晶片的加工方法技术

提供晶片的加工方法。将垂直形成的第1分割预定线和第2分割预定线中的至少第2分割预定线以非连续的方式形成的晶片分割成一个个的器件芯片，该晶片的加工方法具有如下的步骤：第1方向改质层形成步骤，沿着第1分割预定线在晶片的内部形成第1方向改质层；以及第1分割步骤，对晶片施加外力，以第1方向改质层为断裂起点沿着第1分割预定线将晶片断裂而分割成多个长条形的分割片，并将相邻的分割片的间隔扩大。晶片的加工方法还包含：第2方向改质层形成步骤，在第1分割步骤实施之后，在晶片的内部形成第2方向改质层；以及第2分割步骤，对晶片施加外力而将晶片分割成一个个的器件芯片。

【技术实现步骤摘要】
晶片的加工方法
本专利技术涉及硅晶片、蓝宝石晶片等晶片的加工方法。
技术介绍
硅晶片、蓝宝石晶片等晶片中，IC、LSI、LED等多个器件通过分割预定线划分而形成在正面上，该晶片被加工装置分割成一个个的器件芯片，分割出的器件芯片广泛用于移动电话、个人计算机等各种电子设备。晶片的分割广泛采用划片方法，该划片方法使用被称为划片器的切削装置。在划片方法中，使切削刀具按照30000rpm左右的高速旋转并且切入晶片而切削晶片，将晶片分割成一个个的器件芯片，关于该切削刀具，利用金属或树脂加固金刚石等磨粒而使厚度为30μm左右。另一方面，近年来，开发出并实用化使用激光束而将晶片分割成一个个的器件芯片的方法。作为使用激光束而将晶片分割成一个个的器件芯片的方法，公知有以下说明的第1和第2加工方法。第1加工方法是如下的方法：将对于晶片具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在与分割预定线对应的晶片的内部，而沿着分割预定线照射激光束从而在晶片内部形成改质层，然后通过分割装置对晶片施加外力而以改质层为分割起点将晶片分割成一个个的器件芯片(例如，参照日本特许第3408805号)。第2加工方法是如下的方法：向与分割预本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片的加工方法，该晶片中，在由沿第1方向形成的多条第1分割预定线和沿与该第1方向交叉的第2方向形成的多条第2分割预定线所划分出的各区域中形成有器件，并且该第1分割预定线和该第2分割预定线中的至少该第2分割预定线以非连续的方式形成，该晶片的加工方法将该晶片分割成一个个的器件芯片，其特征在于，该晶片的加工方法具有如下的步骤：第1方向改质层形成步骤，沿着该第1分割预定线，将对于晶片具有透过性的波长的激光束从晶片的背面侧会聚到晶片的内部而进行照射，在晶片的内部形成沿着该第1分割预定线的多层的第1方向改质层；第1分割步骤，在实施了该第1方向改质层形成步骤之后，对晶片施加外力，以该第1方向改质层为断裂...

【技术特征摘要】
2015.11.05 JP 2015-2173541.一种晶片的加工方法，该晶片中，在由沿第1方向形成的多条第1分割预定线和沿与该第1方向交叉的第2方向形成的多条第2分割预定线所划分出的各区域中形成有器件，并且该第1分割预定线和该第2分割预定线中的至少该第2分割预定线以非连续的方式形成，该晶片的加工方法将该晶片分割成一个个的器件芯片，其特征在于，该晶片的加工方法具有如下的步骤：第1方向改质层形成步骤，沿着该第1分割预定线，将对于晶片具有透过性的波长的激光束从晶片的背面侧会聚到晶片的内部而进行照射，在晶片的内部形成沿着该第1分割预定线的多层的第1...

【专利技术属性】
技术研发人员：汤平泰吉，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本,JP