于，各该第一突起的尺寸介于10nm至1000nm之间。9.根据权利要求7或8所述的电子组件，其特征在于，该些第一突起中的多个嵌入该焊料的底部。10.根据权利要求7所述的电子组件，其特征在于，该连接电极更包括一第二透明导电层，覆盖该金属层的该表面，该第二透明导电层随着覆盖该些第一突起而于相对该金属层的一侧的表面形成多数第二突起。11.根据权利要求10所述的电子组件，其特征在于，各该第二突起的尺寸介于10nm至1000nm之间。12.根据权利要求10或11所述的电子组件，其特征在于，该些第二突起中的多个嵌入该焊料的底部。13.根据权利要求1所述的电子组件，其特征在于，该表面通过非完全退火方法及蚀刻方法形成该些微米或纳米级颗粒。14.根据权利要求13所述的电子组件，其特征在于，该非完全退火方法的退火温度介于150度℃至180度℃之间且退火时间介于5分钟至120分钟。15.根据权利要求1所述的电子组件，其特征在于，该电路基板包括：一底板；一主动元件，位于该底板上；以及一钝化层，覆盖于该底板与该主动元件上；其中，该连接电极包括：一接触区段，对应该主动元件位于该钝化层上；以及一贯穿区段，贯穿该钝化层，该贯穿区段的一端耦接该接触区段，以及该贯穿区段的另一端耦接该主动元件。16.一种电子组件的制造方法，其特征在于，包括：提供一电路基板；以及形成一连接电极于该电路基板上，其中该连接电极的相对于该电路基板的一侧的一表面具有多数微突起，并且形成该连接电极于该电路基板上的步骤包括：形成一第一透明导电薄膜于一电路基板上；图案化该第一透明导电薄膜以形成一第一透明导电图案；对该第一透明导电图案进行非完全退火；以及蚀刻该第一透明导电图案的相对该电路基板的一侧的表面以形成一第一透明导电层，以使第一透明导电层的表面具有多个微米或纳米级颗粒。17.根据权利要求16所述的电子组件的制造方法，其特征在于，更包括：形成一焊料于该连接电极之上；转置一微元件于该焊料上；以及以该焊料固着该微元件。18.根据权利要求17所述的电子组件的制造方法，其特征在于，该些微突起为该些微米或纳米级颗粒。19.根据权利要求18所述的电子组件的制造方法，其特征在于，形成该连接电极于该电路基板上的步骤更包括：形成一金属薄膜于该电路基板上；以及图案化该金属薄膜以形成位于该电路基板与该第一透明导电层之间的一金属层，其中该微元件通过该焊料固着于该第一透明导电层上，且该些微米或纳米级颗粒中的多个嵌入该焊料的底部。20.根据权利要求19所述的电子组件的制造方法，其特征在于，形成该连接电极于该电路基板上的步骤更包括：形成一第二透明导电薄膜于该电路基...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘奕成，李和政，刘仲展，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71